三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法技术

本申请公开了一种三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法。三维异质集成的扇出型封装结构包括：基板上侧设置有凹槽，凹槽用于放置芯片，凹槽底部设置导电柱，导电柱贯穿基板并连接对应的芯片，第一金属互联层连接对应的导电柱，第一固定层设置在基板上侧，第二金属互联层设置在基板下侧，第二金属互联层连接对应的导电柱，第二金属互联层用于使芯片之间电连接，第二固定层设置在基板下侧，微焊结构连接对应的第二金属互联层，微焊结构用于形成封装结构的焊点。通过在同一基板的凹槽中设置芯片，并通过导电柱与金属互联层将对应的芯片之间电性连接，实现了三维的异质集成结构，满足了小尺寸、高密度、低成本的封装需求。低成本的封装需求。低成本的封装需求。

【技术实现步骤摘要】
三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法


[0001]本申请涉及微电子封装
，尤其是涉及一种三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法。

技术介绍

[0002]微电子机械系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)是指尺寸在微米甚至更小的独立系统，一般包含传感器、执行器和信号处理单元三大部分。MEMS将外界的信号通过传感器捕捉并转换为电信号，再经过信号处理单元处理后交由执行器进行相应的操作，从而实现了与外界的互联，通过配置足够数量的传感器和执行器，可以真正实现“万物互联”。但要真正实现整个系统的功能，往往需要将MEMS芯片与其对应的特殊应用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)相配合，然而由于MEMS芯片和ASIC芯片在使用的材料、尺寸以及加工的工艺等方面均存在非常大的不同，MEMS芯片和ASIC芯片的集成和封装成为了一个关键的难题。相关技术中，利用扇出型封装平台实现了将ASIC芯片和MEMS芯片在同一圆片上制造并实现互联和集成，但是该方法没有实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.三维异质集成的扇出型封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板上侧设置有至少两个凹槽，每一个所述凹槽用于放置一个芯片；至少一个导电柱，每一个所述凹槽底部设置至少一个所述导电柱，每一个所述导电柱贯穿所述基板，每一个所述导电柱连接对应的所述芯片的焊盘；至少一个第一金属互联层，每一个所述第一金属互联层连接对应的所述导电柱；第一固定层，所述第一固定层设置在所述基板上侧，所述第一固定层用于固定每一个所述芯片和每一个所述第一金属互联层；至少一个第二金属互联层，每一个所述第二金属互联层设置在所述基板下侧，所述第二金属互联层连接对应的所述导电柱，所述第二金属互联层用于使至少两个所述芯片之间电连接；第二固定层，所述第二固定层设置在所述基板下侧，所述第二固定层用于固定每一个所述第二金属互联层；至少一个微焊结构，每一个所述微焊结构连接对应的所述第二金属互联层，每一个所述微焊结构用于形成所述封装结构的焊点。2.根据权利要求1所述的三维异质集成的扇出型封装结构，其特征在于，所述基板为硅基板。3.根据权利要求1所述的三维异质集成的扇出型封装结构，其特征在于，每一个所述导电柱由外至内依次包括：绝缘层、扩散阻挡层和导电层。4.根据权利要求3所述的三维异质集成的扇出型封装结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、苯并环丁烯、聚酰亚胺、玻璃、聚丙烯或聚对二甲苯中的至少一种。5.根据权利要求3所述的三维异质集成的扇出型封装结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为钽、氮化钽、钨化钛中的至少一种。6.根据权利要求3所述的三维异质集成的扇出型封装结构，其特征在于，所述导电层的材料为铜、铝、金、钨中的至少一种。7.根据权利要求1所述的三维异质集成的扇出型...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠鑫，马盛林，金玉丰，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：