叠层体制造技术

一种叠层体，其在基材的至少一侧具有A层，上述A层包含选自周期表的第IIA、IIIB、IVB、VB、IIB、IIIA和IVA族的元素中的至少2种元素、以及氧，上述A层表面的通过原子力显微镜(AFM)算出的算术平均粗糙度Ra为5.0nm以下。提供低成本并且即使为简单的构成也具有高度的阻气性的叠层体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】叠层体
本专利技术涉及需要高阻气性的食品、药品的包装材料、太阳能电池、电子纸、有机电致发光(EL)显示器等电子部件的材料所使用的叠层体。
技术介绍
在膜基材的表面利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相生长法(PVD法)、或等离子体化学气相生长法、热化学气相生长法、光化学气相生长法等化学气相生长法(CVD法)等，形成无机物(包含无机氧化物)的无机层而成的阻气性膜作为需要阻断水蒸气、氧等各种气体的食品、药品等的包装材料和电子纸、太阳能电池等的电子器件构件而使用，在这些构件中，要求以水蒸气透过率计为5.0×10-2g/m2·24hr·atm以下的高阻气性。作为满足高阻气性的方法之一，提出了通过使有机层与无机层交替地多层叠层从而通过孔填埋效果来防止缺陷产生的阻气性膜(专利文献1)、通过使用以ZnO和SiO2作为主成分的靶进行溅射从而将ZnO-SiO2系那样的复合氧化物膜形成在膜基材上的简便的膜构成的阻气性膜(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-324406号公报专利文献2：日本特开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叠层体，其在基材的至少一侧具有A层，/n所述A层包含选自周期表的第IIA、IIIB、IVB、VB、IIB、IIIA和IVA族的元素中的至少2种元素、以及氧，/n所述A层表面的通过原子力显微镜即AFM算出的算术平均粗糙度Ra为5.0nm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181018 JP 2018-196503;20190305 JP 2019-0392651.一种叠层体，其在基材的至少一侧具有A层，
所述A层包含选自周期表的第IIA、IIIB、IVB、VB、IIB、IIIA和IVA族的元素中的至少2种元素、以及氧，
所述A层表面的通过原子力显微镜即AFM算出的算术平均粗糙度Ra为5.0nm以下。


2.一种叠层体，其在基材的至少一侧具有A层，
所述A层包含选自周期表的第IIA、IIIB、IVB、VB、IIB、IIIA和IVA族的元素中的至少2种元素、以及氧，
所述A层的通过正电子束法测定的平均寿命为0.935ns以下。


3.根据权利要求1或2所述的叠层体，所述A层包含：
选自镁、钙、钛、锆、锌和铝中的1种、以及
硅或锡或锗。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的叠层体，所述A层为非晶质膜。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的叠层体，所述A层的通过X射线光电子能谱测定的氧原子即O1s的峰的半峰宽为3.25eV以下。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：德永幸大，佐藤诚，上林浩行，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP