【技术实现步骤摘要】
基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路
本专利技术涉及集成电路
，尤其是基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路。
技术介绍
带隙基准是集成电路的一个重要门类，也可以作为集成电路中的一个模块。对带隙基准的基本要求是输出电压随集成电路制造工艺、温度、电源电压等因素的变化而变化的幅度尽可能小。传统带隙基准利用了具有正温度系数的热电压和具有负温度系数的二极管正偏导通压降，将两者综合产生具有零温度系数(ZeroTemperatureCoefficient，ZTC)的输出电压。这种方式由于负温度系数来源中具有高阶温度项，因此得到的输出电压温度系数一般并不是非常低。而且电路结构较为复杂，需要用到多个三极管，通常核心电路部分为九个以上三极管，因此芯片占用面积也较大。
技术实现思路
本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，本申请采用MOSFET管代替传统带隙中用于产生正、负温度系数的多个三极管，不仅电路结构简单，还能获得低于传统带隙温度系数输出的基准...
【技术保护点】
1.一种基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述电压基准电路包括启动电路、偏置电路、运放电路、ZTC核心电路和输出电路，所述启动电路连接所述运放电路和ZTC核心电路，所述偏置电路与所述运放电路、所述ZTC核心电路和输出电路依次相连；/n所述ZTC核心电路包括两个MOS管、第一电阻和MOSFET管，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极连接电源，所述第一MOS管的漏极通过所述第一电阻接地，所述第一MOS管和第一电阻的共端还连接所述启动电路，所述第二MOS管的漏极分别连接所述MOSFET管的漏极和所述运放电路构成的运放反相输入端，所述第一MOS管的栅极和第...
【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述电压基准电路包括启动电路、偏置电路、运放电路、ZTC核心电路和输出电路，所述启动电路连接所述运放电路和ZTC核心电路，所述偏置电路与所述运放电路、所述ZTC核心电路和输出电路依次相连；
所述ZTC核心电路包括两个MOS管、第一电阻和MOSFET管，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极连接电源，所述第一MOS管的漏极通过所述第一电阻接地，所述第一MOS管和第一电阻的共端还连接所述启动电路，所述第二MOS管的漏极分别连接所述MOSFET管的漏极和所述运放电路构成的运放反相输入端，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连，且栅极共端分别连接所述运放电路构成的运放输出端和输出电路，所述MOSFET管的栅极连接所述MOSFET管的漏极，所述MOSFET管的源极接地；通过调节第一电阻阻值使所述MOSFET管工作在ZTC工作点从而产生ZTC电流。
2.根据权利要求1所述的基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第三MOS管、第四MOS管和电容，所述第三MOS管的源极连接电源、漏极分别连接所述第四MOS管的栅极和所述电容的一端，所述第三MOS管的栅极和所述电容的另一端均接地，所述第四MOS管的源极连接所述第一MOS管和第二MOS管的栅极共端、漏极分别连接所述第一MOS管和第一电阻的共端以及所述运放电路构成的运放同相输入端；当所述电压基准电路上电时，所述启动电路作用于所述ZTC核心电路使其摆脱零工作点。
3.根据权利要求1所述的基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述偏置电路包括五个MOS管、第二电阻、第三电阻和第一三极管，第五MOS管的源极、第六MOS管的源极和第九MOS管的源极均连接电源，所述第五MOS管的漏极连接第七MOS管的漏极，所述第六MOS管的漏极连接第八MOS管的漏极，所述第七MOS管的源极通过所述第二电阻接地，所述第八MOS管的源极连接所述第一三极管的发射极，所述第五MOS管的栅极和第六MOS管的栅极相连，且相连共端分别连接所述第五MOS管和第七MOS管的共端以及所述第九...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘锡锋，
申请(专利权)人：江苏信息职业技术学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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