使用用于像素对准的校正循环的缺陷位置确定制造技术

一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用用于像素对准的校正循环的缺陷位置确定相关申请案本申请案主张2018年10月19日申请的标题为“缺陷位置准确度(DefectLocationAccuracy)”的第62/748,043号美国临时专利申请案的优先权，所述申请案的全部内容据此出于全部目的而以引用的方式并入。
本专利技术涉及用于半导体晶片的缺陷检验，且更明确来说，本专利技术涉及用于缺陷检测的晶片图像对准。
技术介绍
可通过使用检验工具产生目标裸片的目标图像，且从所述目标图像减去参考裸片的参考图像(或反之亦然)而在半导体晶片上识别缺陷。目标图像与参考图像之间的差异可表示缺陷。为了使此缺陷识别精确，目标图像中的相应像素应对应于裸片上的与参考图像中的相应像素相同的位置。因此，晶片应在检验工具中精确对准以确保目标图像与参考图像之间的像素的此对应。然而，检验工具中的目标与参考晶片图像对准呈现巨大挑战。举例来说，检验期间的半导体晶片的局部加热可能导致裸片大小的局部变化。这些局部变化劣化对准且借此劣化识别缺陷位置的精确度。在另一实例中，晶片上的裸片行及列与检验工具中的晶片卡盘的x本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片缺陷检验系统，其包括：/n半导体晶片检验工具；/n一或多个处理器；及/n存储器，其存储一或多个程序以由所述一或多个处理器实行，所述一或多个程序包括用于以下项的指令：/n针对半导体晶片执行预检验对准；/n在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像；/n确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移；/n使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别；/n在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像；且/n在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181019 US 62/748,043;20190521 US 16/417,6451.一种半导体晶片缺陷检验系统，其包括：
半导体晶片检验工具；
一或多个处理器；及
存储器，其存储一或多个程序以由所述一或多个处理器实行，所述一或多个程序包括用于以下项的指令：
针对半导体晶片执行预检验对准；
在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像；
确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移；
使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别；
在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像；且
在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。


2.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述半导体晶片包括具有共同布局的多个裸片；且
所述已知点是所述共同布局中的所述目标结构的位置，其中在指定所述布局的档案中提供所述共同布局中的所述目标结构的所述位置。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述已知点是所述晶片的中心。


4.根据权利要求3所述的系统，其中用于执行所述预检验对准的所述指令包括用于计算所述晶片的所述中心的位置的指令。


5.根据权利要求1所述的系统，其中用于使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准的所述指令包括用于以下项的指令：
至少部分基于所述偏移来确定所述半导体晶片的旋转校正因子；且
使所述晶片或所述晶片的图像旋转达对应于所述旋转校正因子的数量。


6.根据权利要求5所述的系统，其中：
用于实行所述第二扫描带的所述指令包括用于产生并缓冲所述第二区中的第一裸片的图像及所述第二区中的第二裸片的图像的指令；且
用于确定所述半导体晶片的所述旋转校正因子的所述指令包括用于以下项的指令：
识别所述第二区中的所述第一裸片的所述图像中的所述目标结构的位置与所述第二区中的所述第二裸片的所述图像中的所述目标结构的位置之间的差异；
至少部分基于所述偏移来指定针对所述旋转校正因子的搜索窗；且
根据所述所识别差异在所述搜索窗内搜索所述旋转校正因子。


7.根据权利要求6所述的系统，其中所述第一裸片邻近所述第二扫描带中的所述第二裸片。


8.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述半导体晶片缺陷检验系统包括时域积分TDI相机；
用于实行所述第一扫描带及所述第二扫描带的所述指令包括用于使用所述TDI相机来产生所述第一图像及所述第二图像的指令；且
用于使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准的所述指令包括用于以下项的指令：
至少部分基于所述偏移来确定所述第二区中的裸片的比例因子，其中所述比例因子指示如在执行所述运行时间对准时测量的所述裸片的尺寸与所述裸片的已知尺寸之间的差；且
根据所述比例因子来调整所述TDI相机的操作速率。


9.根据权利要求8所述的系统，其中：
用于实行所述第二扫描带的所述指令包括用于产生并缓冲所述第二区中的第一裸片的图像及所述第二区中的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·道林，T·辛格，B·布拉尔，S·巴塔查里亚，B·曼蒂普利，李胡成，李晓春，S·S·帕克，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US