一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构及制备方法，包括配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；取吡咯单体溶于特定的有机溶剂中，充分搅拌使其完全溶解；将溶有氧化剂的酸溶液和溶有吡咯单体的有机溶剂中密度小的倒入密度大的溶液中，两者分层，逐渐可观察到在两者界面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明专利技术显，反应在恒温下进行，最终获得高结晶质量聚吡咯薄膜；将单层石墨烯和聚吡咯薄膜转移到衬底上形成两层或两层以上的复合结构，用去离子水清洗，以除去所述多层复合结构表面的反应溶液残留，然后烘干即可得到聚吡咯/石墨烯复合结构。

【技术实现步骤摘要】
一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构及制备方法
本专利技术涉及涉及聚吡咯石墨烯复合结构的制备方法，具体涉及一种通过界面化学氧化后转移的方法制备高结晶度、高导电率聚吡咯石墨烯复合结构的方法。
技术介绍
导电聚合物属于一种导电高分子材料，其除了具有传统高分子材料质量轻，易于加工，机械性能好和成本低廉等优点外，其还具有可以通过改变制备条件，使其导电性能连续可调的优点，这极大的拓展了其应用范围。相关报道表明导电聚合物在有机太阳能电池、有机发光二极管、电致变色、超级电容器、化学传感器和生物传感器、柔性透明显示器和电磁屏蔽等方面有极大的应用前途。聚吡咯作为常见导电聚合物之一，它可以通过化学氧化法和电化学法制备，通过改变制备条件可得到电导率连续变化的聚吡咯材料，但化学氧化法制备的聚吡咯多为固体颗粒状，难以成膜，而电化学法可以在电极上氧化聚合形成聚吡咯薄膜。石墨烯是一种以sp2杂化连接的碳原子紧密连接形成单层的二维蜂窝状晶格结构材料，从发现以来，以其优异的光学、电学和力学特性引起了广泛的研究热潮。实验测得石墨烯在室温下的载流子迁移率可达15000c本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构的制备方法，包括以下步骤：/n步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；/n步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；/n步骤3、取吡咯单体溶于特定的有机溶剂中，充分搅拌使其完全溶解；/n步骤4、将所述步骤2中溶有氧化剂的酸溶液和所述步骤3中溶有吡咯单体的有机溶剂中密度小的倒入密度大的溶液中，两者分层，逐渐可观察到在两者界面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈专利技术显，反应在恒温下进行，最终获得高结晶质量聚吡咯薄膜；/n步骤5、将单层石墨烯和所述步骤4制备的聚吡咯薄膜转移到衬底上形成两层或两层以上的复合结构，用去离子水清洗...

【技术特征摘要】
1.一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；
步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；
步骤3、取吡咯单体溶于特定的有机溶剂中，充分搅拌使其完全溶解；
步骤4、将所述步骤2中溶有氧化剂的酸溶液和所述步骤3中溶有吡咯单体的有机溶剂中密度小的倒入密度大的溶液中，两者分层，逐渐可观察到在两者界面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行，最终获得高结晶质量聚吡咯薄膜；
步骤5、将单层石墨烯和所述步骤4制备的聚吡咯薄膜转移到衬底上形成两层或两层以上的复合结构，用去离子水清洗，以除去所述多层复合结构表面的反应溶液残留，然后烘干即可得到聚吡咯/石墨烯复合结构。


2.根据权利要求1所述的高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于：
多层复合结构中层数越多，其透光性能变差；
或者，当应用于电容器的电极材料，多层复合结构层数越多，其存储电荷的能力会提高；
或者，多层复合结构超过两层时，石墨烯层作为中间层，对于提升器件导电性能起到积极作用；
或者，多层复合结构至少包括衬底/聚吡咯/石墨烯或衬底/石墨烯/聚吡咯两种结构，最外层为聚吡咯或石墨烯。


3.根据权利要求1所述的高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳生，宋仁静，王月飞，刘益春，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22