一种玉米种植方法技术

本发明专利技术公开了一种玉米种植方法，挑选玉米种植地，然后对挑选的玉米种植地进行深耕整地；每亩地使用氮、磷、钾肥均匀铺洒作为底肥，施肥完成后让肥料在田地内风干；在肥料风干与土壤融合后再次深耕土壤，耕地完成后进行整平工作，起垄将土壤垄成W型的宽垄面；对玉米种子进行预处理，然后种植，进行浇水、施肥，得到玉米苗；当玉米苗生长到5～7cm时，进行一次捡苗，把生长弱小、徒长的玉米苗移除，并且一周后施加肥料，以提高幼苗的生长能力，同时日常做好除草工作；玉米苗生长到40～60cm时进行一次正位，以防止玉米出现倒伏等现象，以提高玉米的产量；玉米进入成熟后在早晨和傍晚对玉米进行收割。使玉米籽粒饱满、活杆成熟，以达到增产增收的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种玉米种植方法
本专利技术属于生物农业
，具体涉及一种玉米种植方法。
技术介绍
现有的玉米种植方式通过单穴的玉米苗的种植数量来提高玉米收成，实际上采取此种方式得不偿失，对提高玉米单位面积之产量的帮助而言收效甚微，且会使玉米出现生长棒小、秃尖、早衰等现象的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种玉米种植方法，能减少玉米秃尖，并且提高对化肥的利用率。本专利技术采用以下技术方案：一种玉米种植方法，包括以下步骤：S1、挑选玉米种植地，然后对挑选的玉米种植地进行深耕整地；S2、每亩地按质量比1：0.49：0.9使用氮、磷、钾肥均匀铺洒作为底肥，施肥完成后让肥料在田地内风干；S3、在肥料风干与土壤融合后再次深耕土壤，耕地的深度为28～33cm，耕地完成后进行整平工作，起垄将土壤垄成W型的宽垄面；S4、对玉米种子进行预处理，然后种植，进行浇水、施肥，得到玉米苗；S5、当玉米苗生长到5～7cm时，进行一次捡苗，把生长弱小、徒长的玉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玉米种植方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、挑选玉米种植地，然后对挑选的玉米种植地进行深耕整地；/nS2、每亩地按质量比1：0.49：0.9使用氮、磷、钾肥均匀铺洒作为底肥，施肥完成后让肥料在田地内风干；/nS3、在肥料风干与土壤融合后再次深耕土壤，耕地的深度为28～33cm，耕地完成后进行整平工作，起垄将土壤垄成W型的宽垄面；/nS4、对玉米种子进行预处理，然后种植，进行浇水、施肥，得到玉米苗；/nS5、当玉米苗生长到5～7cm时，进行一次捡苗，把生长弱小、徒长的玉米苗移除，并且一周后施加肥料，以提高幼苗的生长能力，同时日常做好除草工作；/nS6、玉米苗生长到40～60cm时进...

【技术特征摘要】
1.一种玉米种植方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、挑选玉米种植地，然后对挑选的玉米种植地进行深耕整地；
S2、每亩地按质量比1：0.49：0.9使用氮、磷、钾肥均匀铺洒作为底肥，施肥完成后让肥料在田地内风干；
S3、在肥料风干与土壤融合后再次深耕土壤，耕地的深度为28～33cm，耕地完成后进行整平工作，起垄将土壤垄成W型的宽垄面；
S4、对玉米种子进行预处理，然后种植，进行浇水、施肥，得到玉米苗；
S5、当玉米苗生长到5～7cm时，进行一次捡苗，把生长弱小、徒长的玉米苗移除，并且一周后施加肥料，以提高幼苗的生长能力，同时日常做好除草工作；
S6、玉米苗生长到40～60cm时进行一次正位，以防止玉米出现倒伏等现象，以提高玉米的产量；
S7、玉米进入成熟后在早晨和傍晚对玉米进行收割。


2.根据权利要求1所述的玉米种植方法，其特征在于，步骤S3中，耕地的深度为28～33cm，W型宽垄面的尺寸为80*30cm。


3.根据权利要求2所述的玉米种植方法，其特征在于，每条垄上种植两行玉米，且行距均为30cm、垄与垄之间的间距为80cm，并且大穴四株为20cm，远距为60cm。


4.根据权利要求1所述的玉米种植方法，其特征在于，步骤S4中，预处理具体为：
S401、先将玉米种子放到温水中进行浸泡，水温控制在30～40℃，浸泡1～2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王富刚，王小林，张静，南文智，
申请(专利权)人：榆林学院，
类型：发明
国别省市：陕西;61