一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法，该用于厚膜压力传感器的集成芯片包括弹性金属膜片以及导电电路，弹性金属膜片具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区，导电电路包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述连接区。

【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法
本专利技术实施例涉及厚膜压力传感器
，特别涉及一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法。
技术介绍
厚膜压力传感器是能感受压力信号，并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出的电信号的器件或装置。现有技术中若需要厚膜压力传感器同时能够感测温度，则在厚膜压力传感器中单独连接一个温度芯片，而单独设置温度芯片和压力芯片，增大了封装工艺的复杂性，且对环境的适应性较差。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法，旨在解决现有技术中在厚膜压力传感器中单独设置温度芯片和压力芯片造成封装工艺复杂，且对环境的适应性较差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种用于厚膜压力传感器的集成芯片，包括：弹性金属膜片，具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区；导电电路，包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于厚膜压力传感器的集成芯片，其特征在于，包括：/n弹性金属膜片，具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区；/n导电电路，包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述连接区。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于厚膜压力传感器的集成芯片，其特征在于，包括：
弹性金属膜片，具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区；
导电电路，包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述连接区。


2.如权利要求1所述的用于厚膜压力传感器的集成芯片，其特征在于，所述若干个压敏电阻为四个，分别包括第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻以及第四压敏电阻，所述第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻以及第四压敏电阻依次首尾串联连接，以形成闭合回路；
所述热敏电阻的第一端与所述第一压敏电阻的第一端连接，另一端用于连接焊盘。


3.如权利要求2所述的用于厚膜压力传感器的集成芯片，其特征在于，所述第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻以及第四压敏电阻形成惠斯通电桥；
所述第一压敏电阻和所述第三压敏电阻设于所述变形区的中间位置，所述第二压敏电阻和所述第四压敏电阻设于所述变形区的边缘位置。


4.如权利要求1所述的用于厚膜压力传感器的集成芯片，其特征在于，所述弹性金属膜片的厚度根据压力量程和受力分析确定，确定过程如下：
(1)对于弹性金属膜片的小变形受力分析
根据小变形理论，弹性金属膜片在施加压力的条件下，弹性金属膜片的最大位移不超过弹性金属膜片厚度的30％，即：
y0≤0.3h；(1)
在均布压力P的作用下，圆形的弹性金属膜片1的位移如下：



受压膜片的位移变化一样，金属膜片内部的应力分布也随膜片的厚度h和距离膜片中心的距离r变化而变化。在给定的距离r上，膜片的一面受到张应力，另一面受到压应力；同时膜片内部存在两种应力，即切向应力σt和径向应力σr：






当径向应力为零时：
r＝a((1+v)(3+v))1/2；(5)
距膜片中心距离为r的切应力为：






(2)弹性金属膜片1的位移与压力的关系
当弹性金...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小平，曹万，李凡亮，吴登峰，李兵，
申请(专利权)人：武汉飞恩微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42