一种可编程忆阻器逻辑电路制造技术

本发明专利技术公开了一种可编程忆阻器逻辑电路，包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2、第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3。该电路通过调节使能端来实现在同一电路中完成“与”、“或”、“非”逻辑运算的功能，电路结构简单，功能调节灵活，对基于忆阻器的数字逻辑电路的研究具有重大意义。

【技术实现步骤摘要】
一种可编程忆阻器逻辑电路
本专利技术属于电路设计
，涉及一种可编程忆阻器逻辑电路，具体涉及一种在同一电路中实现多种逻辑运算功能的电路。
技术介绍
忆阻器是表示磁通和电荷关系的二端口电路器件，是一种具有非易失性的电阻，由于忆阻器拥有纳米尺寸，擦写速度快，记忆特性，开关特性和良好的CMOS兼容性，所以其在非易失性存储器、大规模集成电路、人工神经网络、人工智能和数字逻辑电路等方向有着巨大的研究潜能。阈值型忆阻器具有独特的高、低两个电阻值状态和确定的阈值电压，很契合地对应于数字逻辑中的“0”和“1”，并调节方便。基于忆阻器的数字逻辑电路的研究，如今成果较为广泛。但是一般的忆阻数字逻辑电路都只可以在同一电路中实现一种逻辑运算功能，应用时较为复杂，在实现多种逻辑运算功能时需要大量电路元件，占用较多电路面积。因此，本专利技术涉及一种可编程忆阻器逻辑电路，具体涉及一种在同一电路中实现多种逻辑运算功能的电路。
技术实现思路
针对现在技术和研究成本上存在的问题，本专利技术提供一种新型结构的可编程忆阻器逻辑电路，该电路通过使能端控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可编程忆阻器逻辑电路，其特征在于，至少包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2，通过设置第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3，控制各个NMOS晶体管的状态和阈值型忆阻器的阻态，进而实现在同一电路中完成多种逻辑运算；/n其中，所述的第一阈值型忆阻器Ma的正端连接第一NMOS晶体管M1的漏极；第二阈值型忆阻器Mb的正端连接第二NMOS晶体管M2的漏极，Ma、Mb...

【技术特征摘要】
1.一种可编程忆阻器逻辑电路，其特征在于，至少包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2，通过设置第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3，控制各个NMOS晶体管的状态和阈值型忆阻器的阻态，进而实现在同一电路中完成多种逻辑运算；
其中，所述的第一阈值型忆阻器Ma的正端连接第一NMOS晶体管M1的漏极；第二阈值型忆阻器Mb的正端连接第二NMOS晶体管M2的漏极，Ma、Mb的负端均连接时钟信号VCLK；第四阈值型忆阻器Md的负端连接第五NMOS晶体管M5的漏极，Md的正端连接时钟信号VCLK；第三阈值型忆阻器Mc的负端连接第三NMOS晶体管M3的漏极，Mc的正端连接第二NMOS晶体管M2的源极；
所述的第一NMOS晶体管M1的栅极连接信号输入端A，M1的源极连接第一电阻R1的一端；第二NMOS晶体管M2的栅极连接信号输入端B；第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：林弥，王旭亮，李路平，陈俊杰，韩琪，罗文瑶，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33