【技术实现步骤摘要】
基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法
[0001]本专利技术涉及一种基于Q
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learning算法的DRAM行缓冲器管理方法。
技术介绍
[0002]DRAM是当前计算机主流的内存存储器。每个DRAM存储单元包含一个晶体管和电容，大量的存储单元构成二维存储阵列，存储阵列再构成内存块(bank)。内存块中的数据以内存行为单位读写，每个内存块都包含一内存行缓冲器(row buffer)，用于缓存来自内存块的内存行数据，用于处理数据读写请求。
[0003]根据计算机存储层次结构，最后一级缓存以缓存块为单位向DRAM发起数据访问请求。当读写数据时，内存控制器根据目标缓存块地址，定位DRAM内存块，然后发出行激活命令，将包含目标缓存块数据的内存行加载到内存行缓冲器。内存缓冲器容量远大于缓存块，所以内存缓冲器不仅包含目标缓存块，还包含相邻的其他缓存块。内存控制器再发出列激活命令，定位目标缓存块数据，完成读写操作。最后内存缓冲器中的数据写回到内存块中的对应内存行，同时内存缓冲器清空。
[0004]数据...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法，其特征在于：每个内存块的行缓冲器配置有地址缓存器和连续访问计数器，地址缓存器用于暂存最近一次加载到行缓冲器的内存行地址；连续访问计数器记录当前地址对应的内存行截止目前时刻，连续被访问的次数，连续访问计数器占用3位二进制数；根据新的数据访问，更新地址缓存器与连续访问计数器的值。2.根据权利要求1所述的更新地址缓存器与连续访问计数器的值，其特征在于：读写内存块数据时，新数据访问的目标内存行地址与地址缓存器中的地址对比，两者不一致，则采用新的目标内存行地址更新地址缓存器中的值，同时将连续访问计数器置为1；如果两者一致，则地址缓存器中的值保持不变，连续访问计数器中的值递增1；读取更新后的地址缓存器的值与连续访问计数器的值，作为行缓冲器的当前状态。3.根据权利要求2所述的作为行缓冲器的当前状态，其特征在于：读取更新后的地址缓存器中的值addr，读取更新后的连续访问计数器值ref，作为行缓冲器的当前状态S[t]＝(addr,ref)；当下一新数据访问到达时，参照权利要求2所述的更新过程，然后再重复前述读取操作，作为行缓冲器下一次状态S[t+1]。4.基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法，其特征在于：行缓冲器的操作集合A＝{保持开放,关闭}，基于行缓冲器的状态S[t]，根据两级Q表格决策算法，选择对行缓冲器的动作a[t]，并且执行a[t]，然后再结合下一次数据访问，获得动作a[t]的奖惩值r[t]以及下一次状态S[t+1]；最后利用S[t]，a[t]和r[t]更新两级Q表格。5.根据权利要求4所述的获得动作a[t]的奖惩值r[t]，其特征在于：情况1：行缓冲器处于关闭状态，当前数据访问的目标内存行与上一次访问的目标内存行相同，则表示上一次的关闭决策失误，奖惩值取r[t]＝
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1，如果新数据访问的目标内存行与上一次的访问不同，表示上一次的关闭决策正确，奖惩值取r[t]＝1；情况2：行缓冲器处于开放状态，当前数据访问的目标内存行与上一次访问的目标内存行相同，则表示上一次的保持开放决策正确，取奖惩值r[t]＝1，如果当前数据访问的目标内存行与上一次不同，则表示上一次行缓冲器保持开放的决策不正确，奖惩值取r[t]＝
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1。6.根据权利要求4所述的两级Q表格，其特征在于：一级表格中，每个条目的包含：状态值(addr,ref)，关闭与开放值对1，以及二级表格指针；其中关闭与开放值对1，表示处于状态(addr,1)时，对行缓冲器分别执行关闭与开放的值大小，而其他状态(addr,2)到(addr,7)，对应的关闭与开放值对，保存在二级表格中，具体的存储地址保存在一级表格的二级表格指针中；二级表格指针默认为0，表示addr地址对应的其他状态未启用。7.根据权利要求6所述的两级Q表格结构，其特征在于：二级表格的初始化过程：首先查找二级表格并定位一连续的最小适配空闲空...
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