MEMS异形芯片的切割方法技术

本发明专利技术适用于MEMS微细加工技术领域，提供了一种MEMS异形芯片的切割方法，包括：确定MEMS晶圆正面异形芯片的划片道、并制备分离槽，所述分离槽的深度大于所述异形芯片的厚度；在所述MEMS晶圆的正面粘贴第一胶膜，采用研磨的方法对所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工，直至研磨掉所述分离槽的槽底；在减薄后的MEMS晶圆背面粘贴第二胶膜，剥离所述第一胶膜，得到多个独立的MEMS异形芯片。本发明专利技术通过在MEMS晶圆正面制备分离槽，反面研磨减薄，实现了异形芯片的分离。

【技术实现步骤摘要】
MEMS异形芯片的切割方法
本专利技术属于MEMS微细加工
，尤其涉及一种MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)异形芯片的切割方法。
技术介绍
MEMS芯片的分离通常采用划片工艺实现。目前在MEMS晶圆划片领域，主要有砂轮划片和激光划片。其中，砂轮切割划片是目前应用最为广泛的切割技术，其机理是机械磨削。砂轮切割属于线性切割工艺，无法实现异形芯片的分离，且砂轮切割过程中由于存在机械接触，MEMS芯片边缘非常容易发生崩边，尤其是芯片背面崩边。而激光划片设备价格昂贵，还未能规模化应用，多数也属于线性切割，对晶圆正面和背面的机械应力，都会降低晶圆的机械强度，出现碎片、断裂等现象，且也无法实现异形芯片的正常分离。在很多领域，由于封装或产品本身性能的要求，需将MEMS芯片做成异形的，如圆形、正五边形、正六边形等。因此，亟需一种新的MEMS异形芯片的切割方法，从而实现低成本、高效率的制备异形芯片。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种MEMS异形芯片的切割方法，旨在解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，包括：/n确定MEMS晶圆正面异形芯片的划片道、并制备分离槽，所述分离槽的深度大于所述异形芯片的厚度；/n在所述MEMS晶圆正面粘贴第一胶膜，采用研磨的方法对所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工，直至研磨掉所述分离槽的槽底；/n在减薄后的MEMS晶圆背面粘贴第二胶膜，剥离所述第一胶膜，得到多个独立的MEMS异形芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，包括：
确定MEMS晶圆正面异形芯片的划片道、并制备分离槽，所述分离槽的深度大于所述异形芯片的厚度；
在所述MEMS晶圆正面粘贴第一胶膜，采用研磨的方法对所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工，直至研磨掉所述分离槽的槽底；
在减薄后的MEMS晶圆背面粘贴第二胶膜，剥离所述第一胶膜，得到多个独立的MEMS异形芯片。


2.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述制备分离槽的方法为：DRIE干法刻蚀或湿法刻蚀。


3.如权利要求2所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述分离槽的深度比所述异形芯片的厚度至少大3μm。


4.如权利要求2所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述分离槽采用干法刻蚀制备时，所述分离槽的槽宽与槽深比为1:10～1:40。


5.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述MEMS晶圆的背...

【专利技术属性】
技术研发人员：任霄峰，何洪涛，杨志，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13