显示装置及补偿电路制造方法及图纸

本申请提供一种显示装置及补偿电路，包括：显示屏幕，被配置为显示图像画面；声音再现装置，被配置为播放声音；供电电路，被配置为向所述显示装置的负载提供电能；所述供电电路包括：整流电路和补偿电路；其中，所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电；所述补偿电路用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。本申请能够解决同步整流MOSFET的引脚上的寄生电感影响所检测的同步整流MOSFET两侧的电压，影响对同步整流MOSFET的导通与关断进行的控制的技术问题，并实现减少MOSFET发热现象并减少同步整流MOSFET的损耗的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及补偿电路本申请要求于2019年11月04日提交中国专利局、申请号为201911067969.X、申请名称为“同步整流MOSFET的补偿电路”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本专利技术涉及电子技术，尤其涉及一种显示装置及补偿电路。
技术介绍
显示装置中的整流电路是一种用于将交流电转换为直流电的电路，在一些应用场景中，需要采集整流电路中同步整流MOSFET两侧的电压值，将电压值作为触发执行显示装置功能的判断依据。例如，整流电路中设置的同步整流(synchronousrectification，简称：SR)驱动芯片根据同步整流MOSFET两侧的电压值确定控制该同步整流MOSFET导通和关断。但是，由于整流电路的同步整流MOSFET的引脚上存在寄生电感，影响SR驱动芯片所采集的电压值，从而影响处理器控制同步整流MOSFET导通和关断的时机，进而导致同步整流MOSFET整体发热的现象较为严重，增大了同步整流MOSFET的损耗。
技术实现思路
本专利技术实施方式第一方面，提供一种显示装置，包括：显示屏幕，被配置为显示图像画面；声音再现装置，被配置为播放声音；供电电路，被配置为向所述显示装置的负载提供电能；所述供电电路包括：整流电路和补偿电路；其中，所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电；所述补偿电路用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。可选的，所述整流电路包括：次级线圈、所述同步整流MOSFET和负载构成的闭合回路；所述补偿电路包括：电磁感应线圈，设置在所述整流电路的闭合回路中；所述电磁感应线圈被配置为，在所述闭合回路中的闭合电流的作用下生成补偿信号，所述补偿信号用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。可选的，还包括：控制器，被配置为控制所述同步整流MOSFET；所述同步整流MOSFET的源级连接所述次级线圈和所述电磁感应线圈的第一端，所述同步整流MOSFET的漏级分别连接所述负载和所述控制器；所述电磁感应线圈的第二端连接所述控制器；所述电磁感应线圈具体被配置为在所述闭合回路中的闭合电流的作用下，生成所述第一端和所述第二端之间的补偿信号；所述控制器被配置为，根据所述电磁感应线圈的第二端和所述同步整流MOSFET的漏级之间的电压生成控制信号，所述控制信号用于控制所述同步整流MOSFET。可选的，还包括：控制器，被配置为控制所述同步整流MOSFET；所述同步整流MOSFET的源级连接所述次级线圈和所述电磁感应线圈的第一端，所述同步整流MOSFET的漏级连接所述负载和所述控制器；所述电磁感应线圈的第二端连接所述控制器；所述电磁感应线圈具体被配置为在所述闭合回路中的闭合电流的作用下，生成所述第一端和所述第二端之间的补偿信号；所述控制器被配置为，根据所述电磁感应线圈的第二端和所述同步整流MOSFET的源级之间的电压生成控制信号，所述控制信号用于控制所述同步整流MOSFET。可选的，所述控制器包括：SR驱动芯片；所述SR驱动芯片的CS管脚连接所述电磁感应线圈第二端；所述SR驱动芯片的GND管脚连接所述同步整流MOSFET的漏级；所述SR驱动芯片的DRV管脚连接所述同步整流MOSFET的栅极；可选的，所述控制器包括：SR驱动芯片；所述SR驱动芯片的CS管脚连接所述同步整流MOSFET的源级；所述SR驱动芯片的GND管脚连接所述电磁感应线圈第二端；所述SR驱动芯片的DRV管脚连接所述同步整流MOSFET的栅极；可选的，当所述控制信号是所述SR驱动芯片发送至所述同步整流MOSFTE的栅极的低电平信号，所述低电平信号用于控制所述同步整流MOSFET的源级和漏级之间关断；当所述控制信号是所述SR驱动芯片发送至所述同步整流MOSFTE的栅极的高电平信号，所述高电平信号用于控制所述同步整流MOSFET的源级和漏级之间导通。可选的，所述电磁感应线圈包括至少一圈闭合的导线。可选的，所述整流电路和所述补偿电路设置在单面PCB板上；所述电磁感应线圈为所述控制器的引脚与所述同步整流MOSFET的引脚之间所连接的导线。可选的，所述寄生信号由所述同步整流MOSFET的引脚的寄生电感生成。可选的，所述寄生信号和所述补偿信号为电压信号。本专利技术实施方式第二方面，提供一种补偿电路，用于补偿整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号；所述整流电路包括：次级线圈、所述同步整流MOSFET和负载构成的闭合回路；所述补偿电路包括：电磁感应线圈，设置在所述闭合回路中，用于在所述闭合回路中的闭合电流的作用下，生成补偿信号。本专利技术实施方式第三方面，提供一种显示装置，包括：第一显示屏幕，用于显示第一图像画面；第二显示屏幕，用于显示第二图像画面；声音再现装置，被配置为播放声音；供电电路，被配置为向所述显示装置的负载提供电能；所述供电电路包括：整流电路和补偿电路；其中，所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电；所述整流电路包括：次级线圈、所述同步整流MOSFET和负载构成的闭合回路；所述补偿电路包括：电磁感应线圈，设置在所述整流电路的闭合回路中；所述电磁感应线圈被配置为，在所述闭合回路中的闭合电流的作用下生成补偿信号，所述补偿信号用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。技术效果：通过同步整流电路中设置的补偿电路，对同步整流MOSFET所产生的寄生信号进行补偿，进而使得处理器所检测的同步整流MOSFET两侧的电压能够更加真实地反应电流流经同步整流MOSFET实际所产生的电压。从而解决同步整流MOSFET的引脚上的寄生电感影响所检测的同步整流MOSFET两侧的电压，进而影响对同步整流MOSFET的导通与关断进行的控制的技术问题，并实现减少MOSFET发热现象并减少同步整流MOSFET的损耗的技术效果。附图说明图1中示例性示出了根据实施例中显示装置与控制装置之间操作场景的示意图；图2中示例性示出了根据示例性实施例中显示装置200中硬件系统的硬件结构示意图；图3中示例性示出了根据示例性实施例中显示装置中硬件系统的硬件结构示意图；图4示出了电源板与负载的连接关系示意图；图5中示例性示出了根据图2或图3所示显示装置200的硬件架构框图；图6中示例性示出了根据示例性实施例中显示装置的功能配置示意图；图7示出了本申请中一种电源架构的具体介绍，其中，显示装置具有双电源；图8示出了本申请中另一种电源架构的具体介绍，其中，显示装置具有单电源；图9为LLC同步整流电路中主要元件的结构示意图，以说明整流电路的工作原理；图10为一种同步整流MOSFET的控制电路的结构示意图；图11为包括引脚的同步整流MOSFET的结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：/n显示屏幕，被配置为显示图像画面；/n声音再现装置，被配置为播放声音；/n供电电路，被配置为向所述显示装置的负载提供电能；/n所述供电电路包括：整流电路和补偿电路；/n其中，所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电；/n所述补偿电路用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。/n

【技术特征摘要】
20191104 CN 201911067969X1.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示屏幕，被配置为显示图像画面；
声音再现装置，被配置为播放声音；
供电电路，被配置为向所述显示装置的负载提供电能；
所述供电电路包括：整流电路和补偿电路；
其中，所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电；
所述补偿电路用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述整流电路包括：次级线圈、所述同步整流MOSFET和负载构成的闭合回路；
所述补偿电路包括：电磁感应线圈，设置在所述整流电路的闭合回路中；所述电磁感应线圈被配置为，在所述闭合回路中的闭合电流的作用下生成补偿信号，所述补偿信号用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：
控制器，被配置为控制所述同步整流MOSFET；
所述同步整流MOSFET的源级连接所述次级线圈和所述电磁感应线圈的第一端，所述同步整流MOSFET的漏级分别连接所述负载和所述控制器；所述电磁感应线圈的第二端连接所述控制器；
所述电磁感应线圈具体被配置为在所述闭合回路中的闭合电流的作用下，生成所述第一端和所述第二端之间的补偿信号；
所述控制器被配置为，根据所述电磁感应线圈的第二端和所述同步整流MOSFET的漏级之间的电压生成控制信号，所述控制信号用于控制所述同步整流MOSFET。


4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：
控制器，被配置为控制所述同步整流MOSFET；
所述同步整流MOSFET的源级连接所述次级线圈和所述电磁感应线圈的第一端，所述同步整流MOSFET的漏级连接所述负载和所述控制器；所述电磁感应线圈的第二端连接所述控制器；
所述电磁感应线圈具体被配置为在所述闭合回路中的闭合电流的作用下，生成所述第一端和所述第二端之间的补偿信号；
所述控制器被配置为，根据所述电磁感应线圈的第二端和所述同步整流MOSFET的源级之间的电压生成控制信号，所述控制信号用于控制所述同步整流MOSFET。


5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述控制器包括：SR驱动芯片；
所述SR驱动芯片的CS管脚连接所述电磁感应线圈第二端；
所述SR驱动芯片的GND管脚连接所述同步整流MOSFET的漏级；
所述SR驱动芯片的DRV管脚连接所述同步整...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞震华，
申请(专利权)人：海信视像科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37