显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开为了透过率提高的显示装置而提供显示装置的制造方法，包括：准备包括像素区域和透过区域的基板的步骤；在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤；在所述像素区域的所述多个绝缘层上形成像素电极以及在所述像素电极上形成使所述像素电极的至少一部分暴露的像素定义膜的步骤；在所述像素区域的所述像素定义膜、通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极以及所述透过区域的所述多个绝缘层上形成金属层的步骤；去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的所述金属层的步骤；以及去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
本公开涉及显示装置及其制造方法，更加详细地涉及产品的可靠性提高的显示装置及其制造方法。
技术介绍
近期，显示装置的用途变得多样。显示装置的厚度变薄、重量变轻，从而成为其使用范围变广的趋势。例如，显示装置可以用作手机等之类的小型产品的显示部，还可以用作电视机等之类的大型产品的显示部，尤其，通过应用到汽车的HUD(平视显示器；headupdisplay)或者AI用电子装置等多种方式来使用。这种显示装置根据活用方法，还要求具有使光透过的性质的透明显示装置。
技术实现思路
然而，在现有的显示装置中，因配置在透过区域上的多个绝缘层而难以将透过率增加一定以上，当去除配置在透过区域上的多个绝缘层时，存在形成像素区域的平坦化层的有机物质流失的问题。本公开用于解决包括如上所述问题在内的诸多问题，其目的在于，提供一种防止有机物质的流失的同时具有高透过率的显示装置。然而，该课题属于示例，并不由此限定本公开的范围。根据本公开的一观点，提供一种显示装置的制造方法，包括：准备包括像素区域和透过区域的基板的步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置的制造方法，其中，包括：/n准备包括像素区域和透过区域的基板的步骤；/n在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤；/n在所述像素区域的所述多个绝缘层上形成像素电极以及在所述像素电极上形成使所述像素电极的至少一部分暴露的像素定义膜的步骤；/n在所述像素区域的所述像素定义膜、通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极以及所述透过区域的所述多个绝缘层上形成金属层的步骤；/n去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的所述金属层的步骤；以及/n去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。/n

【技术特征摘要】
20191121 KR 10-2019-01504931.一种显示装置的制造方法，其中，包括：
准备包括像素区域和透过区域的基板的步骤；
在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤；
在所述像素区域的所述多个绝缘层上形成像素电极以及在所述像素电极上形成使所述像素电极的至少一部分暴露的像素定义膜的步骤；
在所述像素区域的所述像素定义膜、通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极以及所述透过区域的所述多个绝缘层上形成金属层的步骤；
去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的所述金属层的步骤；以及
去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。


2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，还包括：
去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤。


3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在形成所述金属层的步骤中，
所述金属层形成为400埃至1200埃的厚度。


4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，
所述金属层包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化锌铝中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤包括：
在所述像素区域的所述金属层上将感光性物质进行图案化的步骤；
去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤；以及
在所述像素区域的所述金属层上去除图案化的所述感光性物质的步骤。


6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤为通过湿式蚀刻工艺去除所述透过区域的所述金属层的步骤。


7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤为通过干式蚀刻工艺去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。


8.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，
去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤为通过湿式蚀刻工艺去除所述金属层的步骤。


9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤包括：
在所述像素区域和所述透过区域上形成缓冲层的步骤；
在所述像素区域的所述缓冲层上形成遮光层的步骤；
在所述像素区域的所述遮光层和所述透过区域的所述缓冲层上形成第一绝缘层的步骤；
在所述像素区域的所述第一绝缘层上形成半导体层的步骤；
在所述像素区域的所述半导体层和所述透过区域的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层的步骤；
在所述像素区域的所述第二绝缘层上形成第一导电层的步骤；
在所述像素区域的所述第一导电层和所述透过区域的所述第二绝缘层上形成第三绝缘层的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗璨，金基范，宋明勋，李政炫，张常希，郑雄喜，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR