一种用于室温下硫化氢气体检测传感器制造技术

本发明专利技术涉及建筑工程领域，且公开了一种室温下硫化氢气体检测传感器。包括还原氧化石墨烯纳米片1，铜掺杂氧化锌纳米棒2，Au(50nm)/Ti(5nm)涂层3，玻璃基底4。当传感器表面暴露于H

【技术实现步骤摘要】
一种用于室温下硫化氢气体检测传感器
本专利技术涉及建筑工程领域，具体涉及一种用于室温下硫化氢气体检测传感器。
技术介绍
硫化氢是一种有毒、无色、芳香的气体，过量吸入可导致神经行为毒性、呼吸衰竭，也可导致死亡。因此，研制高性能、高可靠性、良好的选择性、既能在低温下工作又能检测低浓度气体的H2S气体传感器具有重意义。为了实现这些目标，基于金属氧化物半导体的气体传感器已经得到了广泛的研究，仍然需要对H2S气体传感进行不断的改进。在实际应用的各种半导体材料中，氧化锌具有成本低、无毒、独特的电化学性质、纳米尺寸、多种形貌和简单集成等优点，显示出其在H2S气敏领域的应用潜力。此外，在ZnO纳米结构中掺杂金属杂质，可以改变ZnO的电子性质和气体分子的吸附位置，从而获得更好的气敏特性。早期的一些研究表明，对于掺铜和掺锡的ZnO薄膜，在250℃和200℃的工作温度下对20ppmH2S有显著的响应。然而，基于氧化锌的气体传感器由于其高工作温度(通常超过200℃)以及化学特性差而具有较高的功耗。高工作温度也为实现更广泛的实时应用设置了相当大的限制，因为集成困本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于室温下硫化氢气体检测传感器。包括还原氧化石墨烯纳米片1，铜掺杂氧化锌纳米棒2，Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3，玻璃基底4。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于室温下硫化氢气体检测传感器。包括还原氧化石墨烯纳米片1，铜掺杂氧化锌纳米棒2，Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3，玻璃基底4。


2.根据权利要求1所述的一种用于室温下硫化氢气体检测传感器，其特征在于：所述还原氧化石墨烯纳米片1通过喷涂分散在去离子水和乙醇中，然后沉积到未掺杂和掺杂Cu的ZnO纳米结构上。


3.根据权利要求1所述的一种用于室温下硫化氢气体检测传感器，其特征在于：所述Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3采用射频磁控溅射法在玻璃基片表面沉积而成。


4.根据权利要求1所述的一种用于室温下硫化氢气体检测传感器，其特征在于：所述Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3表面的ZnO薄膜种子层通过水热合成。


5.根据权利要求1所述的一种用于室温下硫化氢气体检测传感器，其特征在于：所述水热反应溶液通过在聚四氟乙烯容器中混合25mM硝酸锌和25mMHMT水溶液(pH1/47)来制备。


6.根据权利要求1所述的一种用于室温下硫化氢气体检测传感器，其特征在于：所述ZnO薄膜呈现出纳米棒状的表面形貌。


7.根据权利要求1所述的一种用于室温下硫化氢气体检测传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭贺洵，贺春扬，申国辉，
申请(专利权)人：佛山鑫宏腾科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44