本实用新型专利技术涉及电子电路技术领域，尤其是指一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路。包括变压器T1及设置于变压器T1的绕组N1，还包括三极管组U5A和二极管组U4，该三极管组U5A设置有接口1、接口2、接口3、接口4、接口5和接口6，该二极管组U4设置有接口7、接口8、接口9和接口10。为改善目前低压大电流正激同步整流变压器副边绕组自驱方案因整流管和续流管之间死区时间短，使续流MOS管导通不足造成MOS管较大的损耗，出现效率低温度高的现象。在正激自驱同步整流方案中增加驱动控制线路，增加正激同步整流（整流管及续流管的死区时间）使续流MOS管在工作过程中完全导通，降低MOS管的损耗，提升效率。效率。效率。
【技术实现步骤摘要】
低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路
[0001]本技术涉及电子电路
，尤其是指一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路。
技术介绍
[0002]近年来随着电源技术的发展，同步整流技术正在低压、大电流输出的应用中迅速推广应用。特别在显示屏领域广泛应用，按照驱动方法的不同，同步整流分为自驱型和外驱型，两者的主要区别在于，自驱型同步整流管的驱动电压一般采用的是变压器上或辅助绕组上的电压，而外驱型同步 整流管的驱动电压是由外部同步整流驱动芯片产生的。1.自驱型：因为正激拓扑在用变压器的副边绕组直接驱动MOS管，这时在占空比比较小的情况下，会出现续流的同步MOS管导通不足的问题，负载电流会流过MOS管的体二极管，造成较大的损耗。2.外驱型：由外部专业的同步整流芯片产品，a.如输出在3.8V/40A甚至电流更大的情况下，因为电流大整流MOS管多颗并联会出现芯片驱动能力不足现象，b.低压大电流同步整流芯片厂商极少，如NXP，MPS等这些大厂才有，价格高，不易采购。
[0003]LED显示屏行业快速发展，应用场景越来越广，显示屏越来越高清，对电源的要求在逐步提升，LED屏它的特性就是刷新频率高，对电源的要求就是响应速度快，不然会出现闪屏现象，正激拓扑的优秀的动态响应及高可靠性是显示屏最佳选择，目前低压大电流正激同步整流变压器副边绕组自驱方案因整流管和续流管之间死区时间短，使续流MOS管导通不足造成MOS管较大的损耗，出现效率低温度高现象。
技术实现思路
[0004]本技术要解决的技术问题是提供一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路，在正激自驱同步整流方案中增加驱动控制线路，增加正激同步整流使续流MOS管在工作过程中完全导通，降低MOS管的损耗，提升效率。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路，包括变压器T1及设置于变压器T1的绕组N1，还包括三极管组U5A和二极管组U4，该三极管组U5A设置有接口1、接口2、接口3、接口4、接口5和接口6，该二极管组U4设置有接口7、接口8、接口9和接口10，其中接口1与接口10连接，接口4与接口9连接，接口7连接绕组N1的一端，接口8依序串联有电阻R1、二极管D1和电阻R2后连接绕组N1的另一端，接口6连接有三极管Q1、三极管Q2、电阻R3和二极管D2，二极管D2的另一端与接口2、接口5和接口3连接，电阻R3的另一端与三极管Q1的集电极连接，三极管Q2的集电极接地，三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q1的发射极依序串联有二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6后接GATE1，三极管Q1的发射极串联有电容C1后接GATE1；
[0006]所述电阻R1和二极管D1之间连接有电阻R4和二极管D7，该电阻R4的另一端串联有电阻R5后接地，二极管D7的另一端连接电阻R4和电阻R5之间，电阻R4和电阻R5之间连接有三极管Q3，该三极管Q3的集电极串联有电容C2后接地，三极管Q3的集电极接VC，三极管Q3的
发射极连接二极管D1和电阻R2之间。
[0007]优选的，所述电阻R2与绕组N1之间设置有MOS管Q4、MOS管Q5和电阻R6，该MOS管Q4的栅极与电阻R2连接，MOS管Q4的漏极与绕组N1连接，MOS管Q4的源极与MOS管Q5的源极连接，MOS管Q5的漏极与MOS管Q4的漏极连接，MOS管Q5的栅极与MOS管Q4的栅极连接，电阻R6的一端与MOS管Q4的栅极连接，电阻R6的另一端与MOS管Q5的源极连接，MOS管Q5的源极串联有电容C3，该电容C3的另一端连接有电阻R7、电阻R8和电阻R9，该电阻R7、电阻R8和电阻R9的另一端均连接MOS管Q5的漏极。
[0008]优选的，所述接口7与绕组N1之间设置有MOS管Q6、MOS管Q7、电阻R10和电容C4，MOS管Q6的源极与接口7连接，MOS管Q6的源极与MOS管Q5的源极连接，MOS管Q6的漏极与绕组N1连接，MOS管Q6的栅极串联有电阻R11后接GATE1，电阻10的一端与MOS管Q6的源极连接，电阻R10的另一端与MOS管Q6的栅极连接；
[0009]MOS管Q7的源极与MOS管Q6的源极连接，MOS管Q7的栅极与MOS管Q6的栅极连接，MOS管Q7的漏极与MOS管Q6的漏极连接，电容C4的一端与MOS管Q7的源极连接，电容C4的另一端连接有电阻R12、电阻R13和电阻R14，该电阻R12、电阻R13和电阻R14的另一端均连接MOS管Q7的漏极，MOS管Q7的漏极与电阻R1的一端连接。
[0010]优选的，所述MOS管Q6的漏极串联有电感线圈L1，该电感线圈L1的另一端串联有电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电阻R15、电阻R16、电阻R17和电阻R18后接电源，该电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电阻R15、电阻R16、电阻R17和电阻R18的另一端均连接MOS管Q6的源极，电容C5的一端接地。
[0011]优选的，所述MOS管Q6的漏极串联有二极管D8，该二极管D8的另一端连接有电容C9和电阻R19，该电容C9的另一端接地，电阻R19的另一端串联有电容C10、电阻R20以及连接VC端，该电容C10的另一端接地以及与接口7连接，电阻R20的另一端串联有电阻R21以及与三极管Q1的集电极和电阻R3的一端连接，该电阻R21的另一端与接口2连接。
[0012]本技术的有益效果在于：提供了一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路，为改善目前低压大电流正激同步整流变压器副边绕组自驱方案因整流管和续流管之间死区时间短，使续流MOS管导通不足造成MOS管较大的损耗，出现效率低温度高的现象。在正激自驱同步整流方案中增加驱动控制线路，增加正激同步整流（整流管及续流管的死区时间）使续流MOS管在工作过程中完全导通，降低MOS管的损耗，提升效率。
附图说明
[0013]图1为本技术低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路结合至电源电路后的整体电路原理框图。
[0014]图2为图1中A部分的局部放大电路原理框图。
[0015]图3为图1中B部分的局部放大电路原理框图。
[0016]图4为图1中C部分的局部放大电路原理框图。
具体实施方式
[0017]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。
[0018]如图1至图4所示，一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路，包括变压器T1及设置于变压器T1的绕组N1，还包括三极管组U5A和二极管组U4，该三极管组U5A设置有接口1、接口2、接口3、接口4、接口5和接口6，该二极管组U4设置有接口7、接口8、接口9和接口10，其中接口1与接口10连接，接口4与接口9连接，接口7连接绕组N1的一端，接口8依序串联有电阻R1、二极管D1和电阻R2后连接绕组N1的另一端，接口6连接有三极管Q1、三极管Q2、电阻R3和二极管D2，二极管D本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路，包括变压器T1及设置于变压器T1的绕组N1，其特征在于：还包括三极管组U5A和二极管组U4，该三极管组U5A设置有接口1、接口2、接口3、接口4、接口5和接口6，该二极管组U4设置有接口7、接口8、接口9和接口10，其中接口1与接口10连接，接口4与接口9连接，接口7连接绕组N1的一端，接口8依序串联有电阻R1、二极管D1和电阻R2后连接绕组N1的另一端，接口6连接有三极管Q1、三极管Q2、电阻R3和二极管D2，二极管D2的另一端与接口2、接口5和接口3连接，电阻R3的另一端与三极管Q1的集电极连接，三极管Q2的集电极接地，三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q1的发射极依序串联有二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6后接GATE1，三极管Q1的发射极串联有电容C1后接GATE1；所述电阻R1和二极管D1之间连接有电阻R4和二极管D7，该电阻R4的另一端串联有电阻R5后接地，二极管D7的另一端连接电阻R4和电阻R5之间，电阻R4和电阻R5之间连接有三极管Q3，该三极管Q3的集电极串联有电容C2后接地，三极管Q3的集电极接VC，三极管Q3的发射极连接二极管D1和电阻R2之间。2.根据权利要求1所述的低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路，其特征在于：所述电阻R2与绕组N1之间设置有MOS管Q4、MOS管Q5和电阻R6，该MOS管Q4的栅极与电阻R2连接，MOS管Q4的漏极与绕组N1连接，MOS管Q4的源极与MOS管Q5的源极连接，MOS管Q5的漏极与MOS管Q4的漏极连接，MOS管Q5的栅极与MOS管Q4的栅极连接，电阻R6的一端与MOS管Q4的栅极连接，电阻R6的另一端与MOS管Q5的源极连接，MOS管Q5的源极串联有电容C3，该电容C3的另一端连接有电阻R7、电阻R8和电阻R9，该电阻R7、电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：张克旺，
申请(专利权)人：东莞市奥源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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