测量硅抛光片表面铁含量的方法技术

本发明专利技术涉及一种测量硅抛光片表面铁含量的方法，所属硅抛光片金属含量检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用SPV法测出硅抛光片体铁含量，记为B1。第二步：把硅抛光片放入退火炉在高纯氩气保护下，在高温下加热10～20分钟，使硅抛光片表面的铁驱入硅片体内。第三步：再次使用SPV法测出硅抛光片体铁含量，记为B2。第四步：利用SPV法测量高温前后两次体铁含量算式算出硅片表面铁含量，硅片表面铁含量=0.5

【技术实现步骤摘要】
测量硅抛光片表面铁含量的方法


[0001]本专利技术涉及硅抛光片金属含量检测
，具体涉及一种测量硅抛光片表面铁含量的方法。

技术介绍

[0002]现有硅抛光片测量表面铁含量的办法通常是从硅片表面剥离铁原子，再对剥离出的铁使用ICP
‑
MS或AAS等方法进行分析从而计算出表面金属含量。
[0003]ICP
‑
MS是20世纪80年代发展起来的无机元素和同位素分析测试技术，它以独特的接口技术将电感耦合等离子体的高温电离特性与质谱计的灵敏快速扫描的优点相结合而形成一种高灵敏度的分析技术。
[0004]AAS即原子吸收光谱法，又称原子分光光度法，是基于待测元素的基态原子蒸汽对其特征谱线的吸收，由特征谱线的特征性和谱线被减弱的程度对待测元素进行定性定量分析的一种仪器分析的方法。
[0005]存在如下缺陷：（1）这些方法都需要一定的化学液作为耗材，如氢氟酸和双氧水等,测量成本较高。
[0006]（2）使用的化学液为危险化学品，必须经过环保处理才可排放。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量硅抛光片表面铁含量的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：使用SPV法测出硅抛光片体铁含量，记为 B1；第二步：把硅抛光片放入退火炉在高纯氩气保护下，在高温下加热10～20分钟，使硅抛光片表面的铁驱入硅片体内；第三步：再次使用SPV法测出硅抛光片体铁含量，记为B2；第四步：利用SPV法测量高温前后两次体铁含量算式算出硅片表面铁含量，硅片表面铁含量= 0.5
×
（B2
‑
B1）
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T。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭体强，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：