闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备，在每一闪存块写入数据的时候，对每一闪存块中每一页写入对应的预设固定值，在现有技术中通常往闪存块的每一页中写入随机数据，而本发明专利技术将每一页写入对应的预设固定值，能够使每一页处于对应的的固定电平值，从而将所有的存储单元写入至一个固定的状态，能够增加闪存的磨损速率，缩短闪存测试前的磨损时间；其中闪存磨损时关闭LDPC编码功能和校正功能，保证后续往闪存写入预设固定数据时不受编码和校正的干扰，从而保证能够往每一页写入固定数值，加速磨损闪存。加速磨损闪存。加速磨损闪存。

【技术实现步骤摘要】
闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备


[0001]本专利技术涉及数据存储
，特别是涉及闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]闪存(Nand flash)，一种非易失型存储器，是SSD(solid state drives，固态硬盘)的重要组成部分，所以对于固态硬盘开发公司来说，要想让自己的产品更有竞争力，就需要对闪存的特性掌握得足够透彻，这样才能更好地使用闪存，提高闪存的寿命以及稳定性，因此，也就避免不了需要对闪存进行一系列研究。如寿命相关的研究，经常需要对闪存做一些磨损相关的实验。另外，某些闪存在使用前几个或前十几个pec(program erase count，擦写次数)时存在不稳定的情况，所以需要在正常使用前让闪存度过这个阶段，保证SSD固件(SSD firmware)运行的稳定性。
[0003]3D TLC(triple level cell，三层存储单元，3D是指以堆叠的方式制程，目的是单位面积可以存储更多的数据量，TLC是存储数据的最小单元，TLC类型中一个存储单元可以存储3个比特位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存磨损方法，其特征在于，包括步骤：接收磨损指令，关闭所述闪存的LDPC编码功能和校正功能；对每一闪存块进行擦除，并对擦除后的每一闪存块中的每一页写入对应的预设固定值，直至所述每一闪存块中的每一页均写入完成；循环上述对所述每一闪存块进行的擦除和写入操作，直至每一闪存块的擦写次数达到预设擦写次数。2.根据权利要求1所述的一种闪存磨损方法，其特征在于，所述预设固定值为对所述闪存施加的阈值电压最大时对应的存储单元每一比特位的电平值。3.根据权利要求1所述的一种闪存磨损方法，其特征在于，所述对擦除后的每一闪存块中的每一页写入对应的预设固定值包括：对擦除后的每一闪存块中的所有存储单元的最高有效位和最低有效位的对应页写入全1，所有存储单元的中间有效位的对应页写入全0。4.根据权利要求1所述的一种闪存磨损方法，其特征在于，所述对擦除后的每一闪存块中的每一页写入对应的预设固定值包括：对所述闪存块中每一页对应要写入的预设固定值进行缓存；对擦除后的每一闪存块中的每一页写入对应的所述缓存的预设固定值。5.根据权利要求1至4中任一项所述的一种闪存磨损方法，其特征在于，所述磨损指令包括需要擦写次数；根据所述需要擦写次数和预设固定值确定所述预设擦写次数。6.根据权利要求1至4中任一项所述的一种闪存磨损方法，其特征在于，所述对每一闪存块进行擦除，并对擦除后...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，童海涛，
申请(专利权)人：成都佰维存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：