新型化合物以及包含上述新型化合物的有机发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种以下述化学式1表示的化合物以及包含上述化合物的有机发光元件。<化学式1>

【技术实现步骤摘要】
新型化合物以及包含上述新型化合物的有机发光元件
本专利技术涉及一种新型化合物以及包含上述新型化合物的有机发光元件。
技术介绍
最近，自发光型的可低电压驱动的有机发光元件与平面显示元件的主流即液晶显示屏(LCD，liquidcrystaldisplay)相比具有如视野角以及对照比等优秀、不需要背光、可以实现轻量化以及纤薄化、消耗电力少、色彩重现范围广等优点，因此作为新一代的显示元件备受瞩目。在有机发光二极管中作为有机物层使用的材料大体上可以根据其功能分为发光层材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料以及电子注入材料等。此外，上述发光材料可以根据分子量分为高分子以及单分子，而且可以根据发光机制分为源于电子的单重激发态的荧光材料、源于电子的三重激发态的磷光材料以及源于从三重激发态到单重激发态的电子移动的延迟荧光材料，而发光材料可以根据发光颜色分为蓝色、绿色、为了实现比红色发光材料更加优秀的天然色而需要的黄色以及朱黄色发光材料。此外，为了提升色纯度以及基于能量转移的发光效率，作为发光物质还可以使用主剂/掺杂剂型物质。而其原理在于，通过将能量带隙小于主剂的发光物质即掺杂剂少量混入到发光层中，可以使得在主剂中生成的激子转移到掺杂剂并放射出光线。借助于如上所述的原理，可以根据主剂以及掺杂剂的类型获得所需波长的光线。目前为止，作为适用于上述有机发光元件的物质，已经有多种化合物被人们所熟知，但是因为使用目前已熟知的物质的有机发光元件具有驱动电压高、效率低以及寿命短等问题，所以仍然需要开发出新型材料。因此，人们一直以来都致力于利用具有优秀特性的物质开发出可实现低电压驱动、具有高亮度以及长使用寿命的有机发光元件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以通过形成适当的最高占据分子轨道(HOMO)以及维持较高的最低未占分子轨道(LUMO)而轻易地实现电子拦截且可以在发光层内实现高效的电荷平衡的新型化合物以及有机发光元件。此外，本专利技术的目的在于提供一种π共轭得到提升以及形成薄膜时的分子排列优秀且具有较快的霍尔迁移率，从而可以通过较低的驱动电压、高效率以及对衰减现象的抑制而实现长使用寿命的有机发光元件的新型化合物以及有机发光元件。此外，本专利技术的目的在于提供一种可以借助于较高的玻璃化转变温度(Tg)而防止薄膜的重结晶并借此实现优秀的驱动稳定性的新型化合物以及有机发光元件。接下来，将对如上所述的课题以及追加课题进行详细的说明。作为解决上述课题的手段，本专利技术提供一种以下述化学式1表示的化合物。<化学式1>在上述化学式1中，X为C、Si、Ge、Sn或Pb，Ar为取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C2～C50的杂芳基、或取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基，Ar1为取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C2～C50的杂芳基、或取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基，L1、L2以及L3各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基，L1以及L2中的任一个以上包括具有间位或邻位结合的连接基，R1以及R2各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C5～C50的杂芳基，R3至R6各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C5～C50的杂芳基，多个R5之间、R6之间、或R3以及R4可以通过相互结合而形成或不形成环，l为0至3的整数，m为0至4的整数。此外，本专利技术提供一种包含上述化合物的有机发光元件。上述化合物可以包含于空穴注入层、空穴输送层以及发光辅助层中的任一个以上的有机物层，上述化合物可以包含于位于空穴输送层与发光层之间的发光辅助层。根据本专利技术的化合物以及有机发光元件，包括可使三芳甲基或三芳甲硅烷基通过具有间位或邻位结合的连接基或同时包括具有间位结合的连接基以及具有邻位结合的连接基的连接基结合到芳胺的氮上的结构，从而可以通过在发光辅助层形成适当的最高占据分子轨道(HOMO)以及维持较高的最低未占分子轨道(LUMO)而轻易地实现电子拦截且可以在发光层内实现高效的电荷平衡。此外，通过作为结合到芳胺的氮一侧的取代基导入芴基，π共轭得到提升以及形成薄膜时的分子排列优秀且具有较快的霍尔迁移率，从而可以通过较低的驱动电压、高效率以及对衰减现象的抑制而实现长使用寿命的有机发光元件。此外，本专利技术的化合物的结构如上所述，通过导入大体积基团以及结合到芳胺的氮一侧的芴基，可以借助于较高的玻璃化转变温度(Tg)而防止薄膜的重结晶并借此实现优秀的驱动稳定性。接下来，将对如上所述的效果以及追加效果进行详细的说明。附图说明图1是对根据本专利技术的一实施例的有机发光元件的构成进行概要性图示的截面图。【符号说明】100：基板200：空穴注入层300：空穴输送层400：发光层500：电子输送层600：电子注入层1000：阳极(第1电极)2000：阴极(第2电极)具体实施方式在对本专利技术进行详细的说明之前需要理解的是，在本说明书中所使用的术语只是用于对特定的实施例进行记述，并不是为了对本专利技术的范围进行限定，本专利技术的范围只应通过随附的权利要求书的范围做出限定。除非另有明确的说明，否则在本说明书中所使用的所有技术术语以及科学术语的含义与具有一般知识的人员所通常理解的含义相同。在整个本说明书以及权利要求书中，除非另有明确的说明，否则被记载为包括(comprise、comprises、comprising)的术语只是表明包括所提及的物件、步骤或一系列物件以及步骤，并不是事先排除任意其他物件、步骤或一系列物件或一系列步骤。在整个本说明书以及权利要求书中，术语“芳基”是指如包括苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三亚苯基、亚苯基、基、荧蒽基、苯并芴基、苯并三亚苯基、苯并基、蒽基、茋基以及芘基等芳环的C5～50的芳烃环基，而“杂芳基”是指如包括吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、噻吩基以及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环、唑环、二唑环、苯并唑环、噻唑环、噻二唑环、苯并噻唑环、苯三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以下述化学式1表示的化合物，/n化学式1/n

【技术特征摘要】
20191029 KR 10-2019-01358001.一种以下述化学式1表示的化合物，
化学式1



在上述化学式1中，
X为C、Si、Ge、Sn或Pb，
Ar为取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C2～C50的杂芳基、或取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基，
Ar1为取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C2～C50的杂芳基、或取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基，
L1、L2以及L3各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基，L1以及L2中的任一个以上包括具有间位或邻位结合的连接基，
R1以及R2各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C5～C50的杂芳基，
R3至R6各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C5～C50的杂芳基，多个R5之间、R6之间、或R3以及R4可以通过相互结合而形成或不形成环，
l为0至3的整数，
m为0至4的整数。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：
上述化学式1是以下述化学式2表示的化合物，
化学式2



在上述化学式2中，
对Ar、Ar1、R1、R2、R3、R4、R5、R6、L2、L3、l以及m的定义与上述化学式1中的定义相同，
X为C或Si，
R7以及R8各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C44的芳基、或取代或未取代的C5～C44的杂芳基，多个R8之间、或R7以及R8可以通过相互结合而形成或不形成环，
L4以及L5各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C44的亚芳基、或取代或未取代的C2～C44的杂亚芳基，
n为0至3的整数。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：
上述化学式1是以下述化学式3或下述化学式4表示的化合物，
化学式3



化学式4



在上述化学式3以及上述化学式4中，
对Ar、Ar1、R1、R2、R3、R4、R5、R6、L3、l以及m的定义与上述化学式1中的定义相同，
X为C或Si，
R8各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C44的芳基、或取代或未取代的C5～C44的杂芳基，多个R8之间可以通过相互结合而形成或不形成环，
L4以及L5各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C44的亚芳基、或...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，金熙宙，金东骏，韩政佑，安慈恩，权桐热，李成圭，金兑旼，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR