一种微波吸收材料反射率的测量方法技术

技术编号:2852092 阅读:559 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种微波吸收材料反射率测量的简单方法。该方法是以可以直接或间接测量微波器件S参数的网络分析仪及与之相匹配的测试电缆和转换接头、同轴空气线与金属短路器为测量系统,对加工成端面和轴线垂直且尺寸与同轴空气线相匹配的同心环状的微波吸收材料样品进行反射率测量,本发明专利技术提供的测量方法操作简单,测量所需条件较低,不需要微波暗室等实验条件,也无需较昂贵的测试附件,测试结果与理论计算较吻合,而且在实验室条件下就可以不受外界电磁波的干扰进行吸波材料反射率的测量,无需制备大面积平板吸波材料,避免了在厚度均匀性控制上存在的较大误差,该方法能使更多的科研人员对吸波材料的反射率进行测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波吸收材料和电磁屏蔽材料研究领域,公开了一种微波吸收材料反射率测量的简单方法。
技术介绍
雷达吸波材料(Radar Absorbing Material,RAM)可以有效地衰减电磁波能量、消除或减弱电磁干扰和减小各种目标的雷达散射截面,而在隐身技术中具有重要的地位。在研究和应用吸波材料的过程中,需要了解吸波材料的吸波性能,表征吸波材料应用特性的参数是材料对电磁波的反射率,准确、方便地测量吸波材料的反射率就显得格外重要。国外平板RAM反射率的测量,最初是为了测量用于微波无反射暗室的吸波材料,后来用于测量减缩目标雷达截面的RAM。RAM反射率测量基本原理[5,6]在给定波长和极化的条件下,电磁波从同一方向,以同一功率密度入射到雷达吸波材料平面和良导体平面,雷达吸波材料平面与同尺寸良导体平面二者镜面方向反射功率之比为雷达吸波材料的反射率。Γ(f)=Pa(f)/Pm(f)(1)式中f-电磁波的频率;Γ(f)-RAM的反射率;Pa(f)-RAM样板的反射功率;Pm(f)-良导体平面的反射功率。在实际测量中,通常并不是测量绝对反射率功率,而是分别测量良导体平面和RAM样板的反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波吸收材料反射率的测量方法,其特征是包括以下步骤:a、选取一台可以直接或间接测量微波器件S参数的网络分析仪及与之相匹配的测试电缆和转换接头、同轴空气线与金属短路器后备用;b、将微波吸收材料制作成其端面和轴线垂直且尺寸与同轴空气线相匹配的同心环状样品;c、将上述测试电缆、转换接头与网络分析仪进行装配,确定仪器测量参数并对它们三者构成的测试系统进行测量校准;d、将校准后的测试系统与同轴空气线和金属短路器装配,测量未包含样品的同轴空气线和金属短路器构成的待测组合器件的反射系数S↓[11m](f)或反射系数S↓[11m](f)的对数值20×1g|S↓[11m](f)|;e、将校准后的测试系统、步...

【技术特征摘要】
1.一种微波吸收材料反射率的测量方法,其特征是包括以下步骤a、选取一台可以直接或间接测量微波器件S参数的网络分析仪及与之相匹配的测试电缆和转换接头、同轴空气线与金属短路器后备用;b、将微波吸收材料制作成其端面和轴线垂直且尺寸与同轴空气线相匹配的同心环状样品;c、将上述测试电缆、转换接头与网络分析仪进行装配,确定仪器测量参数并对它们三者构成的测试系统进行测量校准;d、将校准后的测试系统与同轴空气线和金属短路器装配,测量未包含样品的同轴空气线和金属短路器构成的待测组合器件的反射系数S11m(f)或反射系数S11m(f)的对数值20×1g|S11m(f)|;e、将校准后的测试系统、步骤b中制得的同心环状样品、同轴空气线和金属短路器装配,测量同心环状样品、同轴空气线和金属短路器构成的待测组合器件的反射系数S11a(f)或反射系数S11a(f)的对数值201g|S11a(f)|;f、将反射系数S11m(f)与反射系数S11a(f)代入公式Γ(f)=|S11a(f)|2/|S11m(f)|2计算后得到微波吸收材料反射率的线性值Γ(f),将该线性值代入公式ΓdB(f)=10×1g(Γ(f))计算后得到该微波吸收材料反射率的分贝值ΓdB(f);或者将反射系数S11m(f)的对数值20×1g|S11m(f)|与反射系数S11a(f)的对数值20×1g|S11a(f)|代入公式ΓdB(f)=20×1g|S11a(...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯永宝丘泰沈春英李晓云杨建
申请(专利权)人:南京工业大学
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利