抛光层用聚氨酯、抛光层、抛光垫及抛光层的改性方法技术

技术编号:28567186 阅读:33 留言:0更新日期:2021-05-25 18:04
本发明专利技术提供具有羧酸酯基的抛光层用聚氨酯,优选使用在侧链、主链末端及主链骨架中的至少一者具有羧酸酯基的聚氨酯。另外,本发明专利技术提供一种抛光层的改性方法,该方法包括:准备包含具有羧酸酯基的聚氨酯的抛光层的工序;以及使聚氨酯的羧酸酯基水解而生成羧酸基的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抛光层用聚氨酯、抛光层、抛光垫及抛光层的改性方法
本专利技术涉及可优选用作抛光垫的抛光层的材料的新型聚氨酯。
技术介绍
作为用于对半导体晶片进行镜面加工、或在半导体基板上形成电路的工序中对具有氧化膜等绝缘膜、导体膜的被抛光物的表面进行平坦化的抛光方法,已知有CMP(化学机械抛光)。CMP是在对被抛光物的表面供给包含磨粒及反应液的浆料的同时、用抛光垫对被抛光物进行高精度抛光的方法。聚氨酯可以作为CMP中使用的抛光垫的抛光层的材料而使用。近些年,随着形成于半导体基板上的电路的高集成化及多层布线化的发展,对CMP要求抛光速度的提高、更高的平坦性。为了满足这样的要求,提出了通过提高磨粒与抛光面的亲和性来提高抛光速度来调整聚氨酯的表面状态的技术。例如,下述专利文献1中公开了一种抛光垫,其缩短了进行抛光垫表面的整形处理的准备工序(磨合(启动))所需的时间,所述准备工序是在抛光装置上安装抛光垫并启动抛光装置的使用初始阶段的修整处理。具体而言,公开了一种抛光垫,其具有压接于被抛光物的抛光面,抛光面的起伏的周期为5mm~200mm,且最大振幅为40μm以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光层用聚氨酯,其具有羧酸酯基。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181109 JP 2018-2117581.一种抛光层用聚氨酯,其具有羧酸酯基。


2.根据权利要求1所述的抛光层用聚氨酯,其在侧链、主链末端及主链骨架中的至少一者具有所述羧酸酯基。


3.根据权利要求1或2所述的抛光层用聚氨酯,其包含具有羧酸酯基的单体单元。


4.根据权利要求3所述的抛光层用聚氨酯,其至少包含(a)扩链剂单元、(b)高分子多元醇单元、以及(c)有机二异氰酸酯单元作为所述单体单元,所述(a)扩链剂单元及所述(b)高分子多元醇单元中的至少一者具有所述羧酸酯基。


5.根据权利要求4所述的抛光层用聚氨酯,其中,所述(a)扩链剂单元包含来自于选自酒石酸二酯、1-(叔丁氧羰基)-3-吡咯烷醇、以及2,4-二羟基苯甲酸甲酯中至少1种化合物的单体单元。...

【专利技术属性】
技术研发人员:砂山梓纱加藤充竹越穰冈本知大加藤晋哉
申请(专利权)人:株式会社可乐丽
类型:发明
国别省市:日本;JP

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