辐射系统技术方案

一种辐射系统，包括辐射源和辐射调节设备，其中所述辐射源被配置成提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束，并且其中所述辐射调节设备被配置成将所述辐射束分离成至少两个束部并且还被配置成不同地调节所述至少两个束部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射系统相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月21日提交的欧洲申请18195886.9的优先权，所述申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种辐射系统，所述辐射系统被配置成提供可以由光刻设备或光刻工具中的不同类型的测量系统所使用的辐射。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以被用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。随着半导体制造过程持续进步，数十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’slaw)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。可以被称为曝光辐射的这种辐射的波长确定被图案化在衬底上的特征的最小大小。曝光辐射当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)曝光辐射(具有在4nm至20mm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的曝光辐射的光刻设备相比更小的特征。在图案从图案形成装置投影到设置在衬底上的辐射敏感材料层上之前，测量所述衬底的形貌。为了实现这种测量，所述光刻设备具备形貌测量系统。所述形貌测量系统通过将辐射引导到所述衬底上并且测量反射辐射来测量跨越所述衬底的表面的所述衬底的高度。所述辐射可以被称为测量辐射。所述高度测量被用于形成有助于将图案准确地投影到所述衬底上的高度图。为了控制所述光刻过程以将器件特征准确地放置在所述衬底上，对准标记通常被设置在衬底上，并且光刻设备包括对准系统，通过所述对准系统，则对准标记在衬底上的位置可以被准确地测量。所述对准系统将辐射引导到所述衬底上并且测量反射辐射。所述辐射可以被称为测量辐射。所述对准系统是有效的位置测量设备。不同类型的对准标记和具有不同类型对准传感器的对准系统是已知的，例如由不同的制造商提供。所述形貌测量系统和所述对准系统可以被认为是不同类型的测量系统。提供由不同类型的测量系统所使用的测量辐射可能是复杂的且昂贵的。
技术实现思路
可能期望提供例如一种形貌测量系统，所述形貌测量系统消除或减轻现有技术的一个或更多个问题，无论所述问题在本文中或在其它地方被识别。根据本专利技术的第一方面，提供一种辐射系统，所述辐射系统包括辐射源和辐射调节设备，其中所述辐射源被配置成提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束，并且其中所述辐射调节设备被配置成将所述辐射束分离成至少两个束部并且还被配置成不同地调节所述至少两个束部。所述辐射系统有利地提供两个束部，所述两个束部已经以不同的方法被调节并且可以因此被用于不同的应用。与提供被配置成提供已经以不同的方法调节的辐射束的两个单独的辐射源相比，这可能更简单和/或更可靠。所述辐射调节设备可以被配置成调节第一束部以提供用于由第一类型的测量系统使用的调节后的辐射，以及调节第二束部以提供用于由第二类型的测量系统使用的调节后的辐射。所述辐射调节设备可以包括相干消除设备，所述相干消除设备被配置成消除或减少来自一个或更多个所述束部的相干性。所述辐射调节设备可以被配置成增加一个或更多个所述束部的光学扩展量。所述辐射调节设备可以包括均质器，所述均质器被配置成减少一个或更多个所述束部的不均一性。所述辐射调节设备可以包括基于波长的分束设备，所述基于波长的分束设备被配置成基于波长来将所述辐射束或辐射束部分离成至少两个束部。所述基于波长的分束设备可以被配置成提供具有不同波长的三个或更多个束部。所述基于波长的分束设备可以包括至少一个二向色镜。所述辐射调节设备可以包括分束设备，所述分束设备被配置成与所述辐射束的部分或辐射束部的一部分相交，使得所述部分被所述分束设备反射但所述辐射束或辐射束部的其余部分不被所述分束设备反射。所述辐射调节设备可以包括分束设备，所述分束设备被配置成周期性地与所述辐射束的一部分或辐射束部相交并且反射所述辐射束的该部分或辐射束部。所述辐射调节设备可以包括偏振分束器，所述偏振分束器被配置成反射所述辐射束的具有第一偏振的部分或反射具有第一偏振的辐射束部，并且被配置成透射所述辐射束的具有第二偏振的部分或透射具有第二偏振的辐射束部。所述分束设备可以包括电光元件，所述电光元件被配置成将所述辐射束或辐射束部分离成至少两个部分。所述辐射调节系统还可以包括多个波片，所述多个波片被配置成允许所述至少两个束部的偏振被旋转。第一类型的测量系统可以包括形貌测量系统、或燃料液滴量测系统。第二类型的测量系统可以包括对准系统、或位置测量系统、或量测系统、或掩模版检查系统。根据本专利技术的第二方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备被配置成将图案从图案形成装置转移至衬底，其中所述光刻设备包括第一类型的测量系统和第二类型的测量系统，并且其中所述光刻设备还包括辐射系统，所述辐射系统包括辐射源和辐射调节设备，其中所述辐射源被配置成提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束，且其中所述辐射调节设备被配置成：将所述辐射束分离成第一束部和第二束部；调节所述第一束部以提供被提供至所述第一类型的测量系统的调节后的辐射；以及调节所述第二束部以提供被提供至所述第二类型的测量系统的调节后的辐射。本专利技术的第一方面的特征可以与本专利技术的第二方面相结合。根据本专利技术的第三方面，提供一种光刻工具，所述光刻工具被配置成测量衬底的性质，其中所述光刻工具包括第一类型的测量系统和第二类型的测量系统，并且其中所述光刻工具还包括辐射系统，所述辐射系统包括辐射源和辐射调节设备，其中所述辐射源被配置成提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束，并且其中所述辐射调节设备被配置成：将所述辐射束分离成第一束部和第二束部；调节所述第一束部以提供被提供至所述第一类型的测量系统的调节后的辐射；以及调节所述第二束部以提供被提供至所述第二类型的测量系统的调节后的辐射。本专利技术的第一方面的特征可以与本专利技术的第三方面相结合。根据本专利技术的第四方面，提供一种方法，所述方法包括：提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束；和不同地调节所述至少两个束部。第一束部可以被调节以供第一类型的测量系统使用，并且第二束部被调节以供第二类型的测量系统使用。束部的调节可以包括以下中的至少一个：消除或减少相干性，增加光学扩展量，减少不均一性、依赖于波长的选择。本专利技术的第四方面的方法可以使用根据本专利技术的第一方面的所述辐射系统的特征。附图说明现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：-图1描绘了根据本专利技术的实施例的包括辐射系统的光刻设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射系统，所述辐射系统包括辐射源和辐射调节设备，其中所述辐射源被配置成提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束，并且其中所述辐射调节设备被配置成将所述辐射束分离成至少两个束部并且还被配置成在由至少两个测量系统接收所述至少两个束部之前不同地调节所述至少两个束部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180921 EP 18195886.91.一种辐射系统，所述辐射系统包括辐射源和辐射调节设备，其中所述辐射源被配置成提供具有从紫外延伸到红外的波长的辐射束，并且其中所述辐射调节设备被配置成将所述辐射束分离成至少两个束部并且还被配置成在由至少两个测量系统接收所述至少两个束部之前不同地调节所述至少两个束部。


2.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备被配置成调节第一束部以提供用于由第一类型的测量系统使用的调节后的辐射，以及调节第二束部以提供用于由第二类型的测量系统使用的调节后的辐射。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的辐射系统，其中，辐射调节设备包括相干消除设备，所述相干消除设备被配置成消除或减少来自一个或更多个所述束部的相干性。


4.根据任一前述权利要求所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备被配置成增加一个或更多个所述束部的光学扩展量。


5.根据任一前述权利要求所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备包括均质器，所述均质器被配置成减少一个或更多个所述束部的不均一性。


6.根据任一前述权利要求所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备包括基于波长的分束设备，所述基于波长的分束设备被配置成基于波长来将所述辐射束或辐射束部分离成至少两个束部。


7.根据权利要求6所述的辐射系统，其中，所述基于波长的分束设备被配置成提供具有不同波长的三个或更多个束部。


8.根据权利要求6或权利要求7所述的辐射系统，其中，所述基于波长的分束设备包括至少一个二向色镜。


9.根据任一前述权利要求所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备包括分束设备，所述分束设备被配置成与所述辐射束的部分或辐射束部的一部分相交，使得所述部分被所述分束设备反射但所述辐射束或辐射束部的其余部分不被所述分束设备反射。


10.根据任一前述权利要求所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备包括分束设备，所述分束设备被配置成周期性地与所述辐射束的一部分或辐射束部相交并且反射所述辐射束的该部分或辐射束部。


11.根据任一前述权利要求所述的辐射系统，其中，所述辐射调节设备包括偏振分束器，所述偏振分束器被配置成反射所述辐射束的具有第一偏振的部分或反射具有第一偏振的辐射束部，并且被配置成透射所述辐射束的具有第二偏振的...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·M·巴塞曼斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL