电控变色玻璃制备方法技术

本发明专利技术实施例公开的一种电控变色玻璃制备方法，包括：提供玻璃基底；在所述玻璃基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第一复合变色层；在所述第一复合变色层上形成离子导体层；在所述离子导体层上形成第二复合变色层；在所述第二复合变色层上形成第二导电层；以及在所述第二导电层上形成介质保护层。该电控变色玻璃制备方法制备的电控变色玻璃可以提升其在大面积产品器件的变色均匀性。

【技术实现步骤摘要】
电控变色玻璃制备方法
本专利技术涉及一种玻璃制备
，尤其是一种电控变色玻璃制备方法。
技术介绍
目前电控变色玻璃产业化过程中，电控变色玻璃在大面积产品器件的变色均匀性及变色周期循环寿命上还存在很多缺陷，其变色材料主要为WO3材料。WO3材料是一种众所周知的高效的阴极变色材料，通过化学的氧化与还原反应，控制WO3中W的价态变化，可以实现对光谱的吸收调控作用。但由于其存在大面积变色不均匀，周期循环寿命短等，循环到一定次数后，电极附近变色功能衰减严重甚至不变色，大大影响了其在工程中的应用。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术实施例提供了一种电控变色玻璃制备方法，以提升电控变色玻璃在大面积产品器件的变色均匀性。具体地，本专利技术实施例提供的一种电控变色玻璃制备方法，包括：提供玻璃基底，并将所述玻璃基底升温至280-300℃；以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积第一导电层至所述玻璃基底上；以W、Mo、Nb、Ti本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电控变色玻璃制备方法，其特征在于，包括：/n提供玻璃基底，并将所述玻璃基底升温至280-300℃；/n以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E

【技术特征摘要】
1.一种电控变色玻璃制备方法，其特征在于，包括：
提供玻璃基底，并将所述玻璃基底升温至280-300℃；
以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积第一导电层至所述玻璃基底上；
以W、Mo、Nb、Ti、Ta中至少两种组合的氧化物为第一靶材材料，以Ni、V、Co、Ir、Fe、Mn中至少两种组合的氧化物为第二靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积第一复合变色层至所述第一导电层上；
以H、Li、Na、K、Mg元素的一种或者至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积离子导体层至所述第一复合变色层上；
以W、Mo、Nb、Ti、Ta中至少两种组合的氧化物为第三靶材材料，以Ni、V、Co、Ir、Fe、Mn中至少两种组合的氧化物为第四靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积第二复合变色层至所述离子导体层上；
以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积第二导电层至所述第二复合变色层上；以及
以Si、Ti、Zn、Sn、Nb、Ta之一的氧化物或氮化物或氮氧化物为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E-3～9.0E-3mbar条件下沉积外层保护层至所述第二导电层上。


2.根据权利要求1所述的电控变色玻璃制备方法，其特征在于，所述第一靶材材料与所述三靶材材料相同，和/或所述第二靶材材料与所述四靶材材料相同。


3.一种电控变色玻璃制备方法，其特征在于，包括：
提供玻璃基底；
在所述玻璃基底上形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成第一复合变色层；
在所述第一复合变色层上形成离子导体层；
在所述离子导体层上形成第二复合变色层；
在所述第二复合变色层上形成第二导电层；以及
在所述第二导电层上形成介质保护层。


4.根据权利要求3所述的电控变色玻璃制...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕敬书，许希文，廖敏行，
申请(专利权)人：传奇视界有限公司，
类型：发明
国别省市：英属维尔京群岛;VG