一种对存储装置执行操作的方法制造方法及图纸

本申请实施例提供一种对存储装置执行操作的方法，其包括确定待施加于操作单元的初始操作电压和可施加于操作单元的最大操作电压；将初始操作电压至最大操作电压的操作区段分为M个子操作区段，操作电压适于基于子操作区段以预定增量从初始操作电压逐段增大，操作电压在相邻的子操作区段具有不同的预定增量和不同的脉冲宽度，M为大于1的自然数；对操作单元施加初始操作电压以执行操作；对操作执行校验；判断校验是否成功，如果为否，则基于子操作区段逐段增大操作电压、对操作单元施加增大的操作电压以执行操作、对操作执行校验，直至校验成功。本申请实施例优化了操作对高压的控制，缩短了操作时间，提高了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种对存储装置执行操作的方法
本专利技术涉及存储
，尤其涉及对存储装置执行操作的方法。
技术介绍
存储器(或称为存储装置)包括易失性存储器和非易失性存储器，非易失性存储器包括ROM存储器和FLASH存储器，而FLASH存储器包括NOR存储器(也称为NOR闪存)和NAND存储器(也称为NAND闪存)。存储器包括存储单元，对于单层单元(Single-LevelCell，简称为“SLC”)，一个存储单元存储1个比特；对于多层单元(Multi-LevelCell，简称为“MLC”)，一个存储单元存储2个比特；对于三层单元(Triple-LevelCell，简称为“TLC”)，一个存储单元存储3个比特；对于四层单元(Quad-LevelCell，简称为“QLC”)，一个存储单元存储4个比特。以NAND存储器为例，其存储单元采用浮栅结构，编程和擦除都是利用FN隧穿效应实现的，其中，编程以页为单位，擦除以块为单位。要使电子发生隧穿进出浮栅，需在控制栅和衬底两端施加高压以产生强电场，该高压通常达到20V甚至更高，这会影响器件的可靠性，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对存储装置执行操作的方法，所述存储装置包括存储单元和操作单元，所述方法包括：/n确定待施加于所述操作单元的初始操作电压和可施加于所述操作单元的最大操作电压；/n将所述初始操作电压至所述最大操作电压的操作区段分为M个子操作区段，其中，操作电压适于基于所述子操作区段以预定增量从所述初始操作电压逐段增大，所述操作电压在相邻的子操作区段具有不同的预定增量和不同的脉冲宽度，M为大于1的自然数；/n对所述操作单元施加所述初始操作电压以执行所述操作；/n对所述操作执行校验；/n判断所述校验是否成功，如果为否，则基于所述子操作区段逐段增大所述操作电压、对所述操作单元施加增大的操作电压以执行所述操作、对...

【技术特征摘要】
1.一种对存储装置执行操作的方法，所述存储装置包括存储单元和操作单元，所述方法包括：
确定待施加于所述操作单元的初始操作电压和可施加于所述操作单元的最大操作电压；
将所述初始操作电压至所述最大操作电压的操作区段分为M个子操作区段，其中，操作电压适于基于所述子操作区段以预定增量从所述初始操作电压逐段增大，所述操作电压在相邻的子操作区段具有不同的预定增量和不同的脉冲宽度，M为大于1的自然数；
对所述操作单元施加所述初始操作电压以执行所述操作；
对所述操作执行校验；
判断所述校验是否成功，如果为否，则基于所述子操作区段逐段增大所述操作电压、对所述操作单元施加增大的操作电压以执行所述操作、对所述操作执行所述校验，直至所述校验成功，其中所述增大的操作电压具有与相应子操作区段对应的所述预定增量和所述脉冲宽度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储装置为NOR存储器或NAND存储器。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：判断所述操作电压是否大于所述最大操作电压，如果为是，则确定操作失败。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相邻的子操作区段包括在先操作的第一子操作区段和在后操作的第二子操作区段，所述第一子操作区段具有第一预定增量和第一脉冲宽度，所述第二子操作区段具有第二预定增量和第二脉冲宽度，所述方法包括：
基于所述存储单元的阈值电压随操作电压的变化曲线判断所述第一子操作区段是否比所述第二子操作区段具有更高的阈值电压变化率，如果为是，则设置所述第一预定增量小于所述第二预定增量，否则设置所述第一预定增量大于所述第二预定增量，其中，所述阈值电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑞欣，沈磊，
申请(专利权)人：上海复旦微电子集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31