产生渐缩倾斜鳍片的受控硬掩模成形制造技术

本文描述的实施方式涉及形成光学装置结构的方法。方法的一个实施方式包括以下步骤：相对于基板的表面的表面法线以离子角度将基板暴露于离子，以形成复数个深度的初始深度。图案化掩模设置在基板上方，并且包括两个或更多个凸起，两个或更多个凸起限定基板或设置在基板上的装置层的暴露部分。每个凸起具有在与装置层接触的底表面处的后尾边缘，在每个凸起的顶表面处的前导边缘和从顶表面到装置层的高度。重复以离子角度将基板暴露于离子，以形成复数个深度的至少一个后续深度。成复数个深度的至少一个后续深度。成复数个深度的至少一个后续深度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生渐缩倾斜鳍片的受控硬掩模成形
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在2018年10月31日递交的美国临时专利申请第62/753,847号的优先权，上述申请以引用的方式并入本文。
[0003]背景
[0004]领域
[0005]本公开内容的实施方式总体涉及用于增强现实、虚拟现实和混合现实的光学装置。更具体地，本文描述的实施方式提供具有渐缩(tapered)鳍片的光学装置制造。
[0006]相关技术的说明
[0007]虚拟现实通常被认为是计算机生成的模拟环境，其中使用者具有明显的物理存在。可以3D形式生成虚拟现实体验，并且使用头戴式显示器(HMD)(诸如眼镜或具有作为镜片的近眼显示面板的其他可穿戴式显示装置)来观看，以显示替代实际环境的虚拟现实环境。
[0008]然而，增强现实实现了一种体验，在所述体验中，使用者仍然能够透过眼镜或其他HMD装置的显示镜片来观看周围的环境，还能够看到为了显示而生成并且表现为环境的一部分的虚拟物体的图像。增强现实可包括任何类型的输入(诸如声音的和触觉的输入)以及加强或增强使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包含以下步骤：相对于基板的表面的表面法线以离子角度将所述基板暴露于离子，以形成复数个深度的初始深度，其中图案化多层掩模设置在所述基板上方并且包含：初始图案化掩模，设置在所述基板上方，所述初始图案化掩模具有两个或更多个初始凸起，所述两个或更多个初始凸起限定所述基板的暴露部分或设置在所述基板上的装置层的暴露部分，每个初始凸起具有在设置在所述基板上方的底表面处的后尾边缘；和至少一个后续图案化掩模，具有两个或更多个后续凸起，至少一个后续图案化掩模设置在所述初始图案化掩模的每个初始凸起上方，每个后续凸起包括在每个后续凸起的顶表面处的前导边缘和从所述顶表面到每个初始凸起的高度；和重复以所述离子角度将所述基板暴露于离子，以形成所述复数个深度的至少一个后续深度。2.如权利要求1所述的方法，其中所述初始图案化掩模包括具有第一侵蚀率的第一材料，并且所述至少一个后续图案化掩模包括具有第二侵蚀率的第二材料。3.如权利要求2所述的方法，进一步包含在将所述基板以所述离子角度暴露于离子之后执行蚀刻工艺。4.如权利要求3所述的方法，其中基于所述蚀刻工艺的蚀刻化学成分，所述第二侵蚀率大于所述第一侵蚀率。5.如权利要求2所述的方法，其中当所述基板暴露于所述离子时，所述第二侵蚀率大于所述第一侵蚀率。6.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一个后续深度的后续线宽通过减小所述高度而由在所述前导边缘的前导边缘平面和所述后尾边缘的后尾边缘平面之间的距离来控制。7.如权利要求1至6中的一项所述的方法，其中将所述基板暴露于离子包括成角度的离子蚀刻或方向性反应性离子蚀刻(RIE)。8.如权利要求1至7中的一项所述的方法，其中所述初始图案化掩模接触所述装置层。9.一种方法，包含以下步骤：相对于基板的表面的表面法线以离子角度将所述基板暴露于离子，以形成复数个深度的初始深度，其中所设置的图案化掩模在所述基板上方，并且包含：两个或更多个凸起，所述两个或更多个凸起限定所述基板的暴露部分或设置在所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢多维克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：