【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数字电路设计领域,更具体的说,涉及到数字电路设计PLD(可编程逻辑器件)中RAM(随机存储模块)的使用。
技术介绍
PLD(Programmable Logic Device可编程逻辑器件)技术和FPGA(FieldProgrammable Gate Array现场可编程门阵列)技术是电子设计领域中最具活力和发展前途的一项技术,几乎能完成任何数字器件的功能,它如同一张白纸或是一堆积木,工程师可以通过传统的原理图输入法,或是硬件描述语言自由地设计一个数字系统。虽然PLD和FPGA两者名称有异,但两者的功能基本相同,只是实现原理略有不同。本专利技术所述的方法对PLD和FPGA都能适用且不存在原理性的区别,因此下文中忽略两者的区别,统称为可编程逻辑器件或PLD。复杂的PLD器件会嵌入一些RAM块,以满足存储数据的需要。这些RAM块的存储容量一般为512位、4096位等等。虽然不同的PLD器件可能包含不同数目不同种类的RAM块,但是,RAM块在PLD器件中的使用都存在共同的限制1、RAM块必须成块分配,如果一个RAM块分配给了一个功能模块,则不能被其他功 ...
【技术保护点】
一种提高RAM利用效率的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:a、将所述的RAM写数据的时钟频率设置为外部写数据的时钟频率的整数倍n,将所述的RAM读数据的时钟频率设置为外部读数据的时钟频率的整数倍n;b、写数据时,将一个外 部写数据的时钟周期所写入的数据分成n份在n个RAM时钟周期内依次写入所述的RAM,读数据时,依次在n个RAM时钟周期内从所述的RAM中读出一个外部时钟周期内应读取的数据。
【技术特征摘要】
1.一种提高RAM利用效率的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤a、将所述的RAM写数据的时钟频率设置为外部写数据的时钟频率的整数倍n,将所述的RAM读数据的时钟频率设置为外部读数据的时钟频率的整数倍n;b、写数据时,将一个外部写数据的时钟周期所写入的数据分成n份在n个RAM时钟周期内依次写入所述的RAM,读数据时,依次在n个RAM时钟周期内从所述的RAM中读出一个外部时钟周期内应读取的数据。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的整数倍n是分别根据所述的读和写数据的位宽与RAM的位宽的比值确定的。3.一种提高RAM利用效率的...
【专利技术属性】
技术研发人员:范嘉旗,张玉泉,李星,何军,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]
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