液晶组合物、高频组件及微波天线阵列制造技术

本发明专利技术涉及液晶组合物，包含该液晶组合物的高频组件、微波天线阵列，属于液晶天线领域。本发明专利技术的液晶组合物包含一种或多种选自式ⅠA所示化合物、式ⅠB所示化合物组成的组中的化合物，以及一种或多种选自式Ⅱ所示的化合物、式Ⅲ所示的化合物、式Ⅳ所示的化合物组成的组中的化合物。本发明专利技术的液晶组合物具有良好的低温互溶性。

【技术实现步骤摘要】
液晶组合物、高频组件及微波天线阵列
本专利技术属于液晶天线
，更具体地，涉及液晶组合物，以及包含有该液晶组合物的高频组件及微波天线阵列。
技术介绍
近年来，具有低介电损耗和高介电调谐率的液晶材料在滤波器、可调频率选择表面、移相器、相控阵雷达、5G通信网路等液晶微波器件技术中的应用备受关注。而作为微波器件核心的调谐材料，液晶材料的介电调谐率决定微波器件的调谐能力。对液晶材料而言，其介电调谐率(τ)由液晶材料在微波下的介电各向异性(Δε)及分子平行方向的介电常数(ε∥)所决定：τ＝Δε/ε∥液晶材料的介电损耗是影响其微波器件插入损耗的一个重要因素。为了获得高品质的液晶微波器件，必须降低液晶材料的介电损耗。对于液晶材料，损耗角正切随着液晶分子指向随电场指向的不同而不同，即液晶分子长轴与短轴方向的损耗不同，在计算液晶材料损耗时，一般采用其损耗最大值max(tanδ∥,tanδ⊥)作为液晶材料的损耗。为了综合评价液晶材料在微波下的性能参数，引入品质因子(η)参数：η＝τ/max(tanδ∥,tanδ⊥)即液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶组合物，其特征在于，其包含：/n一种或多种选自式ⅠA所示化合物、式ⅠB所示化合物组成的组中的化合物，以及一种或多种选自式Ⅱ所示的化合物、式Ⅲ所示的化合物、式Ⅳ所示的化合物组成的组中的化合物；/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶组合物，其特征在于，其包含：
一种或多种选自式ⅠA所示化合物、式ⅠB所示化合物组成的组中的化合物，以及一种或多种选自式Ⅱ所示的化合物、式Ⅲ所示的化合物、式Ⅳ所示的化合物组成的组中的化合物；



式ⅠA中，R1表示碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为2-10的链烯基或碳原子数为3-8的链烯氧基，且R1所示基团中任意一个或多个-CH2-任选被亚环戊基、亚环丁基或亚环丙基替代；R2表示F、CF3或者OCF3；

各自独立的表示
m表示1、2或3；n表示0或1；
式ⅠB中，R3表示碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为2-10的链烯基或碳原子数为3-8的链烯氧基，且R3所示基团中任意一个或多个-CH2-任选被亚环戊基、亚环丁基或亚环丙基替代；R4表示F、CF3或者OCF3；

各自独立的表示
p表示1、2或3；q表示0或1；
式Ⅱ中，R5表示H、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为2-10的链烯基或碳原子数为3-8的链烯氧基；
n1表示0或1；

各自独立的表示且还表示
式Ⅲ中，R6表示H、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为2-10的链烯基或碳原子数为3-8的链烯氧基，
Z1表示-CH＝CH-、-C≡C-或-CF＝CF-，

各自独立的表示
式Ⅳ中，R7表示H、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为2-10的链烯基或碳原子数为3-8的链烯氧基，
Z2、Z3中一个表示-CH＝CH-、-C≡C-或-CF＝CF-，另一个独立地表示-CH＝CH-、-CF＝CF-或单键，

各自独立的表示且还表示


2.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述式ⅠA所示化合物选自式ⅠA1至式ⅠA10所示化合物组成的组，






式ⅠA1至式ⅠA10中，R1各自独立地表示碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为2-10的链烯基或碳原子数为3-8的链烯氧基；且R1所示基团中任意一个或多个-CH2-任选被亚环戊基、亚环丁基或亚环丙基替代。


3.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述式ⅠB所示化合物选自式ⅠB1至式ⅠB10所示化合物组成的组，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳明，梁志安，员国良，康素敏，李洪峰，张璇，刘露露，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13