一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管技术

本发明专利技术属于有机半导体材料技术领域，特别涉及一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管。本发明专利技术提供的基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物中含有3,6‑双(4‑溴)苯并[2,1‑b:3,4‑b’]二呋喃‑2,7‑二酮活性基团，能与(4,4,9,9‑四辛基‑4,9‑二氢‑s‑二癸烯[1,2‑b:5,6‑b’]二噻吩‑2,7‑二取代)双(四甲基锡)构造出平面性良好的聚合物，有利于提供较高的空穴迁移率，从而提高基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物在形成半导体薄膜时的分子间自组装和有序排列性能，有利于得到更好的分子晶体，提高电荷传输性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管本专利技术得到国家自然科学基金青年科学基金项目(No.：21805151)、山东省自然科学基金面上项目(No.：ZR2018MB024)、山东省青年泰山项目(No.：201909120)和陕西理工大学校级科研项目(No.：SLGPT2019KF01-01，SLG1901)资助。
本专利技术属于有机半导体材料
，特别涉及一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管。
技术介绍
有机半导体材料具有结构易设计和剪裁、种类多样、性能可控性强、制备工艺简单、制造成本低、易于大面积应用及可用于柔性电子器件等优点，在有机场效应晶体管(OFET)等领域具有极好的应用前景。传统的有机场效应晶体管材料(OFET)多采用吡咯并吡咯二酮(DPP)等受体结构单元进行构筑，构筑单元较为单一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物，本专利技术提供芳杂环型共轭聚合物具有优良的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物，所述基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物具有式I所示结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物，所述基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物具有式I所示结构：





2.权利要求1所述基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将3,6-双(4-溴)苯并[2,1-b:3,4-b’]二呋喃-2,7-二酮、(4,4,9,9-四辛基-4,9-二氢-s-二癸烯[1,2-b:5,6-b’]二噻吩-2,7-二取代)双(四甲基锡)和混合有机溶剂混合，进行第一无水无氧处理，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液与四三苯基膦钯混合，依次进行第二无水无氧处理和Stille偶联反应，得到所述基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述3,6-双(4-溴)苯并[2,1-b:3,4-b’]二呋喃-2,7-二酮与(4,4,9,9-四辛基-4,9-二氢-s-二癸烯[1,2-b:5,6-b’]二噻吩-2,7-二取代)双(四甲基锡)的摩尔比为1：(1.0～1.2)。


4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述混合有机溶剂包括甲苯和N,N-二甲基甲酰胺；所述甲苯和N,N-二甲基甲酰胺的体积比为(2.5～3.5)：1。


5.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海昌，邓志峰，李锐，戴志诚，王成，崔帅玮，石昕，梁东旭，
申请(专利权)人：青岛科技大学，陕西理工大学，
类型：发明
国别省市：山东;37