能双面散热的功率半导体器件老化座装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置。其包括座体下盖以及座体上盖，在所述座体上盖设置上盖散热器，在座体下盖上设置下盖散热器；通过座体上盖能将支撑在座体下盖上的功率半导体器件压紧在所述座体下盖上，且座体上盖通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖相互锁紧；功率半导体器件压紧在座体上盖与座体下盖间时，功率半导体器件的器件端子能位于所述座体上盖、座体下盖相对应的外侧，通过上盖散热器、下盖散热器能对功率半导体器件进行散热。本实用新型专利技术对老化试验中的功率半导体器件能进行双面散热，提高散热速度，确保功率半导体器件在老化试验中的可靠性，结构紧凑，使用简单，安全可靠。安全可靠。安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
能双面散热的功率半导体器件老化座装置


[0001]本技术涉及一种老化座装置，尤其是一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置。

技术介绍

[0002]老化试验为半导体器件品质评估所使用的一类试验方法，通常是将被测器件放置在严酷的环境中，评估半导体器件在该环境中的使用寿命。例如功率半导体器件可靠性测试常用的HTGB、HTRB、H3TRB试验。
[0003]在对功率半导体器件进行老化试验时，需要将被测的功率半导体器件安装到老化板上，在保证被测的功率半导体器件固定在老化板上的同时，也要保证被测功率半导体器件与老化板的电学连接。要完成被测的功率半导体器件与老化板的可靠电学连接，老化座就起到了电学连接和机械固定的作用。
[0004]对于分立的功率半导体器件，在市场上已经可以购买到成熟的高温老化座，但有的功率半导体器件的发热量大，对散热要求较高。常规带散热功能的老化座大多是单面散热的，散热效率有限，难以满足具体进行老化试验中的散热需求。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能双面散热的功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：包括能支撑功率半导体器件(20)的座体下盖(3)以及能与座体下盖(3)对应的座体上盖(1)，在所述座体上盖(1)设置上盖散热器(2)，在座体下盖(3)上设置下盖散热器(4)；通过座体上盖(1)能将支撑在座体下盖(3)上的功率半导体器件(20)压紧在所述座体下盖(3)上，且座体上盖(1)通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖(3)相互锁紧；功率半导体器件(20)压紧在座体上盖(1)与座体下盖(3)间时，功率半导体器件(20)的器件端子能位于所述座体上盖(1)、座体下盖(3)相对应的外侧，通过上盖散热器(2)、下盖散热器(4)能对功率半导体器件(20)进行散热。2.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述座体上盖(1)的一端与座体下盖(3)的一端相铰接，座体上盖(1)的另一端通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖(3)的另一端相互锁定；还包括设置于座体上盖(1)内的上盖导热片(5)以及设置于座体下盖(3)内的下盖导热片(6)，功率半导体器件(20)压紧在座体上盖(1)与座体下盖(3)间时，上盖散热器(2)通过上盖导热片(5)能与功率半导体器件(20)的一表面接触，下盖散热器(4)通过下盖导热片(6)能与功率半导体器件(20)的另一表面接触。3.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：在所述座体下盖(3)上设置若干器件限位块(14)，功率半导体器件(20)置于座体下盖(3)时，利用器件限位块(14)能对置于座体下盖(3)上的功率半导体器件(20)进行限位。4.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述盖体限位锁紧机构包括设置于座体上盖(1)端部的锁扣机构(11)以及设置于座体下盖(3)端部的锁舌机构，锁扣机构(11)能与锁舌机构适配连接；锁舌机构包括与座体下盖(3)固定连接的锁舌支架(15)以及设置于所述锁舌支架(15)内的锁舌体(16)，锁扣机构(11)能卡扣在所述锁舌体(16)上，且通过锁扣机构(11)与锁舌体(16)间的连接能使得座体上盖(1)与座体下盖(3)间相互锁定。5.根据权利要求4所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述锁扣机构(11)包括锁扣连板(25)以及设置于所述锁扣连板(25)两端的锁扣板(26)，在所述锁扣板(26)上设置能与锁舌体(16)适配的扣板槽(12)，锁扣板(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙元鹏，梁林杰，宋志威，张文亮，
申请(专利权)人：山东阅芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：