实现片内EEPROM仿真功能的方法技术

一种可灵活实现片内ＥＥＰＲＯＭ仿真功能的方法，用于使用智能卡仿真器仿真、测试应用扩展程序的过程中，仿真器与智能卡内的仿真芯片之间以总线连接，包括数据总线及地址总线，所述仿真芯片内包括存放应用扩展程序的ＥＥＰＲＯＭ及存放操作系统的ＰＲＯＭ，仿真器内具有替代ＥＥＰＲＯＭ的ＳＲＡＭ，其特征在于：仿真器与仿真芯片之间还设置有选择信号，当调试上述应用扩展程序代码内容时，选择信号选择通知仿真芯片将应用扩展程序下载到仿真器的ＳＲＡＭ中，由ＳＲＡＭ代替片内ＥＥＰＲＯＭ进行调试；当测试及验证程序时，选择信号选择通知仿真芯片将应用扩展程序下载到仿真芯片的ＥＥＰＲＯＭ，由ＥＥＰＲＯＭ进行执行。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及智能卡硬件仿真系统领域，尤其涉及一种智能卡仿真器灵活实现片内EEPROM仿真功能的方法。
技术介绍
智能卡产品中所使用MCU的结构不同于通用的MCU芯片，片内的存储器除了用于存放片上操作系统(COS程序)的PROM外，一般还带有较大容量的片内EEPROM。这部分EEPROM即可以作为非易失性存储器存放一些固定的数据，也可以在需要时，例如在扩展多应用中，成为PROM的扩展区作为程序存储器使用，存放应用扩展程序。片内EEPROM作为程序区使用的过程是，首先EEPROM作为数据区(XRAM)以数据下载的方式(MOVX指令)把应用扩展程序单独编译后的HEX文件放到片内EEPROM的指定区域，然后通过寄存器的切换，把片内EEPROM切换成程序存储区。在作为程序存储区时，这部分EEPROM的地址与原有的PROM程序存储区的逻辑地址是连续的。目前，在智能卡仿真器的设计中，一般都是采用SRAM来替代仿真芯片(以下简称EV-CHIP)内PROM和EEPROM作为存储器的。由于智能卡MCU的PROM一般采用掩膜加工工艺，且没有操作时序的限制，在仿真过程中可以使用外挂的SRAM来替代，在SRAM中对COS程序的仿真和调试过程是非常接近真实使用PROM过程的，是可信的，最终调试完成的目标程序应用到真实芯片中一般不会出现问题。片内EEPROM无论作为数据区还是程序区使用都必须遵循一定的操作时序，而智能卡仿真器中替代片内EEPROM的SRAM没有操作时序的限制，客观上造成了仿真过程与真实使用过程的不一致，在使用智能卡仿真器的仿真过程中无法发现EEPROM程序区操作时序上的问题。在仿真器上使用SRAM代替片内EEPROM已经调试完成的应用扩展程序，下载到真实芯片的片内EEPROM后可能会由于操作时序的问题而无法使用或出错。在智能卡仿真器中使用SRAM替代片内PROM，使用外挂EEPROM芯片替代片内的EEPROM的方法虽然是解决上述问题的一个办法，但并不是一个好方法。因为，各公司生产的不同型号、不同容量的EEPROM在操作时序上存在着或大或小的差异，智能卡仿真器外挂的EEPROM必须保证与片内EEPROM采用的是同种工艺，具有完全相同的操作时序，由于并不存在一种可以替代所有种类EEPROM的外挂EEPROM芯片，客观上极大的限制了仿真器替代EEPROM型号的选择，限制了智能卡仿真器对同系列多种EV-CHIP(这些芯片可能仅在EEPROM的操作时序上存在差异)的通用性，给智能卡仿真器的使用过程带来了极大的不便。另外，如果智能卡仿真器使用外挂EEPROM替代片内EEPROM来进行仿真调试，由于EEPROM的操作速度要比SRAM的操作速度慢的多，而在EEPROM中应用扩展程序的调试过程中，大部分时间调试过程关心的是程序本身，过慢的执行速度会极大的影响调试工作的效率。因此需要设计一种新的片内EEPROM仿真功能的实现方法，在仿真的真实性与速度之间找到平衡点，又能保证在调试过程中获得较高的效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种智能卡仿真器，使智能卡仿真器在仿真片内EEPROM的应用扩展程序过程中可以选择使用仿真器上的SRAM替代仿真芯片(EV-CHIP)内的EEPROM，或直接使用EV-CHIP内EEPROM进行仿真、调试。本专利技术的目的是这样实现的可灵活实现片内EEPROM仿真功能的方法，用于使用智能卡仿真器仿真、测试应用扩展程序的过程中，仿真器与智能卡内的仿真芯片之间以总线连接，包括数据总线及地址总线，所述仿真芯片内包括存放应用扩展程序的EEPROM及存放操作系统的PROM，仿真器内具有替代EEPROM的SRAM，仿真器与仿真芯片之间还设置有选择信号，当调试上述应用扩展程序代码内容时，选择信号选择通知仿真芯片将应用扩展程序下载到仿真器的SRAM中，由SRAM代替片内EEPROM进行调试；当测试及验证程序时，选择信号选择通知仿真芯片将应用扩展程序下载到仿真芯片的EEPROM，由EEPROM进行执行。同样，将上述两过程中的高低电平调换也可以完成专利技术目的。本专利技术还具有的以下特征EV-CHIP的设计过程中，在使用EV-CHIP内的EEPROM作为程序区使用时，EEPROM部分的总线(包括数据总线、地址总线、读/写和片选信号)完全向仿真器开放出来，实现在使用片内EEPROM调试应用扩展程序时完整的仿真功能(包括全速运行、单步运行、断点运行等)。仿真器使用无操作时序的SRAM替代EV-CHIP内的EEPROM，对同系列仅在EEPROM的操作时序上存在差异的多种仿真芯片，仿真器只需更换仿真芯片就可实现对它们的仿真功能。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是既保证了仿真调试工作的效率，又确保了应用扩展程序仿真的真实性。而且，在使用EV-CHIP内的EEPROM仿真应用扩展程序时，智能卡仿真器仍旧可以提供完整的仿真功能。对同系列仅在EEPROM的操作时序上存在差异的多种仿真芯片，仿真器只需更换仿真芯片就可实现对它们的仿真功能。附图说明图1是有关本专利技术实施例中智能卡仿真器与仿真芯片之间的信号传输示意图。图2是直接使用仿真芯片中的EEPROM时应用扩展程序下载后程序存放示意图。图3是使用仿真器内提供的SRAM替代片内EEPROM时应用扩展程序下载后程序存放示意图。其中EA_EP来自智能卡仿真器的应用扩展程序存放位置选择信号。RD/WR，CSEEPROM的读/写、片选信号。DATAEEPROM的数据总线。ADDEEPROM的地址总线。GND地信号。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述。参阅图2所示，智能卡产品的仿真芯片内除了用于存放片上操作系统(COS)程序的PROM外，还带有较大容量的片内EEPROM。这部分EEPROM即可以作为非易失性存储器存放一些固定的数据，也可以在需要时，例如在扩展多应用中，成为PROM的扩展区作为程序存储器使用。请配合参阅图3所示，在智能卡仿真器内具有代替仿真芯片PROM的SRAM及替代仿真芯片EEPROM的SRAM。请参阅图1所示，智能卡仿真芯片(EV-CHIP)的EEPROM部分的总线(包括数据总线、地址总线、读/写和片选信号)完全向智能卡仿真器开放出来，并均通过地信号GND实现接地。在智能卡仿真器与EV-CHIP之间还包括一根信号线以实现应用扩展程序存放位置选择信号的传输。在使用EV-CHIP内EEPROM仿真、调试应用扩展程序时，仿真器也可以实现完整的仿真功能(包括全速运行、单步运行、断点运行等)。在智能卡仿真器集成开发环境(IDE)中的存储器配置中根据使用要求选择使用仿真器提供的SRAM替代片内EEPROM或使用EV-CHIP内的EEPROM。如果，以调试程序代码内容为目的，要求较高的调试效率，可以选择使用仿真器提供的替代片内EEPROM的SRAM。如果，代码调试基本完成后，需要进一步调试、验证程序时，可以选择使用EV-CHIP内的EEPROM，以获得最接近真实使用情况的仿真效果。请参阅图1，2，3所示，仿真芯片内的RPOM区由于采用的是掩膜工艺，所以存放片上操作系统(COS)程序的PROM区在使用仿真器上的SRAM代替。当在集成开发环境(IDE)中选择使用仿真器提供的SRAM替本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许国泰，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：