半导体制冷片驱动电路及半导体制冷器制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体制冷片驱动电路及半导体制冷器，在第一使能控制信号的控制下，通过第一电压转换单元与第一驱动单元配合工作，实现半导体制冷片的制冷，在第二使能控制信号的控制下，通过第二电压转换单元与第二驱动单元配合工作，实现半导体制冷片的制热，再结合调节电压的调节控制，实现制冷功率或者制热功率的调节控制；从设计原理上将制冷和制热的驱动电路分割开来，单独制冷或制热时，只有一个电压转换单元与一个驱动单元配合工作，控制简单且驱动效率高，有效避免了双通道DC

【技术实现步骤摘要】
半导体制冷片驱动电路及半导体制冷器


[0001]本技术涉及半导体制冷
，特别是涉及一种半导体制冷片驱动电路及半导体制冷器。

技术介绍

[0002]半导体制冷器具有无噪声、无振动、不需制冷剂、体积小、重量轻等特点，且工作可靠，操作简便，易于进行冷量调节。但它的制冷系数较小，电耗量相对较大，故它主要用于耗冷量小和占地空间小的场合，如电子设备和无线电通信设备中某些元件的冷却。
[0003]目前，半导体制冷片(TEC)的驱动电路有多种形式：采用线性驱动，但是线性稳压电源总会有纹波，同时它的效率非常低，需要大体积的元件并且还要做好热隔离防止调整管发出的热量加载到制冷器上；采用PWM驱动方式的专用TEC驱动芯片，如MAX1968、DRV593 等，但专用芯片价格太贵、交货周期长；采用双通道DC
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DC转换芯片进行驱动，但DC
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DC 转换芯片吸收电流能力只有输出电流一半，驱动能力实际只有一半，功率太低；采用单通道 DC
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DC转换电路搭配桥式电路进行驱动，但是对应驱动电路复杂，所需元器件数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷片驱动电路，其特征在于，包括：第一电压转换单元，其输入端接供电电压，输出端接所述半导体制冷片的正极；第一驱动单元，其一端接地，另一端接所述半导体制冷片的负极；第二电压转换单元，其输入端接所述供电电压，输出端接所述半导体制冷片的负极；第二驱动单元，其一端接地，另一端接所述半导体制冷片的正极；其中，所述第一电压转换单元及所述第一驱动单元还分别接第一使能控制信号，所述第二电压转换单元及所述第二驱动单元还分别接第二使能控制信号。2.根据权利要求1所述的半导体制冷片驱动电路，其特征在于，所述半导体制冷片驱动电路还包括电压调节单元，所述电压调节单元分别与所述第一电压转换单元及所述第二电压转换单元连接。3.根据权利要求2所述的半导体制冷片驱动电路，其特征在于，所述第一电压转换单元为BUCK电路，所述第一电压转换单元包括第一电压转换芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第一电阻及第二电阻；所述第一电压转换芯片的电压输入端接所述供电电压，所述第一电压转换芯片的使能输入端接所述第一使能控制信号，所述第一电压转换芯片的地端接地，所述第一电压转换芯片的电压输出端经依次串接的所述第一电感、所述第一电阻及所述第二电阻后接地，所述第一电压转换芯片的自举输入端经串联的所述第一电容后接所述第一电压转换芯片的电压输出端，所述第一电压转换芯片的反馈输入端接所述第一电阻与所述第二电阻的公共端；所述第二电容的一端接地，所述第二电容的另一端接所述第一电压转换芯片的电压输入端，所述第三电容的一端接地，所述第三电容的另一端接所述第一电感与所述第一电阻的公共端；其中，所述第一电压转换芯片的电压输入端为所述第一电压转换单元的输入端，所述第一电感与所述第一电阻的公共端为所述第一电压转换单元的输出端。4.根据权利要求3所述的半导体制冷片驱动电路，其特征在于，所述第一驱动单元包括第一NMOS管及第三电阻，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极接所述半导体制冷片的负极，所述第一NMOS管的栅极接所述第一使能控制信号，所述第三电阻串接在所述第一NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的源极之间。5.根据权利要求4所述的半导体制冷片驱动电路，其特征在于，所述第二电压转换单元为BUCK电路，所述第二电压转换单元包括第二电压转换芯片、第四电容、第五电容、第六电容、第二电感、第四电阻及第五电阻；所述第二电压转换芯片的电压输入端接所述供电电压，所述第二电压转换芯片的使能输入端接所述第二使能控制信号，所述第二电压转换芯片的地端接地，所述第二电压转换芯片的电压输出端经依次串接的所述第二电感、所述第四电阻及所述第五电阻后接地，所述第二电压转换芯片的自举输入端经串联的所述第四电容后接所述第二电压转换芯片的电压输出端，所述第二电压转换芯片的反馈输入端接所述第四电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱亚中，田贵明，秦海迪，
申请(专利权)人：重庆紫光华山智安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：