药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法、半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种在用作显影液或冲洗液时，能够形成图案间隔的偏差得到抑制的抗蚀剂图案的药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法及半导体芯片的制造方法。本发明专利技术的药液含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，相对于药液总质量，乙酸正丁酯的含量为99.000～99.999质量％，相对于药液总质量，乙酸异丁酯的含量为1.0～1000质量ppm。1.0～1000质量ppm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法、半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法及半导体芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]在通过包括光刻的配线形成工序制造半导体器件时，作为显影液及冲洗液等处理液，使用含有水和/或有机溶剂的药液。
[0003]作为用于以往的抗蚀剂图案形成的药液，在专利文献1中公开了一种“在图案形成技术中，能够减少粒子的产生的、化学增幅型抗蚀剂膜的图案形成用有机系处理液的制造方法([0010]段)”。在专利文献1中公开了将上述有机系处理液用作显影液或冲洗液的方式。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2015
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084122号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术课题
[0008]另一方面，近年来，随着光刻技术的进步而微细化得到发展，还要求在制造半导体器件时所使用的抗蚀剂图案的更进一步的高精细化。
[0009]使用在专利文献1中具体记载的乙酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种药液，其含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，相对于所述药液总质量，所述乙酸正丁酯的含量为99.000质量％～99.999质量％，相对于所述药液总质量，所述乙酸异丁酯的含量为1.0质量ppm～1000质量ppm。2.根据权利要求1所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，相对于所述药液总质量，所述乙酸戊酯类的含量为1.0质量ppm～300质量ppm。3.根据权利要求2所述的药液，其中，所述乙酸戊酯类含有选自由乙酸1
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甲基丁酯、乙酸2
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甲基丁酯及乙酸3
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甲基丁酯组成的组中的化合物。4.根据权利要求2或3所述的药液，其中，所述乙酸异丁酯的含量与所述乙酸戊酯类的含量的质量比为0.5～300。5.根据权利要求1至4中任一项所述的药液，其还含有丙酸丁酯，相对于所述药液总质量，所述丙酸丁酯的含量为1.0质量ppm～700质量ppm。6.根据权利要求5所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，所述丙酸丁酯的含量与所述乙酸戊酯类的含量的质量比为0.10～10.0。7.根据权利要求1至6中任一项所述的药液，其还含有甲酸丁酯，相对于所述药液总质量，所述甲酸丁酯的含量为1.0质量ppm～50质量ppm。8.根据权利要求1至7中任一项所述的药液，其还含有二丁醚，相对于所述药液总质量，所述二丁醚的含量为5.0质量ppm～500质量ppm。9.根据权利要求8所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，所述二丁醚的含量与所述乙酸戊酯类的含量的质量比超过0.5且为35.0以下。10.根据权利要求1至9中任一项所述的药液，其还含有1
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丁醇，相对于所述药液总质量，所述1
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丁醇的含量为5.0质量ppm～3500质量ppm。11.根据权利要求1至10中任一项所述的药液，其还含有硫酸根，相对于所述药液总质量，所述硫酸根的含量为1.0质量ppm～200质量ppm。12.根据权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村哲也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：