跨导参数的测试电路、测试方法和测试系统技术方案

本发明专利技术提供了一种跨导参数的测试电路、测试方法和测试系统，包括：电压源的第一端与待测压控器件的第一极连接，电压源的第二端接地；电流源的第一端和待测压控器件的第二极连接，电流源的第二端接地；积分单元分别与待测压控器件的第二极、第三极连接，且积分单元在第二极和第三极之间可形成负反馈；差分测量单元分别与待测压控器件的第二极、第三极连接，用于检测待测压控器件第二极和第三极之间的电压。本发明专利技术的测试电路中，待测压控器件的第二极和第三极之间连接有积分单元，该积分单元可形成负反馈，能够提高跨导参数测试的安全性，另外，积分单元的设置可对跨导参数测试中的第三极电压波形进行调试，具有很高的易用性。

【技术实现步骤摘要】
跨导参数的测试电路、测试方法和测试系统
本专利技术涉及半导体测试的
，尤其是涉及一种跨导参数的测试电路、测试方法和测试系统。
技术介绍
跨导(用Gfs标识)是电子元器件的一项属性，指的是输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值，对于压控型大功率器件，如金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，简称MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)等的封装测试来说，由于跨导表征了被测器件的放大属性，是硬件设计中需要参考的重要参数，因此也是十分重要的测试参数。以增强型N沟道大功率MOSFET封装测试时所测试的跨导参数为例，其测试要求为：在被测器件的D极和S极之间施加给定电压Vds和电流Ids，测量此时被测器件的G极和S极之间的电压Vgs。通过调节不同的Ids，获得不同的Vgs，计算出其差值ΔIds和ΔVgs，则被测器件跨导可以由以下公式得出：其对应的原理图如图1所示。图1所示的跨导参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种跨导参数的测试电路，其特征在于，包括：电压源、电流源、积分单元和差分测量单元；/n所述电压源的第一端与待测压控器件的第一极连接，所述电压源的第二端接地；/n所述电流源的第一端和所述待测压控器件的第二极连接，所述电流源的第二端接地；/n所述积分单元分别与所述待测压控器件的第二极、第三极连接，且所述积分单元在所述第二极和所述第三极之间可形成负反馈；/n所述差分测量单元分别与所述待测压控器件的第二极、第三极连接，用于检测所述待测压控器件第二极和第三极之间的电压；/n其中，所述第一极和所述第二极为所述待测压控器件的输出级，所述第三极为所述待测压控器件的输入极，且所述第三极和所述第二极之间的压差...

【技术特征摘要】
1.一种跨导参数的测试电路，其特征在于，包括：电压源、电流源、积分单元和差分测量单元；
所述电压源的第一端与待测压控器件的第一极连接，所述电压源的第二端接地；
所述电流源的第一端和所述待测压控器件的第二极连接，所述电流源的第二端接地；
所述积分单元分别与所述待测压控器件的第二极、第三极连接，且所述积分单元在所述第二极和所述第三极之间可形成负反馈；
所述差分测量单元分别与所述待测压控器件的第二极、第三极连接，用于检测所述待测压控器件第二极和第三极之间的电压；
其中，所述第一极和所述第二极为所述待测压控器件的输出级，所述第三极为所述待测压控器件的输入极，且所述第三极和所述第二极之间的压差能够决定所述第一极和所述第二极之间的输出特性。


2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述积分单元包括：电压跟随器和反相积分器。


3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，所述电压跟随器的正相输入端与所述待测压控器件的第二极连接，所述电压跟随器的输出端与所述反相积分器的反相输入端连接，所述反相积分器的输出端与所述待测压控器件的第三极连接。


4.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述待测压控器件包括以下任一种：金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管。


5.根据权利要求4所述的测试电路，其特征在于，当所述待测压控器件为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时，所述待测压控器件的第一极为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极，所述待测压控器件的第二极为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极，所述待测压控器件的第三极为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极；
当所述待测压控器件为所述绝缘栅双极型晶体管时，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡江，耿霄雄，钟锋浩，
申请(专利权)人：杭州长川科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33