辐射装置、用于在基板上沉积材料的沉积设备和用于在基板上沉积材料的方法制造方法及图纸

提供一种辐射装置(200)，包括中空主体和布置在所述中空主体(250)内的冷却装置(246)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射装置、用于在基板上沉积材料的沉积设备和用于在基板上沉积材料的方法
本专利技术的实施方式涉及薄膜处理设备，特别是涉及沉积系统，并且更特别是涉及卷对卷(roll-to-roll,R2R)沉积系统。本专利技术的实施方式特别是涉及用于在基板上沉积材料的辐射装置、设备和方法。背景在包装工业、半导体工业和其他工业中，对于柔性基板(例如是塑料膜或箔)的处理有很高需求。处理可包括利用材料(例如是金属(特别是铝)、半导体和介电材料)对柔性基板进行涂布，和针对相应的应用而在基板上进行的其他加工。执行此任务的系统通常包括处理滚筒，例如是圆柱形辊，所述处理滚筒耦接至用于输送基板的处理系统，并且在所述处理滚筒上处理所述基板的至少一部分。卷对卷涂布系统可因此提供高生产量系统。通常，可以利用蒸发工艺(例如是热蒸发工艺)来沉积金属薄层，这些金属薄层可以被金属化至柔性基板上。然而，卷对卷沉积系统在显示工业和光生伏打(PV)工业中的需求也急剧增长。举例来说，触摸面板元件、柔性显示器和柔性PV模块造成对在卷对卷涂布机中沉积合适层的需求增加。然而，这样的装置通常具有若干个层，这些层例如是由化学气相沉积(CVD)工艺，并且特别地还由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来制造。为了将材料最佳地沉积到基板上，需要相应地调整不同的热蒸发工艺的工艺参数。特别是工艺的热管理，在实现高品质材料沉积中发挥重要的作用。因此，不仅需要改善工艺的整体热管理，而且还需要改善影响工艺的若干部件的热调节。概述有鉴于此，提供一种辐射装置、一种沉积设备和一种用于在基板上沉积材料的方法。根据权利要求书、说明书和附图，本公开内容的其他方面、优点和特征是显而易见的。根据一个方面，提供一种辐射装置。所述辐射装置包括中空主体、和设置在所述中空主体内的冷却装置。根据另一方面，提供一种用于在基板上沉积材料的沉积设备。所述沉积设备包括根据本文所述的实施方式的真空腔室、一个或多个沉积单元和辐射装置。根据又一方面，提供一种利用沉积设备在基板上沉积材料的方法。所述方法包括利用冷却装置冷却包括中空主体的辐射装置，所述冷却装置布置在所述中空主体内。实施方式还针对用于执行所公开的方法的设备，并且包括用于执行每个所描述的方法方面的设备部分。这些方法方面可以通过硬件部件、由适当软件编程的计算机、通过此二者的任何组合的方式、或以任何其他方式来执行。此外，根据本公开内容的实施方式还针对用于操作所描述的设备的方法。这包括用于执行设备的每个功能的方法方面。附图简要说明为了可以详细地理解本专利技术的上述特征的方式，可以通过参考实施方式对以上简要概述的本专利技术进行更具体的描述。附图涉及本专利技术的实施方式，并且叙述如下：图1示出根据本文所述的实施方式的用于沉积或涂布薄膜的卷对卷沉积设备的俯视示意图；图2示出根据本文所述的实施方式的沉积单元的横截面；图3示出根据本文所述的实施方式的沉积单元的俯视图；图4A示出根据本文所述的实施方式的辐射装置的侧视图；图4B示出根据本文所述的实施方式的辐射装置的横截面；图5示出根据本文所述的实施方式的辐射装置的侧视图；并且图6示出根据本文所述的实施方式的方法的流程图。具体说明现在将对于本专利技术的各种实施方式进行详细说明，在图中图示实施方式的一个或多个例子。在以下对于附图的说明中，相同的参考数字表示相同的部件。一般来说，仅描述关于个别实施方式的不同处。每个例子是以解释本专利技术的方式提供，而不意味着对本专利技术的限制。另外，作为一个实施方式的部分而图示或描述的特征可用于其他实施方式上或结合其他实施方式使用，以产生又一实施方式。本说明书意欲包含这样的调整和变化。本文所述的实施方式涉及一种辐射装置，特别是涉及一种包括布置在辐射装置内的冷却装置的辐射装置。辐射装置包括中空主体。冷却装置可以特别地布置在此中空主体内。辐射装置可以被配置作为沉积工艺中的等离子体源。特别地，辐射装置可以被配置作为用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺的等离子体源。图1示出根据本文所述的实施方式的沉积设备的示意图。此沉积设备可包括真空腔室102和用于输送基板的输送装置140。沉积设备可包括一个或多个沉积单元110。所述沉积单元可以经配置以用于在基板上沉积材料。沉积设备进一步包括辐射装置200。一个或多个沉积单元可以布置为使得基板在输送装置140与一个或多个沉积单元110之间被输送。根据本文所述的实施方式，输送装置可以沿着一个或多个沉积单元输送基板。在一个或多个沉积单元的每个沉积单元中，可包括辐射装置。辐射装置可以经配置以允许材料沉积在基板上。辐射装置可包括如下文进一步描述的冷却装置。沉积设备可包括一个或多个供应通道。一个或多个供应通道可以经配置以用于提供材料至一个或多个沉积单元。根据另外的实施方式，此设备可包括气体冷却装置。气体冷却装置可以经配置以用于使气体冷却。气体冷却装置可以经配置以用于将被冷却的气体提供至辐射装置。根据本文所述的实施方式，提供一种用于将材料沉积在基板上的沉积设备，例如用于将薄膜沉积在基板上的沉积设备。基板可以是柔性基板。如图1中示例性所示，沉积设备100可包括真空腔室102。真空腔室可以具有第一腔室部分102A和第二腔室部分102B。第三腔室部分(未示出)可以被配置作为缠绕(winding)/退绕(unwinding)腔室，并且可以与其余的腔室部分分离以用于更换柔性基板，使得不需要为了移除经处理的柔性基板而使其余的腔室部分(第一腔室部分102A/第二腔室部分102B)通风(vent)，并且不需要在插入新基板后抽空其余的腔室部分(第一腔室部分102A/第二腔室部分102B)。举例来说，可以减少设备的停机时间。沉积设备可包括至少一个沉积单元，特别地，沉积设备可包括多于两个的沉积单元。在此应注意的是，如本文所述的实施方式所使用的柔性基板或卷材(web)的特征可以在于，所述柔性基板或卷材是可弯曲的。术语“卷材”可以与术语“条带(strip)”或术语“柔性基板”同义地使用。举例来说，如本文的实施方式中所述，卷材可以是箔或另一柔性基板。然而，如以下更详细地描述的，也可以为其他一列式(inline)沉积系统的非柔性基板或载体提供本文所述的实施方式的益处。然而，应理解的是，可以将特定的益处可用于柔性基板、和用于在柔性基板上制造装置的应用。根据实施方式并且如图1中所示，可以在设备中提供输送装置140，例如是具有旋转轴111的涂布滚筒142。涂布滚筒142可具有弯曲的外表面，以用于沿着此弯曲的外表面引导和/或输送基板。基板可以被引导通过第一真空处理区域和至少一个第二真空处理区域，第一真空处理区域例如是图1中的最上沉积单元110的第一真空处理区域，至少一个第二真空处理区域例如是图1中的第二最上沉积单元110的至少一个第二真空处理区域。在图1中描绘的实施方式包括五个沉积单元110，例如是五个沉积源。可以在处理区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.辐射装置(200)，包括：/n中空主体(250)；和/n布置在所述中空主体内的冷却装置(246)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.辐射装置(200)，包括：
中空主体(250)；和
布置在所述中空主体内的冷却装置(246)。


2.如权利要求1所述的辐射装置(200)，其中所述中空主体在长度方向中延伸。


3.如权利要求1或2所述的辐射装置(200)，其中所述冷却装置(246)包括一个或多个通道，所述一个或多个通道用于引导冷却流体通过所述一个或多个通道。


4.如权利要求3所述的辐射装置(200)，其中所述冷却流体是液体，所述液体特别地包括乙二醇，更特别地包括水与乙二醇的混合物。


5.如权利要求3或4中任一项所述的辐射装置(200)，其中所述冷却流体包括温度，所述温度在-30℃至0℃的范围内，特别是在-25℃至-5℃的范围内，更特别是在-20至-10℃的范围内。


6.如前述权利要求中任一项所述的辐射装置(200)，其中所述辐射装置是微波天线。


7.如前述权利要求中任一项所述的辐射装置(200)，进一步包括：
外管(255)，所述外管(255)围绕所述中空主体(250)，其中所述外管特别地是石英管；
内部空间(252)，在所述中空主体与所述外管(255)之间限定所述内部空间(252)；和
入口开口和出口开口，所述入口开口经配置以用于允许气体进入所述内部空间，所述出口开口经配置以用于允许所述气体从所述内部空间(252)离开。


8.一种用于在基板上沉积材料的沉积设备(100)，包括：
真空腔室(102)；
用于输送所述基板的输送装置(140)；
一个或多个沉积单元(110)；和<...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔斯·曼纽尔·迭格斯坎波，法比奥·贝亚雷斯，斯特芬·布朗格，尼尔·莫里森，托比亚斯·斯托利，霍斯特·阿尔特，格哈德·施泰尼格，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US