一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，包括MOS管Q5、电容C3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管D；稳态输入时，三极管Q2导通，二极管D不击穿，三极管Q3、三极管Q4、三极管Q1均关断，MOS管Q5开通。过压浪涌时，当过压浪涌通过MOS管Q5后，二极管D击穿，三极管Q3、三极管Q4、三极管Q1均开通，MOS管Q5短路，MOS管Q5关断，二极管D恢复不击穿，三极管Q3、三极管Q4、三极管Q1均关断，MOS管Q5恢复开通；通过二极管D持续击穿反馈，MOS管Q5对过压浪涌斩波，斩波后的脉冲电压经电容C滤波后输出稳定的电压，从而实现过压浪涌抑制功能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路
本技术涉及抑制电路领域，尤其是一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路。
技术介绍
浪涌电压抑制器是针对航空器、机载、弹载等应用场合复杂的空间、用电环境而针对性研发的电路产品，作用于电源前端。根据GJB181(A/B)的要求，一般军用28V直流设备都要满足电源瞬态特性的要求，包括80V/50ms过压浪涌、±600V/10us/50Ω瞬态尖峰等。电路采用有源器件对过高瞬态浪涌电压进行跟踪和抑制，保证输出电压始终维持在设备允许的供电范围之内，超出正常供电部分的电压被斩波，经滤波后降低到设置的直流电压以下，从而净化供电，保证系统可靠工作。传统的抑制浪涌电流的方法是在整流电路的回路中，串入合适的负温度系数的热敏电阻(NTC)。然而热敏电阻冷却时间较长，在热敏电阻未冷却时，若电源开关再次接通或电路重新上电，这时产生的浪涌就会很大，热敏电阻的保护作用会下降，甚至完全失去作用。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路。本技术通过以下技术方案实现的：本技术提出一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，包括第一电路、第二电路和二极管D，所述二极管D将所述第一电路的输出端与所述第二电路的输出端连接；所述第一电路包括MOS管Q5、电容C3、三极管Q1，所述第二电路包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4。进一步地，所述三极管Q1的集电极连接VIN端，所述MOS管Q5的栅极连接所述三极管Q1的发射极、所述三极管Q2的集电极，所述电容C3将VIN端耦接到所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的基极、所述三极管Q3的集电极、所述三极管Q4的集电极均与所述三极管Q1的基极连接。进一步地，所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的基极、所述三极管Q4的发射极均耦接到所述二极管D的正极。进一步地，所述所述第二电路包括电阻R8，所述电阻R8将所述三极管Q4的发射极耦接到所述二极管D的正极。进一步地，所述所述第二电路包括电阻R6，所述电阻R6将所述所述三极管Q2的发射极耦接到所述ON/OFF端。进一步地，所述第一电路包括电阻R7，所述电阻R7将所述MOS管Q5的漏极耦接到所述二极管D的负极，所述MOS管Q5的源极连接VIN端。进一步地，所述第一电路包括电容C3，所述电容C3的输入端连接VIN端，所述电容C3的输出端连接所述三极管Q2的集电极。进一步地，所述第一电路包括电阻R4，所述电阻R4的输入端连接VIN端，所述电阻R4的输出端连接所述三极管Q2的基极。进一步地，所述第一电路包括电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2，所述电阻R1的输入端、所述电阻R3的输入端，所述二极管D1的负极均连接VIN端，所述电阻R1的输出端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R3的输出端连接所述MOS管Q5的栅极，所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极，所述二极管D2的正极连接所述MOS管Q5的栅极。进一步地，所述第二电路包括电阻R2、电容C1，所述电阻R2的输出端与所述电容C1的输入端串联，所述电阻R2的输入端连接所述三极管Q1的基极。进一步地，所述第二电路包括电阻R5、电容C2，所述电阻R5与所述电容C2并联，所述电阻R5的输入端、所述电容C2的输入端均连接所述三极管Q2的基极。进一步地，所述MOS管Q5漏极连接电容C。本技术的有益效果：稳态输入时，三极管Q2处于导通状态，二极管D不击穿，三极管Q3、三极管Q4均处于关断状态，故三极管Q1也处于关断状态，输入电压经分压后驱动MOS管Q5开通，MOS管Q5开通，整个电路直通，输出跟随输入。过压浪涌时，当过压浪涌通过MOS管Q5后，二极管D击穿，三极管Q3、三极管Q4开通，进而使三极管Q1开通，MOS管Q5的栅极-源极驱动被短路，MOS管Q5关断；当MOS管Q5关断后，二极管D恢复不击穿状态，三极管Q3、三极管Q4、三极管Q1均关断，MOS管Q5又恢复开通；通过二极管D的持续击穿反馈，控制MOS管Q5重复开关对过压浪涌进行斩波，斩波后的脉冲电压经外接滤波电容C滤波后输出平滑的直流电压，输出电压稳定在设定值，从而实现过压浪涌抑制功能。附图说明图1为所述基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路的立体结构示意图。具体实施方式为了更加清楚、完整的说明本技术的技术方案，下面结合附图对本技术作进一步说明。请参考图1，本技术提出一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，包括第一电路10、第二电路20和二极管D，所述二极管D将所述第一电路10的输出端与所述第二电路20的输出端连接；所述第一电路10包括MOS管Q5、电容C3、三极管Q1，所述第二电路20包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4。进一步地，所述三极管Q1的集电极连接VIN端，所述MOS管Q5的栅极连接所述三极管Q1的发射极、所述三极管Q2的集电极，所述电容C3将VIN端耦接到所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的基极、所述三极管Q3的集电极、所述三极管Q4的集电极均与所述三极管Q1的基极连接。进一步地，所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的基极、所述三极管Q4的发射极均耦接到所述二极管D的正极。本技术的所述基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路稳态输入时，MOS管Q5开通，所述基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路直通；所述基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路过压浪涌输入时，控制MOS管Q5重复开关进行斩波，输出的脉冲电压通过电容进行滤波，最终输出平滑的直流电压，实现浪涌电压抑制功能。进一步地，所述所述第二电路20包括电阻R8，所述电阻R8将所述三极管Q4的发射极耦接到所述二极管D的正极。进一步地，所述所述第二电路20包括电阻R6，所述电阻R6将所述所述三极管Q2的发射极耦接到所述ON/OFF端。进一步地，所述第一电路10包括电阻R7，所述电阻R7将所述MOS管Q5的漏极耦接到所述二极管D的负极，所述MOS管Q5的源极连接VIN端。进一步地，所述第一电路10包括电容C3，所述电容C3的输入端连接VIN端，所述电容C3的输出端连接所述三极管Q2的集电极。进一步地，所述第一电路10包括电阻R4，所述电阻R4的输入端连接VIN端，所述电阻R4的输出端连接所述三极管Q2的基极。进一步地，所述第一电路10包括电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2，所述电阻R1的输入端、所述电阻R3的输入端，所述二极管D1的负极均连接VIN端，所述电阻R1的输出端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R3的输出端连接所述MOS管Q5的栅极，所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极，所述二极管D2的正极连接所述MOS管Q5的栅极。进一步地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，其特征在于，包括第一电路、第二电路和二极管D，所述二极管D将所述第一电路的输出端与所述第二电路的输出端连接；/n所述第一电路包括MOS管Q5、电容C3、三极管Q1，所述第二电路包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4；/n所述三极管Q1的集电极连接VIN端，所述MOS管Q5的栅极连接所述三极管Q1的发射极、所述三极管Q2的集电极，所述电容C3将VIN端耦接到所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的基极、所述三极管Q3的集电极、所述三极管Q4的集电极均与所述三极管Q1的基极连接；/n所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的基极、所述三极管Q4的发射极均耦接到所述二极管D的正极。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，其特征在于，包括第一电路、第二电路和二极管D，所述二极管D将所述第一电路的输出端与所述第二电路的输出端连接；
所述第一电路包括MOS管Q5、电容C3、三极管Q1，所述第二电路包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4；
所述三极管Q1的集电极连接VIN端，所述MOS管Q5的栅极连接所述三极管Q1的发射极、所述三极管Q2的集电极，所述电容C3将VIN端耦接到所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的基极、所述三极管Q3的集电极、所述三极管Q4的集电极均与所述三极管Q1的基极连接；
所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的基极、所述三极管Q4的发射极均耦接到所述二极管D的正极。


2.根据权利要求1所述的基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述第二电路包括电阻R8，所述电阻R8将所述三极管Q4的发射极耦接到所述二极管D的正极。


3.根据权利要求1所述的基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述第二电路包括电阻R6，所述电阻R6将所述三极管Q2的发射极耦接到所述ON/OFF端。


4.根据权利要求1所述的基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述第一电路包括电阻R7，所述电阻R7将所述MOS管Q5的漏极耦接到所述二极管D的负极，所述MOS管Q5的源极连接VIN端。


5.根据权利要求1所述的基于P沟道MOS管的简易浪涌电压抑制电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏毅鹏，程永利，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44