【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备
[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域,具体地,涉及一种半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition,PVD)被广泛应用于半导体行业,具有工艺温度低、沉积速率快,杂质少以及环保无污染等优点。磁控溅射是PVD技术中最重要的一种,溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。磁控溅射不仅可以沉积金属薄膜如Au、Ag、Ti、Al、Cu、Ni、Ta
…
,还被用于沉积化合物薄膜,如TiN、AlN、ITO和SiO2等。
[0003]溅射制备的薄膜的均匀性是PVD设备工艺能力的一个最重要的指标,随着半导体技术的发展,晶圆的尺寸需求扩大、对半导体精度提出了更高标准,对于薄膜的均匀性要求也越来越高,随着5G时代的到来,在MEMS领域,尤其是在射频器件和滤波器件中,半导体器件中薄膜厚度的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载盘,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括厚度检测装置、承载盘升降装置和控制装置,所述厚度检测装置用于向所述承载盘上的基片的多个检测位置发出检测光信号并接收所述多个检测位置的反射光信号,以及根据所述反射光信号确定所述基片在多个所述检测位置的厚度,所述控制装置用于根据所述基片在多个所述检测位置的厚度确定所述基片厚度的均匀度,并在所述均匀度高于预设均匀度时,控制所述承载盘升降装置调节所述承载盘的高度。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,多个所述检测位置包括多个中心检测点和环绕多个所述中心检测点设置的外圈检测点。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,多个所述中心检测点包括位于所述基片中心的中央检测点和环绕所述中央检测点设置的内圈检测点。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述内圈检测点为4个,所述外圈检测点为4个,4个所述内圈检测点和4个所述外圈检测点均沿圆周方向等间隔分布且径向错开。5.根据权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述控制装置具体用于:在所述基片厚度的均匀度高于所述预设均匀度,且所述基片在所述中心检测点的平均厚度低于所述基片在所述外圈检测点的平均厚度时,控制所述承载盘升降装置降低所述承载盘的高度;在所述基片厚度的均匀度高于所述预设均匀度,且所述基片在所述中心检测点的平均厚度高于所述基片在所述外圈检测点的平均厚度时,...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡烁鹏,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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