【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于建立晶片连接的方法
本专利技术涉及一种在第一晶片和第二晶片之间建立晶片连接的方法。本专利技术还涉及一种MEMS传感器。
技术介绍
虽然本专利技术一般能应用在任意MEMS传感器上，但本专利技术针对MEMS压力传感器来说明。已知的封装技术需要使压力传感器的压力敏感部分、即压力传感器膜片借助专门的弹簧结构与传感器的其余部分机械脱耦并由此使其不受安装和连接技术的影响。此外，使压力传感器承受机械应力、例如弯曲的外部影响例如是基于成型过程的机械张力、具有不同热膨胀系数的材料混合的结构和由于在电路板上安装的传感器的焊接连接而引起的应力。在已知的MEMS过程中，对于应力脱耦需要MEMS传感器的相对较薄的晶片，尤其是具有小于300μm厚度的晶片。这些晶片厚度是不可加工的并且该晶片因此被施加在载体晶片上，该载体晶片能够以分析评价ASIC的形式提供。对于MEMS传感器和分析评价ASIC之间的电连接已知的是，使用具有合适的芯片对芯片接触(chiptochipKontakt)的共晶键合。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种用于在第一晶片和第二晶片(2，3)之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：/n-提供(S1)第一材料和第二材料(4a，4b)以形成共晶合金(4c)；/n-提供(S2)第一晶片(2)，该第一晶片具有用于凸模结构(6)的接收结构(5)；/n-用所述第一材料(4a)填充(S3)所述接收结构(5)；/n-提供(S4)具有凸模结构(6)的第二晶片(3)，其中，在所述凸模结构(6)上布置所述第二材料(4b)；/n-提供(S5)在第一晶片和/或第二晶片(2，3)上的止挡结构(8)，使得在这两个晶片(2，3)接合时提供限定的止挡(8a)；/n-至少将所述第一材料和第二材料(4...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181004 DE 102018216971.31.一种用于在第一晶片和第二晶片(2，3)之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：
-提供(S1)第一材料和第二材料(4a，4b)以形成共晶合金(4c)；
-提供(S2)第一晶片(2)，该第一晶片具有用于凸模结构(6)的接收结构(5)；
-用所述第一材料(4a)填充(S3)所述接收结构(5)；
-提供(S4)具有凸模结构(6)的第二晶片(3)，其中，在所述凸模结构(6)上布置所述第二材料(4b)；
-提供(S5)在第一晶片和/或第二晶片(2，3)上的止挡结构(8)，使得在这两个晶片(2，3)接合时提供限定的止挡(8a)；
-至少将所述第一材料和第二材料(4a、4b)至少加热(S6)到所述共晶合金(4c)的共晶温度；
-将所述第一晶片和第二晶片(2，3)接合(S7)，使得所述凸模结构(6)至少部分地插入到所述接收结构(5)中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构(5)、所述凸模结构(6)的尺寸以及第一材料和第二材料的量，使得在这两个晶片(2，3)接合之后，由这两个材料(4a，4b)组成的共晶合金保留在所述接收结构(5)内并且所述凸模结构(5)至少部分被所述共晶合金包围。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，这两个材料(4a，4b)的至少一个材料仅部分地熔化。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述凸模结构(5)的厚度(101)制造得比所述止挡结构(8)的厚度(102)大。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，确定所述止挡结构(8)、所述接收结构(5)、所述凸模结构(6)的尺寸以及第一材料和第二材料(4a，4b)的量，使得在这两个晶片(2，3)接合之后，所述凸模结构(6)至少部分地布置在所述第一材料(4a)在接合之前在所述接收结构(5)中的体积的表面(4a')的下方。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，在所述接合之后，...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·森兹，T·弗里德里希，F·霍伊克，P·施莫尔林格鲁贝尔，F·罗尔夫林，J·托马斯科，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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