一种电容自放电线路制造技术

本发明专利技术提供一种电容自放电线路，一种利用MOS管控制电容自放电电路，能在电容充电电源断开后自动放电，有损耗低发热量低、安全工作区域宽、反应时间快、受温度及辐射影响小的特点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种电容自放电线路


[0001]本专利技术提供一种电容自放电线路，一种利用MOS管控制电容自放电电路，有损耗低发热量低、安全工作区域宽、反应时间快、受温度及辐射影响小的特点。

技术介绍

[0002]本专利技术提供一种电容自放电线路，电容充电后需要进行放电，目前多采用在电容两端并联电阻进行放电，这样在电容两端如果电阻过大则放电时间较长，如果电阻过小则损耗过大，当长时间对电容供电时，消耗的能量更多，采用继电器对电容放电时成本过高，采用三极管自动对电容放电时候，三极管的安全工作区域太窄，承受温度低，本专利技术提供一种有MOS管控制的电容自放电电路克服上述缺点。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种由MOS管控制的电容自放电电路，对电容充电时，MOS管的漏极与源极不导通，充电过程不消耗能量，电容放电时候MOS管的漏极与源极导通，电容通过负载放电。主要包括电容充电正极线；电容充电负极线；低电阻；MOS管；MOS管源极；MOS管漏极；MOS管栅极；放电电阻；高电阻；电容正极接线端；电容负极接线端；电容；二极管，电容充电正极线接电容正极接线端，电容充电负极线通过二极管接电容负极接线端，接在电容充电正极线与电容充电负极线上的电源通过二极管能对电容充电，MOS管栅极通过低电阻接电容充电负极线，MOS管栅极通过高电阻接电容正极接线端，高电阻的电阻比低电阻的电阻大，MOS管漏极通过放电电阻接电容正极接线端，MOS管源极接电容负极接线端，当接在电容充电正极线与电容充电负极线上的电源对电容充电时，因为高电阻的电阻比低电阻的电阻大，MOS管栅极相当于接电容充电负极线，MOS管的MOS管漏极与MOS管源极不导通，既给电容充电时候，放电电阻上没有电流通过不消耗能量，不产生热量，当接在电容充电正极线与电容充电负极线上的电源断开时，电容对外放电，电容正极接线端上的电流通过高电阻流向MOS管栅极，由于二极管的反向截止功能，MOS管栅极上电流不能通过电容充电负极线流向电容负极接线端，此时MOS管的MOS管漏极与MOS管源极导通，放电电阻上有电流通过，同时电容放电时候不会影响到电容充电正极线与电容充电负极线上的其他负载，电容上储存的电能在放电电阻上消耗掉，为下次充电做准备，由于MOS管触发电压很小，所以高电阻上的电阻阻值能达到很大，在电容充放电过程中，高电阻所消耗的电能极其微小，发热很小，整个电路接在电容充电正极线与电容充电负极线上的电源通电时候放电电阻上没有电流通过，接在电容充电正极线与电容充电负极线上的电源断开时候放电电阻上有电容放电的电流通过，电容放电时间由电容上的电容量与放电电阻的阻值有关，采用MOS管比采用三极管的电路安全工作区域宽、受温度及辐射影响小。
[0004]MOS管漏极通过放电电阻接电容正极接线端或MOS管源极通过放电电阻接电容负极接线端。
[0005]MOS管采用PMOS管时，MOS管源极接电容正极接线端，MOS管漏极接电容负极接线
端。
[0006]MOS管换成晶闸管能起到相同作用。
[0007]电容充电正极线；电容充电负极线；低电阻；MOS管；MOS管源极；MOS管漏极；MOS管栅极；放电电阻；高电阻；电容正极接线端；电容负极接线端；电容；二极管集成在一起构成自放电电容。
[0008]低电阻阻值在零欧姆到一千万兆欧姆之间。
附图说明
[0009]在为了更清楚地说明本专利技术具体实施方案，下面将对方案具体的附图加以说明。
[0010]图1是本专利技术的剖面结构主视图。
[0011]图中：电容充电正极线1；电容充电负极线2；低电阻3；MOS管4；MOS管源极5；MOS管漏极6；MOS管栅极7；放电电阻8；高电阻9；电容正极接线端10；电容负极接线端11；电容12；二极管13。
具体实施方式
[0012]下面结合附图对本专利技术作进一步描述：电容充电正极线1接电容正极接线端10，电容充电负极线2通过二极管13接电容负极接线端11，接在电容充电正极线1与电容充电负极线2上的电源通过二极管13能对电容12充电，MOS管栅极7通过低电阻3接电容充电负极线2，MOS管栅极7通过高电阻9接电容正极接线端10，高电阻9的电阻比低电阻3的电阻大，MOS管漏极6通过放电电阻8接电容正极接线端10，MOS管源极5接电容负极接线端11，当接在电容充电正极线1与电容充电负极线2上的电源对电容12充电时，因为高电阻9的电阻比低电阻3的电阻大，MOS管栅极7相当于接电容充电负极线2，MOS管4的MOS管漏极6与MOS管源极5不导通，既给电容12充电时候，放电电阻8上没有电流通过不消耗能量，不产生热量，当接在电容充电正极线1与电容充电负极线2上的电源断开时，电容12对外放电，电容正极接线端10上的电流通过高电阻9流向MOS管栅极7，由于二极管13的反向截止功能，MOS管栅极7上电流不能通过电容充电负极线2流向电容负极接线端11，此时MOS管4的MOS管漏极6与MOS管源极5导通，放电电阻8上有电流通过，同时电容12放电时候不会影响到电容充电正极线1与电容充电负极线2上的其他负载，电容12上储存的电能在放电电阻8上消耗掉，为下次充电做准备，由于MOS管触发电压很小，所以高电阻9上的电阻阻值能达到很大，在电容12充放电过程中，高电阻9所消耗的电能极其微小，发热很小，整个电路接在电容充电正极线1与电容充电负极线2上的电源通电时候放电电阻8上没有电流通过，接在电容充电正极线1与电容充电负极线2上的电源断开时候放电电阻8上有电容12放电的电流通过，电容12放电时间由电容12上的电容量与放电电阻8的阻值有关，采用MOS管比采用三极管的电路安全工作区域宽、受温度及辐射影响小。
[0013]MOS管漏极6通过放电电阻8接电容正极接线端10或MOS管源极5通过放电电阻8接电容负极接线端11。
[0014]MOS管采用PMOS管时，MOS管源极接电容正极接线端10，MOS管漏极接电容负极接线端11。
[0015]MOS管4换成晶闸管能起到相同作用。
[0016]电容充电正极线1；电容充电负极线2；低电阻3；MOS管4；MOS管源极5；MOS管漏极6；MOS管栅极7；放电电阻8；高电阻9；电容正极接线端10；电容负极接线端11；电容12；二极管13集成在一起构成自放电电容。
[0017]低电阻(3)阻值在零欧姆到一千万兆欧姆之间。
[0018]以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容自放电线路，其主要包括：电容充电正极线(1)；电容充电负极线(2)；低电阻(3)；MOS管(4)；MOS管源极(5)；MOS管漏极(6)；MOS管栅极(7)；放电电阻(8)；高电阻(9)；电容正极接线端(10)；电容负极接线端(11)；电容(12)；二极管(13)，其特征在于：电容充电正极线(1)接电容正极接线端(10)，电容充电负极线(2)通过二极管(13)接电容负极接线端(11)，接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源通过二极管(13)能对电容(12)充电，MOS管栅极(7)通过低电阻(3)接电容充电负极线(2)，MOS管栅极(7)通过高电阻(9)接电容正极接线端(10)，高电阻(9)的电阻比低电阻(3)的电阻大，MOS管漏极(6)通过放电电阻(8)接电容正极接线端(10)，MOS管源极(5)接电容负极接线端(11)，当接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源对电容(12)充电时，因为高电阻(9)的电阻比低电阻(3)的电阻大，MOS管栅极(7)相当于接电容充电负极线(2)，MOS管(4)的MOS管漏极(6)与MOS管源极(5)不导通，既给电容(12)充电时候，放电电阻(8)上没有电流通过不消耗能量，不产生热量，当接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源断开时，电容(12)对外放电，电容正极接线端(10)上的电流通过高电阻(9)流向MOS管栅极(7)，由于二极管(13)的反向截止功能，MOS管栅极(7)上电流不能通过电容充电负极线(2)流向电容负极接线端(11)，此时MOS管(4)的MOS管漏极(6)与MOS管源极(5)导通，放电电阻(8)上有电流通过，同时电容(12)放电时候不会影响到电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁世冬，
申请(专利权)人：梁世冬，
类型：发明
国别省市：