主被动红外探测器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种主被动红外探测器，包括设置于衬底上的主动红外探测部和被动红外探测部，主动红外探测部包括依次层叠设置于衬底上的光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层；其中，光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层均为GaAsSb或者GaSb体材料，被动红外探测部设置于光敏材料连接层上。本发明专利技术还公开了上述主被动红外探测器的制作方法。本发明专利技术解决了现有的主被动红外探测器中主动探测能力较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
主被动红外探测器及其制作方法
本专利技术涉及红外探测器领域，尤其涉及一种主被动红外探测器及其制作方法。
技术介绍
红外探测是红外技术的重要组成部分，在化学传感、气体监测、医学诊断、红外成像和自由空间通信等领域有着广泛的应用。按照工作模式红外探测器可以分为被动探测和主动探测两种。被动探测是在不需要外在光源的情况下探测物体自身发射的红外线。根据黑体辐射原理，任何温度超过绝度零度的物体都会源源不断向外辐射红外线。在实际应用中，主要以中波(3μm-5μm)探测和长波(8μm-12μm)探测为主，目前采用碲镉汞材料和锑化物超晶格材料制作的中长波红外探测器技术相当成熟。被动红外探测器通过探测物体热辐射可对目标物体进行热成像，并且可检测出目标温度。被动探测的优点是视场较大，作用距离较远，但无法提供目标物的距离和三维信息。另外一种模式是主动探测，通过向目标物体主动发射光信号，然后对反射光进行探测和处理，可获得目标物体精确的距离和三维信息。在国防领域，主动光源通常采用技术成熟且人眼安全的1.55μm的半导体激光器，而主动探测器需要极高的性噪比，通常采用半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主被动红外探测器，包括设置于衬底(1)上的主动红外探测部(2)和被动红外探测部(3)，其特征在于，所述主动红外探测部(2)包括依次层叠设置于所述衬底(1)上的光敏材料接触层(21)、光敏材料吸收层(22)和光敏材料连接层(23)；其中，所述光敏材料接触层(21)、所述光敏材料吸收层(22)和所述光敏材料连接层(23)均为GaAsSb或者GaSb体材料，所述被动红外探测部(3)设置于所述光敏材料连接层(23)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种主被动红外探测器，包括设置于衬底(1)上的主动红外探测部(2)和被动红外探测部(3)，其特征在于，所述主动红外探测部(2)包括依次层叠设置于所述衬底(1)上的光敏材料接触层(21)、光敏材料吸收层(22)和光敏材料连接层(23)；其中，所述光敏材料接触层(21)、所述光敏材料吸收层(22)和所述光敏材料连接层(23)均为GaAsSb或者GaSb体材料，所述被动红外探测部(3)设置于所述光敏材料连接层(23)上。


2.根据权利要求1所述的主被动红外探测器，其特征在于，所述被动红外探测部(3)包括依次层叠设置于所述光敏材料连接层(23)上的超晶格连接层(31)、超晶格吸收层(32)和超晶格接触层(33)。


3.根据权利要求2所述的主被动红外探测器，其特征在于，所述超晶格连接层(31)、所述超晶格吸收层(32)和所述超晶格接触层(33)均为InAs/GaSb和/或InAs/InAsSb超晶格。


4.根据权利要求2所述的主被动红外探测器，其特征在于，所述光敏材料吸收层(22)的有效带宽大于所述超晶格吸收层(32)的有效带宽。


5.根据权利要求2所述的主被动红外探测器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱虹，赵宇，黄勇，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32