导电膜及含其的器件制造技术

本发明专利技术提供了一种导电膜及含其的器件，导电膜包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料包括第一导电体与包覆在第一导电体表面的第一配体，第二导电材料包括第二导电体与包覆在第二导电体表面的第二配体，第一配体与第二配体的亲疏性相斥。本申请的导电膜的导电材料分布均匀，实现了导电膜光透过率的提升。实现了导电膜光透过率的提升。实现了导电膜光透过率的提升。

【技术实现步骤摘要】
导电膜及含其的器件


[0001]本专利技术涉及光电
，具体而言，涉及一种导电膜及含其的器件。

技术介绍

[0002]银纳米线是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料，被视为是最有可能替代传统ITO透明电极的材料，制备的膜层具有较高的导电性和透明度，可广泛用于触控、显示、照明、光伏等领域。
[0003]由于银出色的导电性，现有方法制作的纳米银线膜层可以达到较小的电阻，满足众多产品对其导电性的要求，但膜层透过率还有很大的提升空间。导电膜的透过率取决于银纳米线的分布密度、分布均匀性、直径和长度等因素，当银纳米线材料相同(即直径和长度相同)，如何控制银线分布的密度和均匀性就成为了影响其透过率的关键。
[0004]目前改善其透过率的方法主要有两种，一种是在导电膜的制作过程中控制银线悬浮液溶剂的挥发性，使银线可以以一个相对稳定的速度干燥析出；另一种是将银线溶液稀释到相对较小的固含量后进行导电膜的制作，并利用多次重复制作过程的方式来达到相对低的方阻要求。但这两种方式对导电膜透过率的改善十分有限，局部区域银线过度聚集的情况依然非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电膜，其特征在于，包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料包括第一导电体与包覆在所述第一导电体表面的第一配体，所述第二导电材料包括第二导电体与包覆在所述第二导电体表面的第二配体，所述第一配体与所述第二配体的亲疏性相斥。2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一导电体和所述第二导电体为金属纳米线，优选为银纳米线。3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料的重量比为1:10～10:1，优选为1:3～3:1。4.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一配体的质量占所述第一导电材料的总质量的0.1％～10％，优选0.5％～5％；所述第二配体的质量占所述第二导电材料的总质量的0.1％～10％，优选0.5％～5％。5.根据权利要求2所述的导电膜，其特征在于，所述银纳米线的直径为10～100nm，长度为10～100μm；优选所述银纳米线的直径为10～40nm，长度为20～40μm。6.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一配体和所述第二配体分别独立地选自纳米粒子配体、有机小分子配体、高分子配体中的任一种或多种。7.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述纳米粒子配体为无机纳米粒子配体或有机纳米粒子配体，所述无机纳米粒子配体选自无机盐、金属氧化物颗粒、金属颗粒和SiO2纳米微球中的至少一种，所述有机纳米粒子配体选自胶束微球和聚合物微球中的至少一种。8.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述有机小分子配体的结构表达式为X
‑
Y，其中X用于与所述第一导电体或所述第二导电体表面配位，Y的结构中包括亲水性基团或疏水性基团，所述亲水性基团选自羟基、羧基、醛基、氨基、胺基、磺酸基和亚硫酸基中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾辛艳，艾文玲，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：