一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法及应用，包括如下步骤：(1)在衬底材料的表面采用湿法刻蚀获得具有微纳结构阵列图案的光刻胶层，所述微纳结构阵列图案由多条二维条状镂空单元结构构成；(2)在具有所述光刻胶层的衬底材料的表面多次滴涂纳米星颗粒溶胶并自然干燥，金纳米兴颗粒即沉积在所述镂空单元结构内，去除光刻胶后最终在所述衬底材料表面获得多条纳米星链状纳米结构阵列。本发明专利技术能够将现有技术中离散的纳米材料构造成具有纳米尺度的纳米链，不仅使纳米颗粒间距达到纳米尺度，纳米链之间间距也具有纳米尺度，能够应用于表面增强拉曼散射基底，提高局域场增强效应，本发明专利技术金纳米星链状纳米结构阵列具有更好的光电效应。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法及应用
本专利技术涉及纳米材料制备领域，具体涉及一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法及应用。
技术介绍
近年来，贵金属纳米材料由于其独特的光学、电学、力学和催化作用以及生物相容等特性在纳米科技领域引起了广泛的兴趣，特别是在光伏增效或拉曼检查技术上有着巨大的应用前景。金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应是由于纳米颗粒表面电子云受入射电磁波(或入射光)中电场激励，而产生相互作用，形成表面等离子体激元。这种表面等离子体激元可产生电场幅度高于入射电磁波103-107倍的局域电场强度。在纳米
，称之为热点。在光伏领域可以利用这种场局域效应增强附近光伏材料对入射光的吸收，在拉曼领域可以利用这种热点提高拉曼检测过程中的拉曼信号。现有技术中如中国专利201711349542.X公开了一种纳米及微米孔的加工方法，能够制备出微纳复合结构金属粒子点阵列；如中国专利201710637648.3公开了表面增强拉曼散射基底的制备方法，获得的也是具有离散结构的点阵列。而离散的点阵列虽然能够在一定程度上提高局域场增强效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)在干净、平整的衬底材料的表面采用湿法刻蚀获得具有微纳结构阵列图案的光刻胶层，所述微纳结构阵列图案由多条二维条状镂空单元结构构成；/n(2)在具有所述光刻胶层的衬底材料的表面多次滴涂纳米星颗粒溶胶并自然干燥，金纳米兴颗粒即沉积在所述镂空单元结构内，去除光刻胶后最终在所述衬底材料表面获得多条纳米星链状纳米结构阵列。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在干净、平整的衬底材料的表面采用湿法刻蚀获得具有微纳结构阵列图案的光刻胶层，所述微纳结构阵列图案由多条二维条状镂空单元结构构成；
(2)在具有所述光刻胶层的衬底材料的表面多次滴涂纳米星颗粒溶胶并自然干燥，金纳米兴颗粒即沉积在所述镂空单元结构内，去除光刻胶后最终在所述衬底材料表面获得多条纳米星链状纳米结构阵列。


2.根据权利要求1所述的一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的方法是：在所述衬底材料的表面旋涂一层光刻胶，经过烘干后得到光刻胶薄膜，采用具有二维条状微纳结构阵列图案的掩模版对所述光刻胶薄膜进行曝光，曝光后进行后烘、显影，从而在所述衬底材料的表面得到所述微纳结构阵列图案的光刻胶层。


3.根据权利要求2所述的一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，若所述光刻胶为正性光刻胶，则相应的所述掩模版的所述微纳结构阵列图案处为透光部分，所述掩模版的其余处为非透光部分；若所述光刻胶为负性光刻胶，则相应的所述掩模版的所述微纳结构阵列图案处为非透光部分，所述掩模版的其余处为透光部分。


4.根据权利要求1所述的一种纳米星链状纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为200nm以上；所述条状镂空单元结构之间的间距为200nm～1000nm，所述条状镂空单元结构的宽度为80nm～150nm。


5.根据权利要求1所述的一种纳米星链状纳米结构阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱圣清，向萌，张洪硕，周鹏，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32