一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法制造方法及图纸

一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法，该装置包括相对设置的上绝缘基板和下绝缘基板，上绝缘基板靠近所述下绝缘基板一侧设有一图案化电极，下绝缘基板周围设有挡板以形成容置槽；通过图案化电极图案的设置，可以对同一种纳米材料形成的图案在交流电场的施加中一次成型，并且该图案化电极可根据实际需要设计并可重复利用，节约了制作成本，此外，本申请通过基于胶体纳米粒子分散体系中，纳米粒子在交流电场的作用下聚集在电极附近的方式，实现对特定图案一次成型的效果，并且，可以通过电极的二次对位，实现其它纳米粒子在同一基板上图案化，尤其是此种方式运用于量子点显示领域，非常适合量子点膜的大批量制作，也极大的降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法
本申请涉及图案化工艺相关
，尤其涉及一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，图案化的制作技术越来越受到人们的关注，目前的图案化技术主要为黄光制程及喷墨打印技术，其中，黄光制程的工艺步骤多并且繁杂，而喷墨打印在量产时对喷头数量和多次对位均有较高的要求，这些技术在同一基板的多次图案化的过程中都具有一定的局限性，尤其是在量子点显示领域，需要使量子点这一类纳米粒子材料图案化，并应用于QDCF、QDLGP、QLED、QD-OLED等技术中量产，则需要一种成本低廉、高效的将不同纳米粒子在同一基板上图案化的技术。
技术实现思路
本申请实施例提供一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法，以解决如何高效将不同纳米粒子在同一基板上图案化的问题。本申请实施例提供了一种纳米粒子图案化装置，包括相对设置的上绝缘基板和下绝缘基板，所述上绝缘基板靠近所述下绝缘基板一侧设有一图案化电极，所述下绝缘基板周围设有挡板以形成容置槽。根据本专利技术一优选实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米粒子图案化装置，其特征在于，包括相对设置的上绝缘基板和下绝缘基板，所述上绝缘基板靠近所述下绝缘基板一侧设有一图案化电极，所述下绝缘基板周围设有挡板以形成容置槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米粒子图案化装置，其特征在于，包括相对设置的上绝缘基板和下绝缘基板，所述上绝缘基板靠近所述下绝缘基板一侧设有一图案化电极，所述下绝缘基板周围设有挡板以形成容置槽。


2.如权利要求1所述的纳米粒子图案化装置，其特征在于，所述图案化电极包括若干呈矩阵排布的子电极。


3.如权利要求1所述的纳米粒子图案化装置，其特征在于，所述图案化电极的材料为ITO、石墨烯、金属或过渡金属硫属化合物。


4.一种纳米粒子图案化方法，其特征在于，采用如权利要求1-3中任意一项所述的纳米粒子图案化装置，包括如下步骤：
在所述容置槽内添加含有第一胶体纳米粒子的溶液；
通过所述图案化电极对含有第一胶体纳米粒子的溶液施加交流电场，使所述第一胶体纳米粒子按所述图案化电极的图案进行排布，并使所述含有第一胶体纳米粒子的溶液中的溶剂挥发以形成图案化的第一胶体纳米粒子子层；
平移所述上绝缘基板，调整所述图案化电极与所述容置槽的对位位置；
在容置槽内添加含有第二胶体纳米粒子的溶液；及
通过所述图案化电极对含有第二胶体纳米粒子的溶液施加交流电场，使所述第二胶体纳米粒子按所述图案化电极的图案进行排布，并使所述含有第二胶体纳米粒子的溶液中的溶剂挥发以形成图案化的第二胶体纳米粒子子层。


5.如权利要求4所述的纳米粒子图案化方法，其特征在于，所述形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：周淼，赵金阳，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44