【技术实现步骤摘要】
一种烤胶高温用晶园置片架
[0001]本技术涉及一种置片架,具体的说是涉及一种烤胶高温用晶园置片架。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,现有技术中,对石英加热一般采取平放或者是采用铁架的形式来完成。但是使用铁架对预固化晶园进行高温加热的时候,晶园边缘极易在高温时碎裂,如果采用的是平放方式,不仅加热不均而且烘箱空间的使用效率也非常低。
技术实现思路
[0003]为了解决上述问题,本技术提供了一种烤胶高温用晶园置片架,该置片架不仅解决了晶圆容易破碎的问题而且还使得晶圆加热均匀。
[0004]为了达到上述目的,本技术是通过以下技术方案实现的:
[0005]本技术是一种烤胶高温用晶园置片架,包括左侧固定板和右侧固定板,在左侧固定板的上端设置有对称的两组且每组数个第一横向钻孔,在左侧固定板的下端设置有对称的两组且每组有数个第一竖向钻孔,在右侧固定板的上端设置有对称的两组且每组数个第二横向钻孔,在右侧固定板的下端设置有对称的两组且每组有数个第二竖向钻孔,穿过其 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种烤胶高温用晶园置片架,包括左侧固定板(1)和右侧固定板(2),其特征在于:在所述左侧固定板(1)的上端设置有对称的两组且每组数个第一横向钻孔(5),在所述左侧固定板(1)的下端设置有对称的两组且每组有数个第一竖向钻孔(6),在所述右侧固定板(2)的上端设置有对称的两组且每组数个第二横向钻孔(7),在所述右侧固定板(2)的下端设置有对称的两组且每组有数个第二竖向钻孔(8),穿过其中一组所述第一横向钻孔(5)和所述第二横向钻孔(7)设置第一上支撑杆(9),穿过另外一组所述第一横向钻孔(5)和所述第二横向钻孔(7)设置第二上支撑杆(10),所述其中一组所述第一竖向钻孔(6)和所述第二竖向钻孔(8)设置第一下支撑杆(11),穿过另外一组所述第一竖向钻孔(6)和所述第二竖向钻孔(8)设置第二下支撑杆(12),所述第一上支撑杆(9)、所述第二上支撑杆(10)、所述第一下支撑杆(11)和所述第二下支撑杆(12)上均设...
【专利技术属性】
技术研发人员:翟继鑫,
申请(专利权)人:无锡市芯飞通光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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