像素结构、红外图像传感器和电子设备制造技术

本申请提供一种像素结构、红外图像传感器和电子设备。该像素结构中，第一绝缘层中开设有与第一阱区相对的第一过孔，石墨烯填充第一过孔并与第一阱区形成异质结，深阱区与第一阱区的下端部以及第二阱区的下端部相连；第一电极与石墨烯电接触，第二阱区的上端部与第二电极形成欧姆接触；第一阱区、第二阱区和深阱区的导电类型相同，第二阱区环绕第一阱区且二者之间设置有隔离槽。本申请的像素结构能够响应非常宽的红外光谱范围。

【技术实现步骤摘要】
像素结构、红外图像传感器和电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2021年3月5日申请的专利申请号为CN202110244460.9且专利技术名称为“像素结构、红外图像传感器和电子设备”的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本申请属于光电探测
，具体涉及一种像素结构、图像传感器和电子设备。
技术介绍
现有的红外图像传感器中，多采用铟镓砷(InGaAs)、碲镉汞(HgCdTe)等材料作为光敏层对红外线做出响应，并光敏层与读出电路(ReadoutCircuit)链接(具体地，将光敏层制作在读出电路上方)，由读出电路读出光敏层受红外线照射所产生的电信号。受光敏层材料能带结构所限，红外图像传感器响应的红外线的波长范围相对较窄。
技术实现思路
本申请的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种像素结构、红外图像传感器和电子设备。为解决上述技术问题，本申请采用如下技术方案：一种像素结构，包括：半导体衬底、形成在所述半导体衬底中的第一阱区、形成在所述半导体衬底中的第二阱区、形成在所述半导体衬底中的深阱区、形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：半导体衬底(1)、形成在所述半导体衬底(1)中的第一阱区(21)、形成在所述半导体衬底(1)中的第二阱区(22)、形成在所述半导体衬底(1)中的深阱区(23)、形成在所述半导体衬底(1)上表面上的第一绝缘层(4)，以及包括：石墨烯(7)、第一电极(P1)和第二电极(P2)；/n所述第一绝缘层(4)中开设有与所述第一阱区(21)相对的第一过孔，所述石墨烯(7)填充所述第一过孔并与所述第一阱区(21)形成肖特基异质结，所述深阱区(23)与所述第一阱区(21)的下端部以及所述第二阱区(22)的下端部相连；/n所述第一电极(P1)与所述石墨烯(7)电接触，所述第二阱...

【技术特征摘要】
20210305 CN 20211024446091.一种像素结构，其特征在于，包括：半导体衬底(1)、形成在所述半导体衬底(1)中的第一阱区(21)、形成在所述半导体衬底(1)中的第二阱区(22)、形成在所述半导体衬底(1)中的深阱区(23)、形成在所述半导体衬底(1)上表面上的第一绝缘层(4)，以及包括：石墨烯(7)、第一电极(P1)和第二电极(P2)；
所述第一绝缘层(4)中开设有与所述第一阱区(21)相对的第一过孔，所述石墨烯(7)填充所述第一过孔并与所述第一阱区(21)形成肖特基异质结，所述深阱区(23)与所述第一阱区(21)的下端部以及所述第二阱区(22)的下端部相连；
所述第一电极(P1)与所述石墨烯(7)电接触，所述第二阱区(22)的上端部与所述第二电极(P2)形成欧姆接触；
所述第一阱区(21)、所述第二阱区(22)和所述深阱区(23)的导电类型相同，所述第二阱区(22)环绕所述第一阱区(21)且二者之间设置有隔离槽(3)。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括形成在所述半导体衬底(1)中的第三阱区(24)，所述第三阱区(24)环绕所述第一阱区(21)且被所述第二阱区(22)内侧的隔离槽(3)所环绕，所述第三阱区(24)的上端部所述第一电极(P1)形成欧姆接触，所述第三阱区(24)的导电类型与所述第一阱区(21)的导电类型相反。


3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：第一调节电极(P3)、第二调节电极(P4)、以及覆盖所述石墨烯(7)的第二绝缘层(5)，所述第一调节电极(P3)和所述第二调节电极(P4)均位于所述第二绝缘层(5)背向所述半导体衬底(1)一侧，所述石墨烯(7)与所述第一阱区(21)的接触面在所述半导体衬底(1)所处平面的正投...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜思超，
申请(专利权)人：南京扬字源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32