一种基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置制造方法及图纸

技术编号:28470622 阅读:32 留言:0更新日期:2021-05-15 21:38
本发明专利技术公开了一种基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置,包括磁共振发射模块以及与磁共振发射模块通信连接的磁共振接收模块;磁共振发射模块包括依次通信连接的差分放大电路、若干发射差分滤波电路、发射差分匹配电路和发射线圈;磁共振接收模块包括依次通信连接的接收线圈、接收差分匹配电路、若干接收差分滤波电路和倍流整流电路;发射线圈和接收线圈通信连接。采用差分结构的磁共振无线充电系统,能有效的降低系统整体的电磁干扰,工作电压较低,器件耐压和功率的要求低,适用于低电压、大电流以及对空间自由度和电磁干扰特性要求较高的磁共振无线充电系统。求较高的磁共振无线充电系统。求较高的磁共振无线充电系统。

【技术实现步骤摘要】
一种基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置


[0001]本专利技术属于磁共振耦合无线充电
,具体涉及一种基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置。

技术介绍

[0002]随着科技创新和互联网技术的不断发展,消费类电子产品、智能家居系统以及物联网产品的普及应用,都离不开使用电源,传统的电器和电子设备通常采用有线电源直接供电和内置电池,有线电源供电使用供电线不仅占据空间错综复杂,同时也带来了一定的安全隐患。而内置电池供电的设备又待机时间短,需要多次充电,大大影响了用户使用体验。使用无线充电技术在各类电子应用中不断增长,对于无线充电技术的研究与应用也成为了国内外科技应用和学术界的新方向。
[0003]目前业内公认的无线充电技术主要分为三类,一种是WPC联盟主推的QI标准,也称为磁感应耦合技术,另一种是Airfuel联盟主推的磁共振耦合技术,还有一种是电磁辐射式无线输能技术。相比于磁感应技术,磁共振耦合技术在充电距离、空间自由度、一对多充和功率扩展上有明显优势;而相比于电磁辐射式无线输能技术,磁共振耦合技术在能量转化效率、传输功率和电磁安全方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置,其特征在于,包括磁共振发射模块(1)以及与所述磁共振发射模块(1)通信连接的磁共振接收模块(2);所述磁共振发射模块(1)包括依次通信连接的差分放大电路(3)、若干发射差分滤波电路(4)、发射差分匹配电路(5)和发射线圈(8);所述磁共振接收模块(2)包括依次通信连接的接收线圈(9)、接收差分匹配电路(6)、若干接收差分滤波电路(10)和倍流整流电路(7);所述发射线圈(8)和接收线圈(9)通信连接。2.根据权利要求1所述的基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置,其特征在于,所述差分放大电路(3)包括电感L12

L14、电感L16

L18、接地电容C124

C125、接地电容C127、接地电容C129

C132、接地电容C142

C143、电容C145、接地电容C147

C150和MOS管Q20

Q21;所述MOS管Q20的栅极接入差分驱动输入信号CLK_P,其源极接地;所述MOS管Q20的漏极分别与电感L12的一端、接地电容C129、接地电容C130和电感L13的一端连接;所述电感L12的另一端分别与接地电容C124和接地电容C125连接,其连接点还与RFVCC电源连接;所述电感L13的另一端和电容C127的一端;所述电容C127的另一端和电感L14的一端连接;所述电感L14的另一端分别与接地电容C131和接地电容C132连接,其连接点还与发射差分滤波电路(4)连接;所述MOS管Q21的栅极接入差分驱动输入信号CLK_N,其源极接地;所述MOS管Q21的漏极分别与电感L16的一端、接地电容C147、接地电容C148、电感L17的一端连接;所述电感L16的另一端分别与接地电容C142和接地电容C143连接,其连接点还与RFVCC电源连接;所述电感L17的另一端和电容C145的一端;所述电容C145的另一端和电感L18的一端连接;所述电感L18的另一端分别与接地电容C149和接地电容C150连接,其连接点还与发射差分滤波电路(4)连接。3.根据权利要求2所述的基于差分结构的磁共振耦合无线充电装置,其特征在于,若干所述发射差分滤波电路(4)的结构相同,均包括电感L15、电感L19、电容C126、电容C135、电容C136和电容C151;所述电容C135的一端分别与电感L15的一端、电容C126的一端、电感L14的另一端、接地电容C131和接地电容C132连接;所述电容C135的另一端分别与电感L19的一端、电容C151的一端、电感L18的另一端、接地电容C149和接地电容C150连接;所述电容C136的一端分别与电感L15的另一端和电容C126的另一端连接,其连接点和发射差分匹配电路(5)连接;所述电容C136的另一端分别与电感L19的另一端和电容C151的另一端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:喻易强刘勇宋俊林鹏唐斌鸿
申请(专利权)人:成都斯普奥汀科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1