用于中点箝位型三电平结构的母排及拓扑结构制造技术

本发明专利技术提供一种用于中点箝位型三电平结构的母排，其包含：第一母排，其为对称结构，其上的安装孔皆以第一母排的中线为轴对称分布，用于连接第一半导体模块、第二半导体模块以及支撑电容，其中，第一半导体模块包含第一箝位二极管以及第一外管，第二半导体模块包含第二箝位二极管以及第二外管；第二母排，其为品字形平面对称结构，其上的安装孔皆以第二母排的中线为轴对称分布，用于连接第三半导体模块与第一半导体模块、第三半导体模块与第二半导体模块，其中，第三半导体模块包含第一内管以及第二内管。本发明专利技术采用双母排结构，使得电流路径在元件内部尽可能缩短，且母排结构对称，电流在母排上流动时产生的磁场能相互抵消以达到降低杂感的目的。

【技术实现步骤摘要】
用于中点箝位型三电平结构的母排及拓扑结构
本专利技术涉及变流器领域，具体地说，涉及一种用于中点箝位型三电平结构的母排及拓扑结构。
技术介绍
随着变流器对于功率等级的需求与日俱增，半导体器件的耐压能力和通流能力也受到了日益严峻的考验，其中，通流能力不足可以通过器件并联来解决，而耐压能力一般则主要还是依靠器件本身的特性，直到三电平结构的出现，使得将低电压等级器件应用于高压领域变得可行。I型三电平由于其结构特性可实现将低电压等级的半导体器件应用在高压领域，同时又能保证输出电压变化率较小、正弦度较高、谐波含量较低，因此三电平结构已经在变流器领域有了广泛的应用，但现有的三电平结构大多使用Primepack、Econodual封装的半导体器件作为变流器元件，母排多为一体排，不适用于其他封装结构，且变流器上通常都包含有吸收回路，使得模块的整体结构比较复杂。因此，本专利技术提供了一种用于中点箝位型三电平结构的母排及拓扑结构。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种用于中点箝位型三电平结构的母排，所述母排包含：...

【技术保护点】
1.一种用于中点箝位型三电平结构的母排，其特征在于，所述母排包含：/n第一母排，其为对称结构，其上的安装孔皆以所述第一母排的中线为轴对称分布，用于连接第一半导体模块、第二半导体模块以及支撑电容，其中，所述第一半导体模块包含第一箝位二极管以及第一外管，所述第二半导体模块包含第二箝位二极管以及第二外管；/n第二母排，其为品字形平面对称结构，其上的安装孔皆以所述第二母排的中线为轴对称分布，用于连接第三半导体模块与所述第一半导体模块、所述第三半导体模块与所述第二半导体模块，其中，所述第三半导体模块包含第一内管以及第二内管。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于中点箝位型三电平结构的母排，其特征在于，所述母排包含：
第一母排，其为对称结构，其上的安装孔皆以所述第一母排的中线为轴对称分布，用于连接第一半导体模块、第二半导体模块以及支撑电容，其中，所述第一半导体模块包含第一箝位二极管以及第一外管，所述第二半导体模块包含第二箝位二极管以及第二外管；
第二母排，其为品字形平面对称结构，其上的安装孔皆以所述第二母排的中线为轴对称分布，用于连接第三半导体模块与所述第一半导体模块、所述第三半导体模块与所述第二半导体模块，其中，所述第三半导体模块包含第一内管以及第二内管。


2.如权利要求1所述的母排，其特征在于，所述第一母排包含支撑电容安装孔以及第一部分外管安装孔，所述支撑电容安装孔所在平面与所述第一部分外管安装孔所在平面垂直。


3.如权利要求2所述的母排，其特征在于，所述支撑电容安装孔包含第一安装孔、第二安装孔、第三安装孔以及第四安装孔，用于连接所述支撑电容。


4.如权利要求2所述的母排，其特征在于，所述第一部分外管安装孔包含第五安装孔至第十二安装孔，其中，所述第五安装孔至所述第八安装孔用于连接所述第一半导体模块中的所述第一箝位二极管以及所述第一外管，所述第九安装孔至所述第十二安装孔用于连接所述第二半导体模块中的所述第二箝位二极管以及所述第二外管。


5.如权利要求1所述的母排，其特征在于，所述第二母排包含第二部分外管安装孔以及内管安装孔。


6.如权利要求5所述的母排，其特征在于，所述第二部分外管安...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓年，朱武，陈燕平，忻兰苑，杨涛，孙康康，余开庆，邵强，陈正文，
申请(专利权)人：中车株洲电力机车研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43