电镀密封件检查系统技术方案

电镀密封件检查系统可包括一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件。此模块可包括一组支撑件，经定位以接触密封件的一内边。此模块可经构造以绕着一中心轴旋转密封件。此系统也可包括位于此模块上的一检测器。检测器可经定位以扫描密封件的一外表面。

【技术实现步骤摘要】
电镀密封件检查系统
本技术有关于在半导体处理中的多个电镀系统。更特别是，本技术有关于多个系统和多个方法，用以检查多个元件并辨识来自多个电镀系统操作的多个残留物。
技术介绍
集成电路可通过多个工艺制造，这些工艺用于在基板表面上制造复杂精细的图案化材料层。在形成、蚀刻、和基板上的其他处理之后，金属或其他导电材料时常沉积或形成，以提供多个元件之间的电连接。因为此金属化可能在许多制造操作之后执行，在金属化期间所导致的问题可能产生昂贵的废弃基板或晶片的问题。在电镀期间的一个问题是在接触密封件上积聚的残留物，其中基板可位于接触密封件上。密封件清洁操作可包括冲洗，以及化学和机械清洁。清洁操作可时常在处理系统中的多个晶片周期后自动地执行。通过自动化工艺可能难以确保清洁的均匀性，并且机械清洁元件的磨损可能增加操作成本。此外，确定清洁的完整性可能也是具有挑战性的。当在密封件上的金属的电镀开始发生时，自动化工艺可能无法确定成效，并且在没有额外的目视检查的情况下，电镀可能会增加，而从基板获取沉积材料，这可能导致基板损坏或损失。因此，对于改善的系统和方法是有需求的。可使用改善的系统和方法以产生高品质的装置和结构。这些和其他需求通过本技术得以解决。
技术实现思路
用于电镀密封件检查的多个系统可包括一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件。此模块可包括一组支撑件，经定位以接触密封件的一内边。此模块可经构造以绕着一中心轴旋转密封件。此系统页可包括位于此模块上的一检测器。检测器可定位以扫描密封件的一外表面。于一些实施例中，密封件可以以一外表面轮廓作为特征，此外表面轮廓包括一斜面，此斜面从斜面的一第一边缘延伸至斜面的一第二边缘，此斜面的第一边缘接触密封件的一径向内部表面，此斜面的第二边缘接触密封件的一径向外部表面。检测器可为或包括固定于一柱上的一激光和一接收器，此柱从模块的一甲板板材延伸。激光可为或包括以一光束宽度作为特征的一光束。此光束宽度可实质上等同于一距离，此距离沿着斜面的第一边缘和斜面的第二边缘之间的斜面。接收器可经构造以接收来自密封件的激光的反射光。系统可更包括一处理器，通信耦接于检测器，并经构造以在一主扫描操作中于一预定间隔接收来自检测器的一反射信号的一取样。处理器可经构造以产生反射信号的取样的一平滑化信号。处理器可更经构造以辨识高于表示沉积于密封件上的残留材料的一阈值的多个反射信号。处理器可更经构造以基于辨识出高于表示残留材料的阈值的此些反射信号来执行一次扫描操作，以验证一离群读数。基于验证，处理器可经构造以开始密封件的一清洁操作，或使密封件避免被再次定位于一电镀腔室中。辨识出高于表示残留材料的阈值的此些反射信号可更包括辨识出高于表示残留材料并表示平滑化信号的一第一斜率改变的阈值的一第一反射信号。辨识出高于表示残留材料的阈值的此些反射信号可更包括辨识出高于表示残留材料并表示平滑化信号中的一第二斜率改变的阈值的一第二反射信号。第二斜率改变可以相反于第一斜率改变的一斜率方向作为特征。此系统也可包括一密封件清洁组件，密封件清洁组件包括一臂，该臂可枢转于一第一位置和一第二位置之间，其中臂绕着臂的一中心轴为可旋转的，并且其中密封件清洁组件包括耦接于臂的一远端部的一清洁头。本技术也可包含多种侦测材料电镀的方法。此些方法可包括在位于一模块上的一密封件的一外表面反射一激光。此些方法可包括在持续反射激光时旋转密封件。此些方法可包括取样一反射信号，以产生一原始数据组。此些方法可包括通过减少来自原始数据组的噪声来产生一平滑化信号。此些方法可包括确定平滑化信号上的任何位置斜率是否超过表示沉积于密封件上的残留材料的一阈值。于一些实施例中，表示残留材料的阈值可包括此些位置斜率的一中值的一倍数。表示残留材料的阈值包括一误差分析，用于辨识来自一滚动阈值的多个离群值。此些方法也可包括辨识超过表示沉积于密封件上的残留材料的阈值的一第一斜率。此些方法也可包括确定平滑化信号上的一第二斜率是否超过表示沉积于密封件上的残留材料的阈值。此些方法也亦包括辨识超过表示沉积于密封件上的残留材料的阈值的一第二斜率。此些方法也可包括确定是否有电镀材料存在于密封件上。此些方法也可包括重复此方法，以验证电镀存在于密封件上。此些方法可包括执行一密封件清洁操作或避免密封件被再次定位于一电镀系统中。此技术可提供优于传统技术的许多优点。举例来说，相较于目视检查，本技术可改善在一系统密封件上的材料电镀的辨识。此外，检查可自动地并快速地执行，而可提供一致的辨识和对处理停机时间最小的影响。此些和其他实施例，以及它们的许多优点和特征结合下文的描述和所附的附图来更详细地说明。为了对本专利技术的上述内容和其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：附图说明所公开的实施例的性质和优点的进一步理解可通过参照说明及附图的剩余部份来实现。图1绘示根据本技术一些实施例的可与检查技术合并的维护模块的透视图。图2绘示根据本技术一些实施例的密封件检查系统的局部剖面图。图3绘示根据本技术一些实施例的检查接触密封件的示例方法的多个操作的示意图。图4绘示根据本技术一些实施例的原始反射信号和平滑化反射信号的图示。图5绘示根据本技术一些实施例的辨识密封件上的电镀的比较图。多种附图作为示意图而包括于其中。将理解的是，附图用以说明的目的，并且，除非特别指出依照比例，否则附图不视为依照比例。此外，作为示意图来说，附图被提供以有助于理解，并且相较于实际表示可能不包括所有的方面或信息，并且为了说明的目的可包括夸大的材料。在附图中，类似元件和/或特征可具有相同的附图标记。再者，借助附图标记后附的用以区分类似元件和/或特征的字母，相同形式的多种元件可有所区别。如果仅有第一数字的附图标记使用于描述时，该描述可适用于具有相同的第一数字附图标记的类似元件和/或特征的任一者，而不考虑字母后缀。其中，附图标记100：维护模块110：升举件120：碗状件125：甲板板材130：环销140：基板销150：密封件清洁组件153：臂155：清洁头160：柱165、215：检测器170：处理装置200：密封件检查系统205、505：密封件207：斜面208：第一边缘209：第二边缘210：内表面212：外表面220：激光225：接收器300：方法310-360：操作400：附图410、515：原始信号420：平滑信号500：比较图510：电镀材料520：平滑化信号525a、530a：最大值525b：上升斜率530b：下降斜率。具体实施方式在半导体制造和处理中的多种操作被执行，以制造基板上的大阵列的特征。当形成半导体层时，过孔(vias)、沟槽、及其他路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电镀密封件检查系统，其特征在于，包括：/n一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件，该模块包括一组支撑件，定位以接触该密封件的一内边；以及/n一检测器，位于该模块上，其中该检测器经定位以扫描该模块所支撑的该密封件的一外表面。/n

【技术特征摘要】
20190520 US 62/850,2111.一种电镀密封件检查系统，其特征在于，包括：
一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件，该模块包括一组支撑件，定位以接触该密封件的一内边；以及
一检测器，位于该模块上，其中该检测器经定位以扫描该模块所支撑的该密封件的一外表面。


2.如权利要求1所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该检测器经定位以扫描该密封件的一外表面轮廓，该外表面轮廓包括一斜面，该斜面从该斜面的一第一边缘延伸至该斜面的一第二边缘，该斜面的该第一边缘接触该密封件的一径向内部表面，该斜面的该第二边缘接触该密封件的一径向外部表面。


3.如权利要求2所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该检测器包括固定于一柱上的一激光和一接收器，该柱从该模块的一甲板板材延伸。


4.如权利要求3所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该激光包括以一光束宽度作为特征的一光束，其中该光束宽度实质上等同于一距离，该距离是沿着该斜面的该第一边缘和该斜面的该第二边缘之间的该斜面的距离。


5.如权利要求3所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该接收器经构造以接收来自该密封件的该激光的反射光。


6.如权利要求3所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，更包括一处理器，通信耦接于该检测器，并经构造以在一主扫描操作中以一预定间隔接收来自该检测器的一反射信号的一取样。


7.如权利要求6所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该处理器经构造以产生该反射信号的该取样的一平滑化信号。


8.如权利要求7所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该处理器进一步经构造以辨识出高于一阈值的多个反射信号，该阈值表示沉积于该密封件上的残留材料。


9.如权利要求8所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中该处理器进一步经构造以基于辨识出高于该阈值的该些反射信号来执行一次扫描操作，以验证一离群读数。


10.如权利要求9所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，基于验证，该处理器系经构造以开始该密封件的一清洁操作，或使该密封件避免被再次定位于一电镀腔室中。


11.如权利要求8所述的电镀密封件检查系统，其特征在于，其中辨识出高于该阈值的该些...

【专利技术属性】
技术研发人员：马修·海勒，大卫·布里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US