【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(FlexibleDisplay)已成为目前显示领域的主流产品。经本申请专利技术人研究发现，现有OLED显示基板存在晶体管性能变差的问题，直接影响OLED显示装置的显示效果。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决现有显示基板存在晶体管性能变差的问题。本公开提供了一种显示基板，包括基底，设置在所述基底上的有源结构层，设置在所述有源结构层...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底，设置在所述基底上的有源结构层，设置在所述有源结构层远离所述基底一侧的第一源漏结构层，以及设置在所述第一源漏结构层远离所述基底一侧的第二源漏结构层；所述有源结构层包括第一有源层和第二有源层，所述第一源漏结构层包括第一有源过孔和第一源漏电极，所述第一源漏电极通过所述第一有源过孔与所述第一有源层连接；所述第二源漏结构层包括第二有源过孔和第二源漏电极，所述第二源漏电极通过所述第二有源过孔与所述第二有源层连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底，设置在所述基底上的有源结构层，设置在所述有源结构层远离所述基底一侧的第一源漏结构层，以及设置在所述第一源漏结构层远离所述基底一侧的第二源漏结构层；所述有源结构层包括第一有源层和第二有源层，所述第一源漏结构层包括第一有源过孔和第一源漏电极，所述第一源漏电极通过所述第一有源过孔与所述第一有源层连接；所述第二源漏结构层包括第二有源过孔和第二源漏电极，所述第二源漏电极通过所述第二有源过孔与所述第二有源层连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源结构层包括：设置在所述基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层远离所述基底一侧的第一有源层，覆盖所述第一有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层远离所述基底一侧的第一栅电极，覆盖所述第一栅电极的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层远离所述基底一侧的遮光层，覆盖所述遮光层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层远离所述基底一侧的第二有源层，设置在所述第二有源层远离所述基底一侧的第五绝缘层，设置在所述第五绝缘层远离所述基底一侧的第二栅电极。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏结构层包括：覆盖所述有源结构层的第六绝缘层，以及设置在所述第六绝缘层远离所述基底一侧的第一源电极和第一漏电极；所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第六绝缘层上形成有第一有源过孔，所述第一源电极和第一漏电极通过所述第一有源过孔分别与所述第一有源层连接。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二源漏结构层包括：覆盖所述第一源漏结构层的第七绝缘层，设置在所述第七绝缘层远离所述基底一侧的第一平坦层，以及设置在所述第七绝缘层远离所述基底一侧的第二源电极和第二漏电极；所述第六绝缘层、第七绝缘层和第一平坦层上形成有第二有源过孔，所述第二源电极和第二漏电极通过所述第二有源过孔分别与所述第二有源层连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二有源过孔包括：通过一次图案化工艺在所述第七绝缘层上形成的过孔，以及通过另一次图案化工艺在所述第一平坦层和第六绝缘层上形成的过孔。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二源漏结构层还包括连接电极，所述连接电极通过过孔与所述第一源漏电极连接，所述连接电极与所述第二源电极和第二漏电极同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述第二源漏结构层上的第二平坦层和设置在所述第二平坦层上的阳极，所述阳极通过过孔与所述连接电极连接。
8.根据权利要求1至7任一项所述的显示基板，其中，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物；或者，所述第一有源层的材料包括氧化物，所述第二有源层...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文渠，姚琪，孟德天，张锋，崔钊，董立文，宋晓欣，侯东飞，王利波，吕志军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。