【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板与显示装置
[0001]本公开涉及显示
,具体而言,涉及一种阵列基板、显示面板与显示装置。
技术介绍
[0002]液晶显示器发展迅速,已经成为主流平板显示器。液晶显示器发展出扭转向列(Twisted Nematic,TN)型、高级超维场开关(Adwanced Dimens1n Switch,ADS)型、高开口率且高级超维场开关(High
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Adwanced Dimens1n Switch,HADS)型和平面内开关(In
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Plane Switch,IPS)型等几种类型。其中,HADS的设计模式因其可实现高开口率,高透过率,高PPI,广视角而被广泛应用用于目前液晶显示产品开发中。
[0003]目前,为实现产品窄边框模式,现有的产品都趋向于GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)架构设计,因HADS暗态下的开态电流(Dark Ion)偏低,易出现GOA低温启动启动异常,从而造成画面点灯异常(AD)等不良,影响产品的良率。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;硅岛,设于所述基板的一侧;导电缓冲层,设于所述硅岛背离所述基板的一侧,且包括间隔设置的第一子导电缓冲层与第二子导电缓冲层;像素电极层,与所述硅岛设于所述基板的同一侧;源漏电极层,包括第一电极与第二电极,所述第一电极设于所述第一子导电缓冲层背离所述基板的一侧,并部分覆盖所述像素电极层;所述第二电极设于所述第二子导电缓冲层背离所述基板的一侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电缓冲层设于所述硅岛的表面上。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:栅极,设于所述基板的一侧;栅绝缘层,设于所述基板的一侧并覆盖所述栅极;其中,所述硅岛设于所述栅绝缘层背离所述栅极的一侧,所述像素电极层设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述导电缓冲层在所述基板上的正投影位于所述源漏电极层在所述基板上的正...
【专利技术属性】
技术研发人员:乐发垫,邹振游,席文星,李增荣,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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