栅极驱动装置制造方法及图纸

栅极驱动装置具备一方的驱动部(10、125)、另一方的峰值电压检测部(14)以及一方的驱动能力控制部(12)。所述一方的驱动部驱动构成半桥电路(4、92)的上下臂的两个开关元件(5、6、93、103、113、114、123)中的一方的开关元件(5、113、123)的栅极。所述另一方的峰值电压检测部检测所述一方的开关元件导通时的另一方的开关元件(6、93、114)的主端子的峰值电压。所述一方的驱动能力控制部在由所述另一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述另一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述一方的驱动部的导通时的驱动能力的值，并且基于该运算结果变更所述一方的驱动部的导通时的驱动能力。能力。能力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】栅极驱动装置
[0001]相关申请的相互参照
[0002]本申请基于2018年10月12日提出申请的日本申请第2018－193430号，在此引用其记载内容。


[0003]本公开涉及对开关元件的栅极的进行驱动的栅极驱动装置。

技术介绍

[0004]例如，在IGBT、MOSFET等开关元件被串联连接的构成的半桥电路中，若在一方的开关元件导通时施加于另一方的开关元件的主端子的浪涌电压超过该开关元件的耐压，则有可能产生故障。因此，在对构成半桥电路的上下臂的开关元件的栅极进行驱动的栅极驱动装置中，要求针对上述浪涌电压的对策。以往，考虑了各种用于抑制这样的浪涌电压的技术(例如参照专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2007－221863号公报

技术实现思路

[0008]上述的浪涌电压是与由系统结构确定的电流路径的寄生的电感成分与电流的斜率即电流的变化率对应的电压，电流的变化率越大，电压越高。另外，该情况下的电流是指相对于开关元件反向并联连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种栅极驱动装置，具备：一方的驱动部(10、125)，对构成半桥电路(4、92)的上下臂的两个开关元件(5、6、93、103、113、114、123)中的一方的开关元件(5、113、123)的栅极进行驱动；另一方的峰值电压检测部(14)，对所述一方的开关元件导通时的另一方的开关元件(6、93、114)的主端子的峰值电压进行检测；以及一方的驱动能力控制部(12)，在由所述另一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述另一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述一方的驱动部的导通时的驱动能力的值，并且基于该运算结果变更所述一方的驱动部的导通时的驱动能力。2.如权利要求1所述的栅极驱动装置，其中，所述栅极驱动装置还具备：另一方的驱动部(13)，对所述两个开关元件中的另一方的开关元件(6、114)的栅极进行驱动；一方的峰值电压检测部(11)，对所述另一方的开关元件导通时的一方的开关元件(5、103、113、123)的主端子的峰值电压进行检测；另一方的驱动能力控制部(15)，在由所述一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述另一方的驱动部的导通时的驱动能力的值，并且基于该运算结果变更所述另一方的驱动部的导通时的驱动能力；以及传递部(9、94、104)，对所述一方的驱动能力控制部传递所述另一方的峰值电压检测部的检测值，并且对所述另一方的驱动能力控制部传递所述一方的峰值电压检测部的检测值，所述一方的驱动部、所述一方的峰值电压检测部以及所述一方的驱动能力控制部和所述另一方的驱动部、所述另一方的峰值电压检测部以及所述另一方的驱动能力控制部构成为互不相同的装置。3.如权利要求2所述的栅极驱动装置，其中，所述传递部是经由使所述不同的装置间绝缘的绝缘部(33、34、55、56、95)传递所述峰值电压检测部的检测值的构成。4.如权利要求1或2所述的栅极驱动装置，其中，所述栅极驱动装置还具备：另一方的驱动部(13)，对所述两个开关元件中的另一方的开关元件(6、114)的栅极进行驱动；一方的峰值电压检测部(11)，对所述另一方的开关元件导通时的一方的开关元件(5、103、113、123)的主端子的峰值电压进行检测；另一方的驱动能力控制部(15)，在由所述一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述另一方的驱动部...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山博则，丹羽章雅，山本昌弘，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：