【技术实现步骤摘要】
一种散热装置
[0001]本技术涉及散热
，特别是涉及一种用于电子器件的散热装置。
技术介绍
[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
[0003]IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗会导致温度升高。为保证IGBT 器件的可靠运行，通常会在IGBT器件上连接散热器以加大散热面积，实现发热与散热的热平衡，保证IGBT器件的结温在允许的范围内。然而，散热器是利用空气的自然对流及辐射作用将热量带走，散热器的热交换效率较低，对于一些功率较大的IGBT器件难以达到理想的散热效果。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，提供一种简单、高效的散热装置。
[0005]本技术提供一种散热装置，用于电子器件的散热，所述散热装置包括基板、散热片以及连接所述基板与所述散热片的换热件，所述基板包括相对的吸热面与散热面，所述吸热面用于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种散热装置，用于电子器件的散热，其特征在于：所述散热装置包括基板、散热片以及连接所述基板与所述散热片的换热件，所述基板包括相对的吸热面与散热面，所述吸热面用于与电子器件连接以吸收电子产品产生的热量；所述基板内形成有空腔，所述空腔内承载有相变工质，所述换热件连接于所述基板的散热面上并与所述基板的空腔相连通，所述散热片设于所述散热面上并与所述换热件的外壁面连接，所述相变工质在所述基板的空腔内吸热汽化并沿所述换热件流动、在所述换热件内放热冷凝并回流至所述基板的空腔内。2.如权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述换热件为L形管状结构，包括折弯连接第一段与第二段，所述第一段远离第二段的一端开口、第二段远离第一段的一端封闭；所述基板的散热面形成有贯穿的插接孔与所述第一段远离第二段的一端相插接，所述散热片形成有贯穿的连接孔与所述换热件的第二段相插接。3.如权利要求2所述的散热装置，其特征在于，所述基板为方形板状结构，还包括在第一方向上相对的第一侧面、第二侧面以及在第二方向上相对的第三侧面、第四侧面；在所述第二方向上，所述插接孔偏离所述基板的中央、相对地靠近所述第三侧面而远离所述第四侧面；所述换热件的第一段由所述基板的散热面朝向所述第三侧面所在的一侧倾斜延伸。4.如权利要求3所述的散热装置，其特征在于，所述换热件具有多个且成对设置，各对换热件沿所述第二方向排布，每一对换热件的两个第一段彼此靠近、两个第二段彼此背离并分别由相应的第一段朝向所述基板的第一侧面、第二侧面延伸。5.如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁耿林，陈乔龙，
申请(专利权)人：广东英维克技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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