谐振电路的控制方法及终端设备技术

本发明专利技术适用于开关电源技术领域，公开了一种谐振电路的控制方法及终端设备，上述方法包括：获取所述谐振电路的开关频率需求值；若所述开关频率需求值满足预设条件，则控制所述谐振电路在同一个驱动周期内的第一预设时长内存在泄放回路，所述泄放回路用于指示所述谐振电路的谐振腔泄放能量；其中，当所述开关频率需求值满足所述预设条件时，以调节开关频率的方式控制谐振电路无法满足谐振电路的输出电压的需求，所述谐振电路的控制方式变为调节驱动占空比的方式。本发明专利技术通过泄放回路释放谐振腔中的能量，能够有效释放能量，降低开关管应力，避免开关管损坏，可以提高开关管的可靠性。可以提高开关管的可靠性。可以提高开关管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
谐振电路的控制方法及终端设备


[0001]本专利技术属于开关电源
，尤其涉及一种谐振电路的控制方法及终端设备。

技术介绍

[0002]对于谐振电路，为了实现较宽范围的输出电压，通常在开关频率需求值为80～250kHz的低频脉冲频率段时，采用调节开关频率的方式，实现输出电压的单调调压。由于谐振电路的输出特性，在开关频率大于谐振频率时，谐振电路的降压特性趋于平缓，因此，在开关频率的需求值为大于250kHz的高频脉冲频率段时，继续增加开关频率，输出电压降低的幅度无法满足较宽范围的输出电压的需求，所以，采用固定开关频率为250kHz，调节驱动占空比的方式来减小输出电压。
[0003]在实际工作过程中，由于在调节驱动占空比的模式下，无法完整执行LLC周期，因此，在关断驱动时，谐振腔能量过大，无法有效释放能量，导致在关断驱动时，开关管应力过大，容易损坏开关管。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种谐振电路的控制方法及终端设备，以解决现有技术在关断驱动时，谐振腔能量过大，无法有效释放能量，开关管应力过大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振电路的控制方法，其特征在于，包括：获取所述谐振电路的开关频率需求值；若所述开关频率需求值满足预设条件，则控制所述谐振电路在同一个驱动周期内的第一预设时长内存在泄放回路，所述泄放回路用于指示所述谐振电路的谐振腔泄放能量；其中，当所述开关频率需求值满足所述预设条件时，以调节开关频率的方式控制谐振电路无法满足谐振电路的输出电压的需求，所述谐振电路的控制方式变为调节驱动占空比的方式。2.根据权利要求1所述的谐振电路的控制方法，其特征在于，所述谐振电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和谐振腔；所述第一MOS管，第一端分别与电源正极和所述第三MOS管的第一端连接，第二端分别与所述第二MOS管的第一端和所述谐振腔的第一端连接；所述第四MOS管，第一端分别与所述第三MOS管的第二端和所述谐振腔的第二端连接，第二端分别与所述第二MOS管的第二端和电源负极连接；所述控制所述谐振电路在一个驱动周期内的预设时间内存在泄放回路，包括：在同一个驱动周期内，控制所述第一MOS管和所述第四MOS管同时开始导通，并在控制所述第一MOS管关断后，经过第二预设时长，控制所述第四MOS管关断，且控制所述第二MOS管和所述第三MOS管同时开始导通，并在控制所述第二MOS管关断后，经过第三预设时长，控制所述第三MOS管关断；其中，在所述第一MOS管关断且所述第四MOS管导通时，所述第四MOS管、所述谐振腔和所述第二MOS管中的反并联二极管形成所述泄放回路。3.根据权利要求2所述的谐振电路的控制方法，其特征在于，所述控制所述谐振电路在一个驱动周期内的预设时间内存在泄放回路，还包括：在控制所述第四MOS管关断后，经过死区时间，控制所述第三MOS管导通。4.根据权利要求1所述的谐振电路的控制方法，其特征在于，所述谐振电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、谐振腔、常开开关和泄放电阻；所述第一MOS管，第一端分别与电源正极和所述第三MOS管的第一端连接，第二端分别与所述第二MOS管的第一端和所述谐振腔的第一端连接；所述第四MOS管，第一端分别与所述第三MOS管的第二端和所述谐振腔的第二端连接，第二端分别与所述第二MOS管的第二端和电源负极连接；所述常开开关和所述泄放电阻串联连接在所述谐振腔的第一端和所述谐振腔的第二端之间；所述控制所述谐振电路在一个驱动周期内的预设时间内存在泄放回路，包括：在所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管均关断时，控制所述常开开关闭合，以使所述常开开关、所述泄放电阻和所述谐振腔形成所述泄放回...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷爽，林剑勇，张晓博，刘旭明，付君宇，
申请(专利权)人：深圳市科华恒盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：